High-efficiency organic light-emitting diodes (OLEDs) based on multilayer transparent electrodes (MTEs) are reported. The dielectric/metal/dielectric (DMD) multilayer electrode based on a thin silver layer achieved high sheet conductance as small as $6{\Omega}/sp$ and a tuning capability in the optical and electrical properties by engineering the inner and outer dielectric layers. In the conventional normal bottom-emitting structure, a DMD-based OLED can be fabricated with 90% higher forward luminous efficiency and 30% higher external quantum efficiency (EQE) compared to ITO-based devices. Special attention was paid to the optimization method of such MTE structure considering both the injection and optical structures.
Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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v.9
no.2
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pp.49-54
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2002
Cobalt silcides thin films were prepared on Poly-Si/$SiO_2$/Si substrates by Co metal depostion using E-beam evaporation method and rapid thermal annealing for the application of inkjet printing heater. The crystal phases and composition distributions of the films were investigated as functions of the rapid thermal annealing (RTA) temperatures (600~$900^{\circ}C$) and times (20~40 sec). The high temparature thermal stability was also investigated by the analysis of sheet resistance and crystalline properties. The stable $CoSi_2$ phases were obtained by the RTA annealing at $800^{\circ}C$ for 20 seconds showing $0.8 \Omega /\Box$ of sheet resitance. However, the sheet resistances were sharply increased at below $700^{\circ}C$ due to changes of crystalline phases. The temperature resistance coefficient of heating elements was found to be about $0.0014/^{\circ}C$, and the obtained cobalt silicided films can be applied to the printer heating elements.
Description and theory of spin coating technique has been elaborately outlined and a spin coating machine designed and fabricated using affordable components. The system was easily built with interdisciplinary knowledge of mechanics, fluid mechanics and electronics. This equipment employs majorly three basic components and two circuit units in its operation. These include a high speed dc motor, a proximity sensor mounted at a distance of about 15 mm from a reflective metal attached to the spindle of the motor to detect every passage of the reflective metal at its front and generate pulses. The pulses are transmitted to a micro-controller which process them into rotational speed (revolution per minute) and displays it on a lead crystal display (LCD) which is also a component of the micro-controller. The circuit units are a dc power supply unit and a PWM motor speed controlling unit. The various components and circuit units of this equipment are housed in a metal casing made of an 18 gauge black metal sheet designed with a total area of 1, $529.2cm^2$. To illustrate the use of the spin-coating system, ZnO sol-gel films were prepared and characterized using SEM, XRD, UV-vis, FT-IR and RBS and the result agrees well with that obtained from standard equipment and a speed of up to 9000 RPM has been achieved.
Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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v.25
no.2
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pp.19-23
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2018
In this study, the feasibility of Al-based transparent electrodes for optoelectronic devices was investigated. Al thin films having thickness in the range of 3-12 nm were deposited on glass substrates, and sheet resistance was measured for films thicker than 7 nm and the values continue to decrease with increasing film thickness. The grain size in the films was found to increase with increasing grain size. 85% visible light transmittance was measured at the thickness of 3 nm, and decreased to 50% and 60% when the film thickness reaches 4 nm and 5 nm, respectively. The results of this study can be used in the applications of oxide/metal/oxide type transparent electrodes.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2004.04b
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pp.9-12
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2004
This paper investigated the stability of Ta-Mo alloy on thin gate dielectric. Ta-Mo alloy was deposited by using co-sputtering process after thermal growing of 3.4nm and 4.2nm silicon dioxide. When the sputtering power of Ta and Mo were 100W and 70W, respectively, the suitable work function for NMOS gate electrode, 4.2eV, could obtain. To prove interface thermal stability of thin film gate dielectric and Ta-Mo alloy, rapid thermal annealing was performed at $600^{\circ}C$ and $700^{\circ}C$ for 10sec in Ar ambient. The results of interface reaction were surveyed by change of silicon dioxide thickness and work function after annealing process. Also, the reliability of alloy gate and gate dielectric could be confirmed by quantity of leakage current. Ta-Mo alloy was showed low sheet resistance and thermal stability, namely, little change of gate dielectric and work function, after $700^{\circ}C$ annealing process.
The welded metal bellows is commonly manufactured by welding pairs of washer-shaped discs of thin sheet metal stamped from strip stock in thickness from 0.025 to 0.254 mm. The discs, or diaphragms, are formed with mating circumferential corrugations. In this study, the diaphragms were welded by using a CW Nd: YAG laser to form metal bellows. The bellows was fixed on a jig and compressed axially, while Cu-rings were installed between belows edges for intimate contact of edges. The difference between the inner diameter of bellows and jig shaft causes an eccentricity, while the tolerance between motor shaft and jig shaft causes a wobble type motion. A vision sensor which is based on the optical triangulation was used for seam tracking. An image processing algorithm which can distinguish the image by bellows edge from that by Cu-ring was developed. The geometric relationship which describes the eccentricity and wobble type motion was modeled. The seam tracking using the image processing algorithm and the geometric modeling was performed successfully.
The purpose of this study was to elucidate effects of a thin (tens to hundreds of nanometers) Ni-flash coating layer on hydrogen embrittlement (HE) and liquid metal embrittlement (LME) in ultra-high-strength electrogalvanized steel with a tensile strength of more than 1 GPa. Various experimental and analytical methods, including thermal desorption spectroscopy, slow strain rate testing, resistance spot welding, X-ray diffraction, and metallographic observation, were employed. Results showed that an increase in Ni target amount for flash coating resulted in a decrease in diffusible hydrogen content during electrogalvanizing, resulting in a significant decrease in HE sensitivity. Moreover, a Ni target amount of more than 1000 mg/m2 drastically reduced the occurring frequency and average depth of LME. This reduction could be primarily attributed to formation of Zn-Ni intermetallic phases during the welding process that could inhibit liquefaction of intermetallic phases in the heat-affected zone. This study provides a desirable Ni target amount for Ni-flash coating on ultra-high-strength steels conducted in a continuous galvanizing line or a high-speed batch line to achieve high resistance to both HE and LME.
The influence of $O_2$-plasma treatment on $H_2$ post-treated BZO (ZnO:B) thin film using MOCVD (Metal-Organic Chemical Vapor Deposition) are investigated. An $O_2$-plasma treatment of the $H_2$ post-treated BZO thin films resulted in XRD peak of (100), (101) and (110). Also, electrical properties resulted in an increase in sheet resistance and work function. The weighted optical transmittance and haze at 300~1,100 nm of BZO thin films with $O_2$-plasma treatment on the $H_2$ post-treatment show approximately 86% and 15%, respectively.
Metal-chelate derivatives have been investigated intensively as an emitting layer and recognize to have excellent electroluminescence(EL) properties. We synthesized new luminescent material, 1,4-dihydoxy-5,8-naphtaquinone $Aiq_3$ complex($Al_2Nq_4$) and investigated the electrical optical properties. OLED has potential candidates for information display with merits of thickness, low power and high efficiency. Although the OLED show a lot of advantages for information display, it has the limit of inorganic(metal)/ organic interface. In this study, the two methods are used to study the interface of metal/organic in OLED. First, we treated $O_2$ plasma on an ITO thin film by using RIE system, and analyzed the ingredient of ITO thin film according to change of the processing conditions. We used the RDS and the XPS for the ingredient analysis of the surface and bulk. We measured electrical resistivity using Four-Point-Probe and calculated sheet resistance, and ITO surface roughness was measured by using AFM. We fabricated OLED using substrate that was treated optimum ITO surface. Second, we used the buffer layer of CuPc to improve the characteristics of the interface and the hole injection in OLED. The result of the study for electrical and optical properties by using I V L T System(Flat Panel Display Analysis System), we confirmed that the electrical properties and the luminance properties were improved.
Journal of the Korean Society of Manufacturing Technology Engineers
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v.26
no.4
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pp.425-429
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2017
During ultrasonic welding, plastic deformation, elastic hysteresis, and friction generate heat at the contact portions of the two materials to be welded, theoretically analyzing and experimentally measuring the temperature at the welded part are very important for identifying the heat affected zone. However, the welding temperature during ultrasonic welding wherein welding is performed in less than a second is a challenge. We investigated the effects of welding conditions such as welding time, welding pressure, and the ultrasonic vibration amplitude of horns on the temperature of welded surface of a Ni sheet of thickness 0.1 mm. We used a horn with a resonance frequency of 40 kHz and an ultrasonic welder. The temperature was measured using a intrared sensor, and its characteristics were investigated. Experimental results showed that increase in welding time and pressure and ultrasonic vibration amplitude of horns generally caused the increase in surface temperature of the weld.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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