We investigated the characteristics of nano crystalline silicon(nc-Si) thin-film solar cells on graphite substrates. Amorphous silicon(a-Si) thin-film solar cells on graphite plates show low conversion efficiency due to high surface roughness, and many recombination by dangling bonds. In previous studies, we deposited barrier films by plasma enhanced chemical vapor deposition(PECVD) on graphite plate to reduce surface roughness and achieved ~7.8 % cell efficiency. In this study, we fabricated nc-Si thin film solar cell on graphite in order to increase the efficiency of solar cells. We achieved 8.45 % efficiency on graphite plate and applied this to nc-Si on graphite sheet for flexible solar cell applications. The characterization of the cell is performed with external quantum efficiency(EQE) and current density-voltage measurements(J-V). As a result, we obtain ~8.42 % cell efficiency in a flexible solar cell fabricated on a graphite sheet, which performance is similar to that of cells fabricated on graphite plates.
When the product is removed from the mold after molding during the sheet metal molding process, elastic recovery causes a springback phenomenon. Much research has been done to minimize this phenomenon. In this study, V-bending experiments were conducted using galvanized steel sheets, stainless steel, and aluminum sheet materials, using a total of nine types of thin sheet materials of 1.0t, 1.5t, and 2.0t, respectively. Molding analysis and experimental data were compared and analyzed. In the case of galvanized steel sheets, it was considered that the springback phenomenon occurs more frequently in molding analysis than in experiments. It was considered that the springback phenomenon occurs greatly in the experiment, not the interpretation of the molding of the stainless steel plate and the aluminum plate. It was considered that the springback occurrence tendency of the molding analysis and the experiment was the same, and the springback occurrence error rate of the molding analysis and the experimental result was about 4.0%.
Plasma Display Panel(PDP) 상판용 투명유전체의 green sheet를 제조코자 투명유전체 슬러리의 분산특성 및 유기물의 함량과 조성비에 따른 밀도와 기계적 특성을 연구하였다. 비수계 시스템에서 슬러리의 완전분산을 위한 분산제의 종류와 분산제의 양을 결정하기 위해 침강실험, 점도측정을 행하여 최적의 분산조건을 구하였다. 조성물 변수로서 투명유전체조성 분말/(투명유전체조성 분말+유기물)의 비와 결합제/(결합제+가소제)의 비를 각각 변화시켜 green sheet를 제조하였다. 제조된 tape casting 슬러리의 대부분은 의가소성(pseudoplastic) 거동을 보이는데, 의가소성 거동은 shear thinning의 효과를 가지는 것으로 기술 할 수 있다. 각각의 조성을 가지는 슬러리는 모두 전단속도가 증가함에 겉보기 점도가 감소하는 shear thinning 효과를 보여 주었다. Green sheet의 특성을 조사한 결과 유기물의 함량 및 조성이 green sheet의 밀도와 기계적 특성을 결정하는 중요한 인자가 되었다.
There is a need for the development of transparent conductive materials that are economical and environmentally friendly with exhibit low resistivity and high transmittance in the visible spectrum. In this study, the deposition rate and uniformity of Al-doped ZnO-thin films were improved by changing the Z-motion of the sputtering system. The deposition rate and the uniformity were determined to be 3.44 nm/min and 1.23%, respectively, under the 10 mm Z-motion condition. During $O_2$ plasma treatment, the intrusion-type metal elements in the thin film were reduced, which contributed to an oxygen vacancy reduction in addition to structural stabilization. Moreover, the sheet resistance was more easily saturated.
This paper has relatively high technical standard and experimental skill. The fabrication of TCO film with high transparency, low resistance and low chromaticity require exact control of several competing factors. This paper has resolved these problems reasonably well, thus recommended for publication. Indium tin oxide(ITO) thin films were by D.C. magnetron roll-to-roll sputter system utilizing ITO and $SiO_2$ targets of ITO and $SiO_2$. In this experiment, the effect of D.C. power, winding speed, and oxygen flow rate on electrical and optical properties of ITO thin films were investigated from the view point of sheet resistance, transmittance, and chromaticity($b^*$). The deposition of $SiO_2$ was performed with RF power of 400W, Ar gas of 50 sccm and the deposition of ITO, DC power of 600W, Ar gas of 50 sccm, $O^2$ gas of 0.2 sccm, and winding speed of 0.56m/min. High quality ITO thin films without $SiO_2$ layer had chromaticity of 2.87, sheet resistivity of 400 ohm/square, and transmittance of 88% and $SiO_2$-doped ITO Thin film with chromaticity of 2.01, sheet resistivity of 709 ohm/square, and transmittance of more than 90% were obtained. As a result, $SiO_2$ was coated on PET before deposition of ITO, their chromaticity($b^*$) and transmittance were better than previous results of ITO films. These results show that coating of $SiO_2$ induced arising chromaticity($b^*$) and transmittance. If the thickness of $SiO_2$ is controlled, sheet resistance value of ITO film will be expected to be better for touch screen. A four point probe and spectrophotometer are used to investigate the properties of ITO thin films.
The plane stress fracture toughness for thin aluminum alloy(2024-T3 and 7075-T6) specimens are characterized by using compact-tension (CT) specimens. Anti-buckling plates were fabricated on both sides of the thin CT specimens to prevent the buckling phenomena which caused by the 45.deg. C plastic yielding at the crack tip under the plane stress condition. The plane stress fracture toughnesses determined by three different procedures are compared with each others. The plane stress fracture toughnesses are also compared with a few published values which were determined by using center-cracked panel specimens.
ZnO single layer films (100 nm thick) and Au intermediated ZnO films (ZnO/Au/ZnO; ZAZ) were deposited on the glass substrate by RF and DC magnetron sputtering at room temperature and then the influence of the Au interlayer on the electrical and optical properties of the films were investigated. ZnO thin films show the visible transmittance of 90.3 % and sheet resistance of 63.2×108 Ω/□. In ZAZ films, as Au interlayer thickness increased from 6 to 10 nm, the sheet resistance decreased from 58.3×108 to 48.6 Ω/□, and the visible transmittance decreased from 84.2 to 73.9 %. From the observed results, it can be concluded that the intermediate Au thin film enhances the opto-electrical performance of ZnO films without intentional substrate heating.
ITO monolayer and ITO/Ag/ITO multilayer thin films are prepared by D.C. magnetron sputtering method. Ag layer was inserted for applying ITO to a flexible substrate at low temperature. Carrier concentration and carrier mobility of ITO and ITO/Ag/ITO thin films were measured, the transmittance of them also was done. The amorphous phase was confirmed to be combined in addition to (400) and (440) peaks from XRD result of ITO thin film. As the substrate temperature increased, the preferred orientation of (400) appeared. From the result of application of Ag layer at room temperature, the growth of columnar structure was inhibited, and the amorphous phase formed mostly. The ITO/Ag/ITO thin film represented the transmittance of above 80% when the thickness of Ag layer was 50 ${\AA}$, and the concentration of carrier increased up to above 10 times than that of ITO thin film. Finally, since very low resistance of 3.9${\Omega}/{\square}$ was observed, the effective application of low temperature process is expected to be possible for ITO thin film.
The cold rolling conditions for the ultra thin steel for tension mask are very important because the residual stress that affects the flatness of strip is generate during the cold rolling. The residual stress in the sheet causes etching curls when it suffers perforation process. The residual stress through the thickness. To estimate the residual stress and deformation due to etching curl. FEM analysis is performed. Numerical simulation employ a ANSY5 5.6 and an elastic-plastic constitutive equation. The simulation results indicate the distribution of residual stress in the rolled sheet can be controlled by selecting the rolling conditions properly.
This study aims detecting forming defects for the forming process of bearing rings, which is designed by and industry expert. The designed process consists of one forming operation for the outer ring and four operations for the inner ring. The thickness of the sheet used is 1.6mm, and is in between of thin sheet and bulk material. Here the rigid-plastic finite element method is applied to the analysis and design of the process without considering anisotropy of thin sheet. Thinning and folding defects are detected if the initially designed process is applied for manufacturing. So a new process is designed by referring the results of the FEM. It is confirmed that the industry expert agree the possibility of defects derived from FEM results.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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