• 한국세라믹학회지
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• 제26권3호
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• pp.371-380
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• 1989

The purpose of this experiment is to elucidate the reaction mechanism concerning to the formation of crystalline BaTiO3 synthesized by adding the pH control agent(KOH soln) in TiCl4 and BaCl2 solution (Wet direct synthetic method). In this expeirment, it is identified that the amorphous barium-titanate having Ba-O-Ti bonding is formed above pH5 due to the -OH- ion and Ti-gel is formed below pH5 due to the polymerization of metatitanic acid. The bonding of the amorphous Ba-O-Ti is identified by FT-IR spectrum and crystallization temperature is about 82$0^{\circ}C$. If the pH of the above system according to the -OH- ion concentration is above 13.8, the polymerized metatitanic acid will be depolymerized and produce [TiO3]2+ion and crystalline BaTiO3 is formed by reacting the produced [TiO3]-- ion with the active Ba++ ion.

• 한국세라믹학회지
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• 제37권10호
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• pp.1008-1013
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• 2000

SrTi $O_3$(001) 단결정 기판 위에 졸-겔 스핀코팅으로 $SrBi_2(Ta,Nb)_2O_9$ 박막을 도포하고 그 결정화 과정을 고온 X-선 회절분석 (HTXRD)으로 추적하면서 Pt(111)/Ti/ $SiO_2$/Si 위에 성장한 박막과 비교하였다. SrTi $O_3$(001) 단결정 기판 위에 도포된 $SrBi_2Nb_2O_{9}$ 박막은 fluorite-like phase와 같은 transient phase를 거치지 않고 곧바로 순수한 $SrBi_2Nb_2O_9$ 상으로 결정화가 시작되었으며 결정화가 시작되는 온도인 ${\sim}540^{\circ}C$부터 c축 배향성장하였다. 또한 $SrB i_2(Ta,Nb)_2O_9$ 박막은 Ta/Nb 비에 관계없이 $SrTiO_3$(001) 위에서 모두 $(00{\ell})$로 배향되었으며, 코팅 횟수가 늘어나 필름의 두께가 증가함에 따라 c축 배향성은 미세한 감소를 보였다. $SrBi_2Nb_2O_9/SrTiO_3$단면을 TEM으로 관찰한 결과 $SrBi_2Nb_2O_9$은 대체로 불규칙한 크기의 다결정체로 되어 있었으나 계면 부근에서는 [001]$_{SBN}$//[001]$_{SrTi}$ $O_3$/, [100]$_{SBN}$//[100]$_{SrTi}$ $O_3$/라는 결정학적 관계를 가지며 에피탁샬 성장했음을 알 수 있었다.있었다.

• 한국진공학회지
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• 제11권4호
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• pp.240-248
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• 2002

결정성이 좋을 것으로 기대되는 Fe이 도핑된 $Fe_{x}Ti_{l-x}O_2$박막 (x=0.07과 0.16)을 rutile $TiO_2$(110) 기판위에 산소 플라즈마 적층 성장 방법으로 성장시켰다. 도핑되는 Fe의 함량에 따른 표면 특성을 규명하기 위하여 박막 성장은 같은 조건에서 이루어졌다. 여러 가지의 표면분석법을 이용하여 성장된 박막의 표면 특성을 규명하였다. $Fe_{x}Ti_{l-x}O_2$박막에 존재하는 Ti의 산화상태는 +4 이었고 Fe의 경우는 +2와 +3의 산화상태가 섞여있었으며 Fe의 함량이 높은 $Fe_{0.16}Ti_{0.84}O_2$박막에서 $Fe^{3+}$ 이온의 함량이 더 높은 것으로 나타났다. $Fe_{0.07}Ti_{0.93}O_2$박막은 기판과 유사한 평탄한 표면에 막대형과 원통형의 높은 island 형태로 성장되었다. $Fe_{0.16}Ti_{0.84}O_2$박막은 $Fe_{0.07}Ti_{0.93}O_2$ 박막보다는 평탄하지만 적은 island들이 뭉쳐있는 다소 거칠은 표면을 한 다결정성 형태로 성장되어 Fe의 함량에 따라 morphology가 다르게 나타났다.

• 한국세라믹학회지
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• 제32권5호
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• pp.582-586
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• 1995

The crystal structures of (Na0.3Sr0.7)(Ti0.7M0.3)O3 (M=Ta, Nb) compounds were determined using the Rietveld method. Due to the tilting of a oxygen octahedron, (Na0.3Sr0.7)(Ti0.7Nb0.3)O3 had a superlattice of doubled a, b and c of simple perovskite. The crystal structure of (Na0.3Sr0.7)(Ti0.7M0.3)O3 was tetragonal with a space group 14/mmm. The crystal structure of (Na0.3Sr0.7)(Ti0.7M0.3)O3 was a cubic with space group Pm3m, in which no tilting of oxygen octahedron was observed. The difference in the oxygen tilting of these two materials was due to the larger covalency of Nb-O bond than that of Ta-O bond, which induced a strong $\pi$Nb0 bonding in (Na0.3Sr0.7)(Ti0.7M0.3)O3. Therefore, the higher transition temperature of (Na0.3Sr0.7)(Ti0.7M0.3)O3 could be related to the larger tilting of oxygen octahedron.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2002년도 하계학술대회 논문집 Vol.3 No.2
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• pp.609-612
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• 2002

In this study, the electrical properties were investigated for the deposited Ba,Sr)(Nb,Ti)$O_3$[BSNT] thin films grown on $Pt/TiO_2/SiO_2/Si$ substrate by RF sputtering method. The structural properties of the BSNT thin films affected by the $Ar/O_2$ rates were investigated. In the case of the BSNT thin films deposited with condition of 60/40$(Ar/O_2)$ ratio, the $BaTiO_3$, $SrTiO_3$ and $BaNbO_3$ phases were showed. The composition ratio of Nb and Ti in the BSNT thin films were nearly equivalent. Also, in the BSNT thin films deposited with condition of 60/40 and 80/20$(Ar/O_2)$ ratios, the composition of Ba, Sr, Nb and Ti were relatively uniform. The Ba, Sr, Nb and Ti in the BSTN thin films were not diffused into the Pt layer.

• 한국세라믹학회지
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• 제39권4호
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• pp.413-419
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• 2002

$Al_2O_3$/TiC/SiC, $Al_2O_3$/SiC 및 $Al_2O_3$/TiC 복합체들을 고온가압소결로 제조하여 이들의 균열저항거동과 기계적 성질을 비교해 보았다. $Al_2O_3$에 $0.8{\mu}m$의 TiC가 30vol% 첨가된 $Al_2O_3$/TiC는 단일체 $Al_2O_3$와 비슷한 균열저항거동을 보이며 파괴인성은 전반적으로 10% 이내의 증가를 보이는데 그쳤지만 강도는 약 30% 증가하였다. $Al_2O_3$에 $3{\mu}m$ SiC가 30vol% 첨가된 $Al_2O_3$/SiC는 SiC 입자의 균열 접속으로 인해 증가하는 균열저항거동을 뚜렷이 보이면서 파괴인성이 긴 균열에서 약 75% 증가하였으나 강도는 다소 감소했다. $Al_2O_3$/TiC에 SiC 입자가 30 vol% 첨가된 $Al_2O_3$/TiC/SiC 복합체의 경우 단일체 $Al_2O_3$에 비해 긴 균열 거리에서 파괴인성이 50% 이상 증가된 6.6 MP${\cdot}\sqrt{m}$에 이르렀으며 강도 값도 약 20% 상승하였다. 그러나 큰 SiC 입자의 첨가로 인해 TiC 입자만 첨가된 $Al_2O_3$/TiC 복합체보다는 강도가 다소 낮았다. 또한 SiC 입자만 첨가된 $Al_2O_3$/SiC 복합체보다는 파괴인성이 다소 낮았는데, 이는 작은 TiC 입자들이 SiC 입계를 거칠게 만들어 균열접속을 일으키는 SiC 입자의 뽑힘 현상을 방해하였기 때문이다.

• 한국진공학회지
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• 제9권4호
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• pp.373-378
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• 2000

실리콘 기판 위에서 $TiO_2$와 $Bi_2O_3$의 박막 성장은 반응속도론 측면에서 커다란 차이를 보였지만, $Bi_4Ti_3O_{12}$(BIT) 박막의 성장은 주로 $TiO_2$ 성장 거동에 의해 지배를 받았다. 그 결과 BIT 박막은 bismuth가 부족한 조성을 가지게 되었다. 박막 내에 부족한 bismuth의 양을 보충해줌으로써 이러한 문제점을 해결하고자 펄스 주입 유기 금속 화학 기상 증착(MOCVD) 방법을 사용하였다. 이러한 펄스 주입법에 의해 bismuth의 양은 증가하였고 또한, 박막의 깊이 방향으로의 조성이 균일해졌고 $Bi_4Ti_3O_{12}$과 Si사이의 계면이 향상되었다. 게다가, $Bi_4Ti_3O_{12}$ 박막의 결정성은 크게 향상되었고 누설 전류 밀도는 연속 주입법에 비해 1/2에서 1/3정도 낮아졌다. 시계 방향의 C-V 이력 곡선이 관찰되었고 이로 인해 펄스 주입법에 의해 증착된 $Bi_4Ti_3O_{12}$ 박막은 강유전성에 의해 스위칭이 됨을 알 수 있었다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1990년도 추계학술대회 논문집
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• pp.68-70
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• 1990

(1-X)(Sr$\_$7/9/Pb$\_$2/9/)$\_$(1-y)/(Ca$\_$1/5/Mg$\_$4/5/)$\_$y/TiO$_3$+X(BiO$_2$O$_3$$.$3TiO$_2$) (y=0.145, 0$\leq$X$\leq$0.08) ceramics were fabricated by the mixed oxide method. The sintering temperature and time were 1180∼1230[$^{\circ}C$], 2[hr], respectly. The grain size were grown with increasing the contents of Bi$_2$O$_3$$.$3TiO$_2$, but decreased more and less in the specimens which had more than 0.04[mol].

• 한국재료학회지
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• 제2권4호
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• pp.248-256
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• 1992

본 논문에서는 ATi$O_3$(A=Ca, Sr, Ba) 조성을 갖는 단순 페롭스카이트 구조에서 생성되는 격자결함 구조에 대하여 고찰하였다. 페롭스카이트 구조는 고충전밀도를 갖기 때문에 프렌클 결함은 고려되지 않았다. 쇼트키결함이나, 고유전자결함도 자연적으로 포함된 억셉타 불순물 농도에 비하면 무시할 정도로 적은 양이다. 실제적으로 전기적 특성에 영향을 주는 것은 전하적 결함을 발생하는 aliovalent 불순물이다. 삼성분계이기 때문에 양이온간의 비화학양론이 발생하며 BaTi$O_3$나 SrTi$O_3$에서 수백 ppm이내의 AO나 Ti$O_2$의 용해도가 관찰되나, CaTi$O_3$에서는 상당량의 CaO와 $TiO_2의$ 용해가 가능하다.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제7권3호
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• pp.7-11
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• 2000

공침법을 이용하여 제조한 $SrTiO_3$분말에 $CuO-SiO_2$첨가물을 혼합하여 저전압구동형 SrTiO$_3$세라믹 바리스터 소자를 제조하였다. $CuO-SiO_2$첨가물을 이용한 $SrTiO_3$세라믹 바리스터제조 공정은 복잡한 공정을 단순화시킬 수 있을 뿐만 아니라, 일반적인 소결온도보다 100~$150^{\circ}C$ 낮은 온도에서도 소결이 되었다. 이 바리스터의 비직선계수($\alpha$) 값은 첨가물 5 wt% 혼합하여 $1350^{\circ}C$에서 하소한 시편에서 8.47의 최고값을 나타냈으며, 이때의 구동전압은 7 V 이하로 낮은 구동전압을 가진 바리스터를 제조할 수 있었다.