• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.02a
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• pp.406-406
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• 2010

일반적으로, 나노스케일의 MOS 소자에서는 게이트 절연체 두께가 감소함에 따라 tunneling effect의 증가로 인해 PID (plasma induced damage)로 인한 소자 특성 저하 현상을 감소하는 추세로 알려져 있다. 하지만 요즘 많이 사용되고 있는 high-k 게이트 절연체의 경우에는 오히려 더 많은 charge들이 trapping 되면서 PID가 오히려 더 심각해지는 현상이 나타나고 있다. 이러한 high-k 게이트 식각 시 현재는 주로 Hf-based wet etch나 dry etch가 사용되고 있지만 gate edge 영역에서 high-k 게이트 절연체의 undercut 현상이나 PID에 의한 소자특성 저하가 보고되고 있다. 본 연구에서는 이에 차세대 MOS 소자의 gate stack 구조중 issue화 되고 있는 metal gate 층과 gate dielectric 층의 식각공정에 각각 중성빔 식각과 중성빔 원자층 식각을 적용하여 전기적 손상 없이 원자레벨의 정확한 식각 조절을 해줄 수 있는 새로운 two step 식각 공정에 대한 연구를 진행하였다. 먼저 TiN metal gate 층의 식각을 위해 HBr과 $Cl_2$ 혼합가스를 사용한 중성빔 식각기술을 적용하여 100 eV 이하의 에너지 조건에서 하부층인 $HfO_2$와 거의 무한대의 식각 선택비를 얻었다. 하지만 100 eV 조건에서는 낮은 에너지에 의한 빔 스케터링으로 실제 패턴 식각시 etch foot이 발생되는 현상이 관찰되었으며, 이를 해결하기 위하여 먼저 높은 에너지로 식각을 진행하고 $HfO_2$와의 계면 근처에서 100 eV로 식각을 해주는 two step 방법을 사용하였다. 그 결과 anistropic 하고 하부층에 etch stop된 식각 형상을 관찰할 수 있었다. 다음으로 3.5nm의 매우 얇은 $HfO_2$ gate dielectric 층의 정확한 식각 깊이 조절을 위해 $BCl_3$와 Ar 가스를 이용한 중성빔 원자층 식각기술을 적용하여 $1.2\;{\AA}$/cycle의 단일막 식각 조건을 확립하고 약 30 cycle 공정시 3.5nm 두께의 $HfO_2$ 층이 완벽히 제거됨을 관찰할 수 있었다. 뿐만 아니라, vertical 한 식각 형상 및 향상된 표면 roughness를 transmission electron microscope(TEM)과 atomic force microscope (AFM)으로 관찰할 수 있었다. 이러한 중성빔 식각과 중성빔 원자층 식각기술이 결합된 새로운 gate recess 공정을 실제 MOSFET 소자에 적용하여 기존 식각 방법으로 제작된 소자 결과를 비교해 본 결과 gate leakage current가 약 one order 정도 개선되었음을 확인할 수 있었다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2016.02a
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• pp.258-258
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• 2016

최근 디스플레이 산업의 발전에 따라 고성능 디스플레이가 요구되며, 디스플레이의 백플레인 (backplane) TFT (thin film transistor) 구동속도를 증가시키기 위한 연구가 활발히 진행되고 있다. 트랜지스터의 구동속도를 증가시키기 위해 높은 이동도는 중요한 요소 중 하나이다. 그러나, 기존 백플레인 TFT에 주로 사용된 amorphous silicon (a-Si)은 대면적화가 용이하며 가격이 저렴하지만, 이동도가 낮다는 (< $1cm2/V{\cdot}s$) 단점이 있다. 따라서 전기적 특성이 우수한 산화물 반도체가 기존의 a-Si의 대체 물질로써 각광받고 있다. 산화물 반도체는 비정질 상태임에도 불구하고 a-Si에 비해 이동도 (> $10cm2/V{\cdot}s$)가 높고, 가시광 영역에서 투명하며 저온에서 공정이 가능하다는 장점이 있다. 하지만, 차세대 디스플레이 백플레인에서는 더 높은 이동도 (> $30cm2/V{\cdot}s$)를 가지는 TFT가 요구된다. 따라서, 본 연구에서는 차세대 디스플레이에서 요구되는 높은 이동도를 갖는 TFT를 제작하기 위하여, amorphous In-Ga-Zn-O (a-IGZO) 채널하부에 화학적으로 안정하고 전도성이 뛰어난 SnO2 채널을 얇게 형성하여 TFT를 제작하였다. 표준 RCA 세정을 통하여 p-type Si 기판을 세정한 후, 열산화 공정을 거쳐서 두께 100 nm의 SiO2 게이트 절연막을 형성하였다. 본 연구에서 제안된 적층된 채널을 형성하기 위하여 5 nm 두계의 SnO2 층을 RF 스퍼터를 이용하여 증착하였으며, 순차적으로 a-IGZO 층을 65 nm의 두께로 증착하였다. 그 후, 소스/드레인 영역은 e-beam evaporator를 이용하여 Ti와 Al을 각각 5 nm와 120 nm의 두께로 증착하였다. 후속 열처리는 퍼니스로 N2 분위기에서 $600^{\circ}C$의 온도로 30 분 동안 실시하였다. 제작된 소자에 대하여 TFT의 전달 및 출력 특성을 비교한 결과, SnO2 층을 형성한 TFT에서 더 뛰어난 전달 및 출력 특성을 나타내었으며 이동도는 $8.7cm2/V{\cdot}s$에서 $70cm2/V{\cdot}s$로 크게 향상되는 것을 확인하였다. 결과적으로, 채널층 하부에 SnO2 층을 형성하는 방법은 추후 높은 이동도를 요구하는 디스플레이 백플레인 TFT 제작에 적용이 가능할 것으로 기대된다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2008.07a
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• pp.1244-1245
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• 2008

Recently, piezoelectric transformer is applied to wide fields. Multi layer piezoelectric transformer has the advantage of high step up ratio, electromechanical coupling coefficient(Kp) and mechanical quality factor(Qm), but is indicated of peeling-phenomenon of electrode, rising sintering temperature made price of costly electrode. So in this study, it discuss on method for fabrication of rosen type piezoelectric transformers. For the fabrication as rosen type piezoelectric transformers, synthesized the powder using 0.01Pb$(ni_{1/3}Nb_{2/3})O_3$ - 0.08Pb$(Mn_{1/3}Nb_{2/3})O_3$ - 0.91Pb$(Zr_{0506}Ti_{0496})O_3$ (abbreviated as PNN-PMN-PZT) ceramics. The density, microstructure, dielectric and piezoelectric properties as a function of sintering temperature were investigated. The results indicated that the optimized properties of ceramics were obtained at sintering temperature of 1200$^{\circ}C$, showed the value of $d_{33}$=273pC/N, $K_p$=0.60 $Q_m$=1585, ${\varepsilon}_r$=1454, density=7.917$g/cm^3$ and $tan{\delta}$=0.0064.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2011.02a
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• pp.287-287
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• 2011

ITRS(international technology roadmap for semiconductors)에 따르면 MOS (metal-oxide-semiconductor)의 CD(critical dimension)가 45 nm node이하로 줄어들면서 poly-Si/SiO2를 대체할 수 있는 poly-Si/metal gate/high-k dielectric이 대두되고 있다. 일반적으로 metal gate를 식각시 정확한 CD를 형성시키기 위해서 plasma를 이용한 RIE(reactive ion etching)를 사용하고 있지만 PIDs(plasma induced damages)의 하나인 PICD(plasma induced charging damage)의 발생이 문제가 되고 있다. PICD의 원인으로 plasma의 non-uniform으로 locally imbalanced한 ion과 electron이 PICC(plasma induced charging current)를 gate oxide에 발생시켜 gate oxide의 interface에 trap을 형성시키므로 그 결과 소자 특성 저하가 보고되고 있다. 그러므로 본 연구에서는 이에 차세대 MOS의 metal gate의 식각공정에 HDP(high density plasma)의 ICP(inductively coupled plasma) source를 이용한 중성빔 시스템을 사용하여 PICD를 줄일 수 있는 새로운 식각 공정에 대한 연구를 하였다. 식각공정조건으로 gas는 HBr 12 sccm (80%)와 Cl2 3 sccm (20%)와 power는 300 w를 사용하였고 200 eV의 에너지로 식각공정시 TEM(transmission electron microscopy)으로 TiN의 anisotropic한 형상을 볼 수 있었고 100 eV 이하의 에너지로 식각공정시 하부층인 HfO2와 높은 etch selectivity로 etch stop을 시킬 수 있었다. 실제 공정을 MOS의 metal gate에 적용시켜 metal gate/high-k dielectric CMOSFETs의 NCSU(North Carolina State University) CVC model로 effective electric field electron mobility를 구한 결과 electorn mobility의 증가를 볼 수 있었고 또한 mos parameter인 transconductance (Gm)의 증가를 볼 수 있었다. 그 원인으로 CP(Charge pumping) 1MHz로 gate oxide의 inteface의 분석 결과 이러한 결과가 gate oxide의 interface trap양의 감소로 개선으로 기인함을 확인할 수 있었다.

• The Journal of Korean Medical History
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• v.24 no.1
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• pp.43-56
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• 2011

Everyone once in a life experience headaches as symptoms are very common. According to a study in a country of more than a week and as many as those who have experienced a headache amounts to 69.4%. In addition, the high reported prevalence of migraine in 30s for 80% of all migraine sufferers daily life interfere with work or was affected. In Western medicine, the cause of headaches is traction or deformation of pain induced tissue like scalp, subcutaneous tissue, muscle, fascia, extracranial arteriovenous, nerves, periosteum. But it turns out there are not cause why pain induced tissue is being tracted or deformated. Therefore, most of the western-therapy is mainly conducted with regimen for a temporary symptom reduction. Therefore, I examined how it has been developed in Chinese Ming Dynasty, the perception of headache, change in disease stage and an etiological cause. Oriental medicine in the treatment of headache is a more fundamental way to have an excellent treatment. The recognition of head in "素問($s{\grave{u}}$ $w{\grave{e}}n$)" and "靈樞($l{\acute{i}}ng$ $sh{\bar{u}}$)" began to appear in 'Soul-神($sh{\acute{e}}n$) dwelling place' and 'where to gather all the Yang-'諸陽之會($zh{\bar{u}}$ $y{\acute{a}}ng$ $zh{\bar{i}}$ $hu{\grave{i}}$)'. Also, head was recognized as '六腑($li{\grave{u}}f{\check{u}}$) 淸陽之氣($q{\bar{i}}ng$ $y{\acute{a}}ng$ $zh{\bar{i}}$ $q{\grave{i}}$) and 五臟($w{\check{u}}$ $z{\grave{a}}ng$) 精血($j{\bar{i}}ng$ $xu{\grave{e}}$) gathering place'. More specific structures such as the brain is considered a sea of marrow(髓海-$su{\check{i}}$ $h{\check{a}}i$) in "內經($n{\grave{e}}i$ $j{\bar{i}}ng$)" and came to recognized place where a stroke occurs. Accompanying development of the recognition about head, there had been changed about the perception of headache and the recognition of the cause and mechanism of headache. And the recognition of headache began to be completed in Ming Dynasty through Jin, Yuan Dynasty. Chinese Ming Dynasty, specially 樓英($l{\acute{o}}u$ $y{\bar{i}}ng$), in "醫學綱目($y{\bar{i}}xu{\acute{e}}$ $g{\bar{a}}ngm{\grave{u}}$)", first enumerated prescription in detail by separating postpartum headache. and proposed treatment of headache especially due to postpartum sepsis(敗血-$b{\grave{a}}i$ $xu{\grave{e}}$). 許浚($x{\check{u}}$ $j{\grave{u}}n$) accepted a variety of views without impartial opinion in explaining one kind of headache in "東醫寶鑑($d{\bar{o}}ng-y{\bar{i}}$ $b{\check{a}}oji{\grave{a}}n)$" 張景岳($zh{\bar{a}}ng$ $j{\check{i}}ng$ $yu{\grave{e}}$), in "景岳全書($j{\check{i}}ng$ $yu{\grave{e}}$ $qu{\acute{a}}nsh{\bar{u}}$)", established his own unique classification system-新舊表裏($x{\bar{i}}nji{\grave{u}}$ $bi{\check{a}}ol{\check{i}}$)-, and offered a clear way even in treatment. Acupuncture treatment of headache in the choice of meridian has been developed as a single acupuncture point. Using the classification of headache to come for future generation as a way of locating acupoints were developed. Chinese Ming Dynasty, there are special treatments like 導引按蹻法($d{\check{a}}o$ y ${\check{i}}n$ ${\grave{a}}n$ $ji{\check{a}}o$ $f{\check{a}}$), 搐鼻法($ch{\grave{u}}$ $b{\acute{i}}$ $f{\check{a}})$, 吐法($t{\check{u}}$ $f{\check{a}}$), 外貼法($w{\grave{a}}i$ $ti{\bar{e}}$ $f{\check{a}}$), 熨法($y{\grave{u}}n$ $f{\check{a}}$), 點眼法($di{\check{a}}n$ $y{\check{a}}n$ $f{\check{a}}$), 熏蒸法($x{\bar{u}}nzh{\bar{e}}ng$ $f{\check{a}}$), 香氣療法($xi{\bar{a}}ngq{\grave{i}}$ $li{\acute{a}}of{\check{a}}$). Most of this therapy in the treatment of headache, it is not used here, but if you use a good fit for today's environment can make a difference.

• Restorative Dentistry and Endodontics
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• v.34 no.5
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• pp.424-429
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• 2009

This study aimed to assess the influence of different cross-sectional area on the cyclic fatigue fracture of Ni-Ti rotary files using a fatigue tester incorporating cyclical axial movement. Six brands of Ni-Ti rotary files (ISO 30 size with. 04 taper) of 10 each were tested: Alpha system (KOMET), HeroShaper (MicroMega), K3 (SybronEndo), Mtwo (VDW), NRT (Mani), and ProFile (Dentsply). A fatigue-tester (Denbotix) was designed to allow cyclic tension and compressive stress on the tip of the instrument. Each file was mounted on a torque controlled motor (Aseptico) using a 1:20 reduction contra-angle and was rotated at 300 rpm with a continuous, 6 mm axial oscillating motion inside an artificial steel canal. The canal had a $60^{\circ}$ angle and a 5 mm radius of curvature. Instrument fracture was visually detected and the time until fracture was recorded by a digital stop watch. The data were analyzed statistically. Fractographic analysis of all fractured surfaces was performed to determine the fracture modes using a scanning electron microscope. Cross-sectional area at 3 mm from the tip of 3 unused Ni-Ti instruments for each group was calculated using Image-Pro Plus (Imagej 1.34n, NIH). Results showed that NRT and ProFile had significantly longer time to fracture compared to the other groups (p < .05). The cross-sectional area was not significantly associated with fatigue resistance. Fractographycally, all fractured surfaces demonstrated a combination of ductile and brittle fracture. In conclusion, there was no significant relationship between fatigue resistance and the cross-sectional area of Ni-Ti instruments under experimental conditions.

• Journal of Korean Society for Atmospheric Environment
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• v.20 no.4
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• pp.555-569
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• 2004

Size -segregated measurements of aerosol composition using 8-stage DRUM impactor are used to determine the transport of natural and anthropogenic aerosols at Gosan site from 29 March to 30 May in 2002. Separation of ambient aerosols by DRUM impactor offers many Advantages over other standard filtration techniques. Some of the most important advantages are the ability to segregate into details by particle tire, to better preserve chemical integrity since the air stream doesn＇t pars through the deposit, to collect samples as a function of time, and to have a wide variety of impaction surfaces available to match analytical needs. Although the transport of Yellow sand is a well-known phenomenon in springtime, the result of measurement shows that not only soil dust but also anthropogenic aerosols, including sulfur, enriched trace metals such as Pb, Ni, Zn. Cu, Cr, As, Se, Br, are transported to Gosan in springtime. This study combines the size- and time-resolved aerosol composition measurements with isentropic, backward air-mass trajectories in order to identify some potential source regions of anthropogenic aerosols. As a result, during the NYS period, the average concentration of PM$_{10}$ was 46$\mu\textrm{g}$/㎥, Si, Al. S, Fe, Cl, K, Ca were higher than 1,000 ng/㎥ and Ti was about 100 ng/㎥. The concentrations of Zn, Mn, Cu. Pb, Br, Rb, V, Cr, Ni. At, Se ranged between 1 and 70 ng/㎥. More than 50% typical soil elements, tuck as Al, Si, Fe, Cd. Ti, Cr, Cu, Br. were distributed in a coarse particle range(5.0-12${\mu}{\textrm}{m}$). In other hand, anthropogenic pollutants, luck as S, N, Vi, were mainly distributed in a fine particle range (0.09-0.56${\mu}{\textrm}{m}$). During the YS period, PM$_{10}$ increased about 8 times than NYS period, and main soil elements, such as Al, Si, S, K, V, Mn, Fe also doubled in coarse particle range (1.15-12${\mu}{\textrm}{m}$). But Zn, As, Pb, Cu and Se, which distributed in the time aerosols (0.09-0.56${\mu}{\textrm}{m}$), were on the same level with or decreased than NYS period. Finally. except the YS Period, coarse particles (2.5-12${\mu}{\textrm}{m}$) are inferred to be influenced by soil, coal combustion, waste incineration, ferrous and nonferrous sources through similar pathways with Yellow Sand. But fine particles have different sources, such as coal combustion, gasoline vehicle, biomass burning, oil or coal combustion, nonferrous and ferrous metal sources, which are transported from China, Korea peninsula and local sources.ces.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2011.02a
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• pp.119-120
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• 2011

Kawazoe는 1997년 p-type TOS를 만들기 위해서는 3가지가 충족되어야 한다고 언급한바 있다. 첫 번째, 가시광영역에서 투명하기 위해서 cation의 d10s0이 가득 차야 한다. 가득 차지 않은 d10 shell은 광 흡수가 가능하여 투과도를 떨어뜨린다. N-type을 예로 들어 ZnO, TiO, In2O3가 각각 Zn2+, Ti4+, In3+가 되어 d shell을 가득 차게 만드는 것을 볼 수 있다. 두 번째, cation d10s0 shell은 산소의 2p shell과 overlap 되어야 한다. 이 valence band는 홀 전도를 더욱 좋게 한다. 예를 들어 Cu1+(3d), Ag1+(4d)가 해당한다. 세 번째로, 양이온과 산소간의 공유결합을 강하게 하기 위해서 결정학적 구조는 매우 중요하다. Delafossite 구조는 산소가 pseudo-tetrahedral 구조로서 공유결합에 유리하다. 이러한 환경은 O2- (2p6)을 형성하고 홀의 이동도를 증가시킨다. 예를 들어 Cu2O의 경우 앞의 2가지를 만족시키지만 광학적 특성에서 좋지 않다. 그 이유가 3번째 언급한 결정학적인 요인에 있다. 결정 계의 환경은 Cu2O를 따라가면서 3차원적인 연결을 2차원적으로 변형된 delafossite 구조에서는 quantum well이 형성되어 band gap이 커진다. 본 연구에서는 전기적 이방성을 가지고 있는 delafossite CuCrO2 상에서 우선배향을 일으키는 인자 중 기판을 변화시켜 실험을 진행하였다. 결과적으로 기판변화를 통해 우선배향조절이 가능하였으며 CuCrO2 박막을 시켰으며, 결정방향에 따른 전기적 물성의 이방성에 관한 연구는 계속 진행 중에 있다. c-plane sapphire 기판위에는 [00l]로 성장하는 반면, c-plane STO 기판 위에는 [015] 방향으로 성장하는 것을 확인하였다. 이러한 원인은 기판과 증착되는 박막간의 mismatch를 최소화 하여 strain을 줄이고, 계면에서의 Broken boning 수를 줄여 계면에너지를 낮추는 방법이기 때문일 것으로 예상된다. C-plane sapphire 기판위에 증착될 경우 증착온도가 증가함에 따라 c-축으로의 성장이 온전해지며 이에 따라 캐리어농도의 감소와 모빌리티의 증가가 급격하게 변하는 것을 확인할 수 있다. 반면 c-plane STO 기판에서는 증착온도에 따른 박막의 배향변화가 없으며 전기적 물성 변화 또한 비교적 작은 것을 간접적으로 확인하였다.

• Journal of Conservation Science
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• v.37 no.2
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• pp.144-153
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• 2021

Gwanghwadang-Wonsam was designated as National Folklore Cultural Heritage No. 52 in 1979, it is in good condition. However, a problem is the attached a phoenix insignia badge that did not exist when it was designated recently. As it became known as the only purple Wonsam artifact with "phoenix insignia", raising the need for its conservation. In this regard, scientific analysis was required to correct misinformation about designated cultural assets and restore the original designated state by analyzing the history of the Gwanghwadang-Wonsam, other relics of the phoenix insignia and its making design patterns. An X-ray fluorescence analysis was used to confirm that the Phoenix insignia's metal threads were titanium-plated silver. Phoenix insignia using titanium-plated gold thread was not identified in Gwanghwadang-Wonsam photographs in 1986, and the TiN-type membrane plating method was used in various industries in the 1990s, which can be estimated to be attached in the early and mid-1990s. Especially, the scientific analysis results from the X-ray fluorescence analysis in this study provide key evidence for conservation processing. This study demonstrates the importance of investigating relics and similar artifacts in the conservation process of inherited relics and as a precedent for restoration that corrects misinformation about designated cultural properties.

• The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers C
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• v.49 no.3
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• pp.156-156
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• 2000

The piezoelectric properties and the doping effect for $0.95Pb(Zr_xTi_{l-x})O_3+0.O5Pb(Mn_{1/3}Nb_{2/3})O_3$compositions were studied. Also, the heat generation and the change of electromechanical characteristics, the important problem in practical usage, were investigated under high electric field driving. As a experiment results under low electric field, the value of $k_p$ and ${\varepsilon}_{33}^T$ were maximized, but $Q_m$ was minimized $(k_p=0.57, Q_m=1550)$ in the composition of x=0.51. In order to increase the values of $Q_m$, $Nb_2O_5$ was used as a dopant. As the result of that, the grain size was suppressed and the uniformity of grain was improved. Also, the values of $k_p$ decreased, and the values of $Q_m$ increased with doping concentration of $Nb_2O_5$ . As a experiment results under high electric field driving, when vibration velocity was ower than 0.6[m/s], the temperature increase was 20[℃], and the change ratio of mechanical quality factor was less than 10[%]. So, its electromechanical characteristics was very stable. Conclusively, piezoelectric ceramic composition investigated at this paper is suitable for application to high power piezoelectric devices.