• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1994년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.75-78
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• 1994

Organic ultra thin films about 500${\AA}$ in thickness are fabricated by LB(Langmuir-Blodgett) technique and their gas detect properties are investigated. The LB films deposited are made of the specimen named as N-docosyl pyridinium(TCNQ) and the deposition is verified by capacitance conductivity measurement. From the study of gas detect properties with I-V characteristics and UV spectrum we have found that their conductivities were increased about 3 times of magnitude and peaks of UV spectrum were decreased.

• 한국인쇄학회지
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• 제30권2호
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• pp.23-33
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• 2012

With the development of many display technologies currently applied to them in the field of printed electronics, there have been many researches that high resolution printing for thin and uniform pattern. In this paper, printing ink flow properties in the reverse offset mechanism were simulated. The aim of this research is to expect the ink flow behavior between cliches to make fine pattern by a printing technique which is a reverse offset. The simulation results show that almost the same as the experiments and the flow behavior according to the ink film thickness and printing pressure changes could be expected.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2007년도 제38회 하계학술대회
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• pp.1357-1358
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• 2007

본 연구에서는 상변화 메모리 소자의 상변화 재료의 두께에 따른 열전달 현상과 지우기 전류의 변화량을 3차원 유한요소 해석 도구를 이용하여 해석하였다. 상변화 메모리의 하부전극과 상변화 소자의 접촉 부분에서 발생한 주울열은 상변화재료를 통해 상부전극 텅스텐으로 전달되어 외부로 빠져나간다. 상변화 재료 박막의 두께가 $200[{\AA}]$인 경우는 상부전극을 통해 빠져나가는 열이 커지게 되어 상전이를 일으키는 지우기 전류가 크게 증가하는 특성을 보인다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제13권5호
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• pp.426-430
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• 2000

We have studied the field emission characteristics of multi-layered diamond-like-carbon (DLC) films deposited by vertical electrodes type plasma enhanced chemical vapor deposition with CH$_4$ and H$_2$ mixture. We deposited a thin layer of DLC on the p$^{+}$-Si substrate and then turned off plasma before another deposition of a new DLC layer. The thickness and the number of DLC layers are varied. The emission characteristics of multi-layered DLC films were compared with conventional one. The multi-layered DLC film shows higher emission current than conventional one.e.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제23권1호
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• pp.38-41
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• 2010

Compared to conventional molding technology, the color uniformity of light direction emitted from LED is improved with PCB type lead frame technology in which metal thin film is used and transfer molding technology which makes the density of phosphor uniform by manufacturing high density LED lamp. The light efficiency and the color uniformity of the LED are improved by molding the phosphor layer outside of chip and controlling the thickness of the phosphor layer. CIE x,y difference of LED in major axis is also improved uniformly from 0 to 90 degrees.

• 천문학회지
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• 제52권2호
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• pp.49-55
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• 2019

The New Vacuum Solar Telescope (NVST) is the largest solar telescope in China. When using CCDs for imaging, equal-thickness fringes caused by thin-film interference can occur. Such fringes reduce the quality of NVST data but cannot be removed using standard flat fielding. In this paper, a correction method based on multi-scale decomposition and adaptive partitioning is proposed. The original image is decomposed into several sub-scales by multi-scale decomposition. The region containing fringes is found and divided by an adaptive partitioning method. The interference fringes are then filtered by a frequency-domain Gaussian filter on every partitioned image. Our analysis shows that this method can effectively remove the interference fringes from a solar image while preserving useful information.

• 센서학회지
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• 제30권1호
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• pp.10-14
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• 2021

Wet etching is more economical than dry etching and provides a uniform etching depth regardless of wafer sizes. Typically, potassium hydroxide (KOH) and tetra-methyl-ammonium hydroxide (TMAH) solutions are widely used for the wet etching of silicon. However, there is a limit to the wet etching process when a material deposited on an unetched surface reacts with an etching solution. To solve this problem, in this study, an apparatus was designed and manufactured to physically block the inflow of etchants on the surface using a rubber O-ring. The proposed apparatus includes a heater and a temperature controller to maintain a constant temperature during etching, and the hydrostatic pressure of the etchant is considered for the thin film structure. A corrugation membrane with a diameter of 800 ㎛, thickness of 600 nm, and corrugation depth of 3 ㎛ with two corrugations was successfully fabricated using the prepared device.

• 반도체디스플레이기술학회지
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• 제19권4호
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• pp.1-5
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• 2020

By adapting black body leadflame and thin film type Green A filter, we successfully demonstrated night vision imaging system (NVIS) Green A compatible LED. Fabricated NVIS compatible LEDs show small form factor compared to that of commercialized NVIS compatible LED. Especially, NVIS radiance and chromaticity of MIL-STD-3009 specification can be satisfied simultaneously and easily by controlling the color temperature of the white LED as well as the concentration of the Green A dye and the thickness of the Green A filter. The optimal dye concentration of the NVIS Green A filter is expected to be about 1 wt%. The results of this study are expected to contribute to miniaturization, weight reduction and localization of avionic display and lighting devices.

• Journal of Korean Vacuum Science & Technology
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• 제6권1호
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• pp.30-35
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• 2002

We show that a combined technique of Cs$^{+}$ reactive ion scattering (Cs$^{+}$ RIS) and low-energy secondary ion mass spectrometry (LESIMS) provides a powerful means for probing molecular films and their surface reactions. Simple molecules, including HCI, NH$_3$, D$_2$O, and their mixtures, were deposited into a thin film of several monolayer thickness on Ru(001) at low temperature in vacuum, and the surface was characterized by Cs$^{+}$ RIS and LESIMS. On pure films, D$_2$O, HCI, and NH$_3$ existed in the corresponding molecular states. When HCI and NH$_3$ were co-deposited, ammonium ion(NH$_4$$^{+}$) was readily formed by proton transfer from HCI to NH$_3$. In the presence of water molecules, HCI ionized first to hydronium ion(H$_3$O$^{+}$), which subsequently transferred proton to NH$_3$ to form NH$_4$$^{+}$. The proton transfer, however, did not occur to a completion on ice, in contrast to the complete reaction in aqueous solutions.s solutions.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2016년도 제50회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.264-264
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• 2016

최근에 charge trap flash (CTF) 기술은 절연막에 전하를 트랩과 디트랩 시킬 때 인접한 셀 간의 간섭현상을 최소화하여 오동작을 줄일 수 있으며 낸드 플래시 메모리 소자에 적용되고 있다. 낸드 플래시 메모리는 고집적화, 대용량화와 비휘발성 등의 장점으로 인해 핸드폰, USB, MP3와 컴퓨터 등에 이용되고 있다. 기존의 실리콘 기반의 플래시 메모리 소자는 좁은 밴드갭으로 인해 투명하지 않고 고온에서의 공정이 요구되는 문제점이 있다. 따라서, 이러한 문제점을 개선하기 위해 실리콘의 대체 물질로 산화물 반도체 기반의 플래시 메모리 소자들이 연구되고 있다. 산화물 반도체 기반의 플래시 메모리 소자는 넓은 밴드갭으로 인한 투명성을 가지고 있으며 저온에서 공정이 가능하여 투명하고 유연한 기판에 적용이 가능하다. 다양한 산화물 반도체 중에서 비정질 In-Ga-Zn-O (a-IGZO)는 비정질임에도 불구하고 우수한 전기적인 특성과 화학적 안정성을 갖기 때문에 많은 관심을 받고 있다. 플래시 메모리의 고집적화가 요구되면서 절연막에 high-k 물질을 atomic layer deposition (ALD) 방법으로 적용하고 있다. ALD 방법을 이용하면 우수한 계면 흡착력과 균일도를 가지는 박막을 정확한 두께로 형성할 수 있는 장점이 있다. 또한, high-k 물질을 절연막에 적용하면 높은 유전율로 인해 equivalent oxide thickness (EOT)를 줄일 수 있다. 특히, HfOx와 AlOx가 각각 trap layer와 blocking layer로 적용되면 program/erase 동작 속도를 증가시킬 수 있으며 넓은 밴드갭으로 인해 전하손실을 크게 줄일 수 있다. 따라서 본 연구에서는 ALD 방법으로 AlOx와 HfOx를 게이트 절연막으로 적용한 a-IGZO 기반의 thin-film transistor (TFT) 플래시 메모리 소자를 제작하여 메모리 특성을 평가하였다. 제작 방법으로는, p-Si 기판 위에 열성장을 통한 100 nm 두께의 SiO2를 형성한 뒤, 채널 형성을 위해 RF sputter를 이용하여 70 nm 두께의 a-IGZO를 증착하였다. 이후에 소스와 드레인 전극에는 150 nm 두께의 In-Sn-O (ITO)를 RF sputter를 이용하여 증착하였고, ALD 방법을 이용하여 tunnel layer에 AlOx 5 nm, trap layer에 HfOx 20 nm, blocking layer에 AlOx 30 nm를 증착하였다. 최종적으로, 상부 게이트 전극을 형성하기 위해 electron beam evaporator를 이용하여 platinum (Pt) 150 nm를 증착하였고, 계면 결함을 최소화하기 위해 퍼니스에서 질소 가스 분위기, $400^{\circ}C$, 30 분의 조건으로 열처리를 했다. 측정 결과, 103 번의 program/erase를 반복한 endurance와 104 초 동안의 retention 측정으로부터 큰 열화 없이 메모리 특성이 유지되는 것을 확인하였다. 결과적으로, high-k 물질과 산화물 반도체는 고성능과 고집적화가 요구되는 향후 플래시 메모리의 핵심적인 물질이 될 것으로 기대된다.