Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2016.02a
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pp.418.2-418.2
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2016
$Al_2O_3$ passivation layer has excellent passivation properties at p-type Si surface. This $Al_2O_3$ layer forms thin $SiO_2$ layer at the interface. There were some studies about inserting thermal oxidation process to replace naturally grown oxide during $Al_2O_3$ deposition. They showed improving passivation properties. However, thermal oxidation process has disadvantage of expensive equipment and difficult control of thin layer formation. Wet chemical oxidation has advantages of low cost and easy thin oxide formation. In this study, $Al_2O_3$/$SiO_2/Si(100)$ interface was formed by wet chemical oxidation and PA-ALD process. $SiO_2$ layer at Si wafer was formed by $HCl/H_2O_2$, $H_2SO_4/H_2O_2$ and $HNO_3$, respectively. 20nm $Al_2O_3$ layer on $SiO_2/Si$ was deposited by PA-ALD. This $Al_2O_3/SiO_2/Si(100)$ interface were characterized by capacitance-voltage characteristics and quasi-steady-state photoconductance decay method.
The stability and response time of $WO_3$ thin films for EC device are critical problems being solved. Those are affected by the species of electrolyte, preparation conditions and fabricating methods of specimen. In this paper, we compared the stabilities of three kinds of tungsten oxide film in electrolyte. Each of three films was prepared by different manufacturing conditions, that is, one is a thermal oxidation film of tungsten metal deposited on pure glass substrate, another is a $WO_3$ film made on ITO glass directly, the other is a thermally oxidized film on tungsten plate. It was observed that thermally oxidized $WO_3$ films has a remarkable stability (the lifetime was above $10^6$ cycle). From these results, we found that the stability was closely related to the stoichiometric bonding between tungsten and oxygen atoms in addition to crystallinity and density of film.
The rotating components in the hot sections of land-based gas turbine are exposed to severe environments during several tens thousand operation hours at above $1100^{\circ}C$ operation temperature. To protect such components from high temperature oxidation, an intermediate bond coat is applied, typical of a MCrAlY-type metal alloy. This study is concerned with the thermal cyclic behavior of thermal barrier coatings. The MCrAlY bond coatings are deposited by HVOF (High Velocity Oxygen Fuel) method on a nickel-based superalloy (GTD-111). Thermal cyclic tests at $1100^{\circ}C$ in ambient air for various periods of time were used to evaluate the thermal cyclic resistance of the TBC coating. The microstructure and morphology of as-sprayed and of thermal cycled coatings were characterized by scanning electron microscopy (SEM) equipped with energy dispersive spectroscopy (EDS) and X-ray diffraction (XRD).
Thermal treatment and ozone oxidation methods were examined to reuse waste activated sludge (WAS) produced from a livestock wastewater treatment plant. Analysis of WAS property was made to study usefulness of the recycled waste as fertilizer. From the results of quantitative analysis, WAS particles were found to be composed of 44.25 wt% carbon, 8.43 wt% nitrogen, and 1.35 wt% phosphorus. It was confirmed that the inactivation of pathogenic microorganism was required from the quantitative analysis of microbes. From the results of TSS, COD, SCOD, and pathogenic microorganism measurement, the optimal operating conditions of thermal treatment and ozone oxidation were determined to be 70, 10 min and $0.6L\;O_3/L\;solution{\cdot}min$, 60 min, respectively. The optimized thermal treatment and ozone oxidation represented the efficient pathogen inactivation and particle dissolution, respectively. However, the two methods examined were not themselves sufficient but they need to combine with another treatment for the effective reuse of wastes.
Anodic oxidation of aluminum has a sulfuric acid method and a oxalic acid method. Sulfuric acid concentration of the sulfuric acid method is 15~20 wt%. In the case of soft anodizing used in the $20{\sim}30^{\circ}C$ range, and voltage is the most used within a DC voltage 13~15V. In the case of hard anodizing used in the $0{\sim}-5^{\circ}C$ range. An aluminum oxide layer is made using sulfuric acid and oxalic acid. In this study, thermal fatigue of aluminum oxide layer which is made using sulfuric acid and oxalic acid is compared. Crack generating temperature of a sulfuric acid method and a oxalic acid method is $500^{\circ}C$ and $600^{\circ}C$. Thermal fatigue of aluminum oxide layer which is made using oxalic acid is better than thermal fatigue of aluminum oxide layer which is made using sulfuric acid. The characteristic of thermal fatigue can be explained by using thermal expansion coefficient of Al and Al2O3 and manufacturing temperature on Al anodizing. It was made possible through the convergent study to propose the manufacturing method of the anodic oxidation product used at a high temperature.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.18
no.2
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pp.169-173
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2005
Ni oxide thin films were formed through annealing treatment in the atmosphere after Ni thin films deposited by a r.f. magnetron sputtering method and then electric and material properties were analyzed for application to thermal sensors. Resistivity of Ni thin films decreased after annealing treatment at 30$0^{\circ}C$ and 40$0^{\circ}C$ for five hours due to crystallization of Ni thin films but the value increased over 45$0^{\circ}C$ because of Ni thin film's oxidation. Resistivity values of Ni thin films were in the range of 10.5 $\mu$Ωcm/$^{\circ}C$ to 2.84${\times}$10$^4$$\mu$Ωcm/$^{\circ}C$ according to the degree of Ni oxidation. Also temperature coefficient of resistance(TCR) values of Ni oxide thin films depended on the degree of Ni oxidation such as 2,188 ppm/$^{\circ}C$ to 5,630 ppm/$^{\circ}C$ in the temperature range of 0 $^{\circ}C$∼150 $^{\circ}C$. The results demonstrate that Ni oxide thin films of annealing treatment at 40$0^{\circ}C$ for 5hours could be more advantageous than pure Ni thin films and Pt thin films from a point of output properties and TCR, applied to thermal sensors.
Graphite is widely used in electronic industry due to its excellent electrical and thermal properties. However, graphite starts to oxidize around $400^{\circ}C$ that seriously degrades its properties. SiC coating can be applied to graphite foam to improve its high temperature oxidation resistance. In this research, SiC coating on graphite foam was made via preceramic polymer using a polyphenylcarbosilane. 20% of polyphenylcarbosilane in hexane solution was coated onto graphite by dip coating method. Thermal oxidation was carried out at $200^{\circ}C$ for crosslink of the preceramic polymer and the sample were pyrolysized at $800^{\circ}C{\sim}1200^{\circ}C$ under nitrogen to convert the preceramic polymer to SiC film. The microstructure of the SiC coating after pyrolysis was investigated using FESEM and oxidation resistance up to $800^{\circ}C$ was evaluated.
Journal of the Korean institute of surface engineering
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v.34
no.2
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pp.161-168
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2001
A Thermal Barrier Coating (TBC) can play an important role in protecting parts from harmful environments at high temperatures such as oxidation, corrosion, and wear in order to improve the efficiency of aircraft engines by lowering the surface temperature of the turbine blade. The TBC can increase the life span of the product and improve the operating properties. Therefore, in this study the mechanical and thermal properties of the TBC such as oxidation, fatigue and shock at high temperatures were evaluated. A samples of a bond coat (CoNiCrAlY) produced by the High Velocity Oxygen Fuel (HVOF) and Low Pressure Plasma Spray (LPPS) method were used. The thickness of the HVOF coating layer was approximately $450\mu\textrm{m}$ to 500$\mu\textrm{m}$ and the hardness number of the coating layer was between 350Hv and 400Hv. The thickness of the LPPS coating was about 350$\mu\textrm{m}$ to 400$\mu\textrm{m}$ and the hardness number of the coating was about 370Hv to 420Hv. The X-ray diffraction analysis showed that CoNiCrAlY coating layer of the HVOF and LPPS was composed of the $\beta$and ${\gamma}$phase. After the high temperature oxidation test, the oxide scale with about l0$\mu\textrm{m}$ to 20$\mu\textrm{m}$ thickness appeared at the coating surface on the Al-depleted zone was observed under the oxide scale layer.
Lee, Jin Hyok;Bae, Jong Woo;Choi, Myoung Chan;Yoon, Yoo-Mi;Park, Sung Han;Jo, Nam-Ju
Elastomers and Composites
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v.53
no.4
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pp.213-219
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2018
The degradation mechanism and physical properties of an FKM O-ring were observed with thermal aging in this experiment. From X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) analysis, we could observe carbon (285 eV), fluoro (688 eV), and oxygen (531 eV) peaks. Before thermal aging, the concentration of fluoro atoms was 51.23%, which decreased to 8.29% after thermal aging. The concentration of oxygen atoms increased from 3.16% to 20.39%. Under thermal aging, the FKM O-ring exhibited debonding of the fluoro-bond by oxidation. Analysis of the C1s, O1s, and F1s peaks revealed that the degradation reaction usually occurred at the C-F, C-F2, and C-F3 bonds, and generated a carboxyl group (-COOH) by oxidation. Due to the debonding reaction and decreasing mobility, the glass transition temperature of the FKM O-ring increased from $-15.91^{\circ}C$ to $-13.79^{\circ}C$. From the intermittent CSR test, the initial sealing force was 2,149.6 N, which decreased to 1,156.2 N after thermal aging. Thus, under thermal aging, the sealing force decreased to 46.2%, compared with its initial state. This phenomenon was caused by the debonding reaction and decreasing mobility of the FKM O-ring. The S-S curve exhibited a 50% increase in modulus, with break at a low strain and stress state. This was also attributed to the decreasing mobility due to thermal aging degradation.
Transactions of the Society of Information Storage Systems
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v.2
no.1
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pp.85-90
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2006
In this study, measurement of thermal conductivity of multilayer thin dielectric film has been conducted via differential $3\omega$ method. Also, verification of differential $3\omega$ method has been accomplished with various proposed criteria. The target film for the measurement is 300 nm thick silicon dioxide which is covered with upper protective layer of various thicknesses. The upper protective layer is inserted between the target film and the heater line for purpose of electrical insulator or anti-oxidation barrier since the target film may be a good electrical conductor or a well-oxidizing material. Since the verification of differential $3\omega$ method has not been conducted yet, we have shown that the measurement of thermal conductivity of thin films with upper protective layer via differential $3\omega$ method is verified to be reliable as long as the proposed preconditions of the samples are satisfied. Experimental results show that the experimental errors tend to increase with aspect ratio between thickness of the upper protective layer and width of the heater line due to heat spreading effect.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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