• Title/Summary/Keyword: Technology introduction

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물류창고의 이동랙 도입시 경제성 분석에 관한 연구 (Study on Economic Analysis for Introduction of Mobile Rack in Logistics Center)

  • 류형근;안영모;이재원
    • 한국항해항만학회:학술대회논문집
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    • 한국항해항만학회 2016년도 춘계학술대회
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    • pp.209-210
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    • 2016
  • 글로벌화가 진행됨에 따라 물류서비스에 대한 기대수준이 높아지면서 물류센터의 효율화를 도모하는 물류장비의 도입이 물류센터의 경쟁력을 좌우하는 핵심요인으로 부각되고 있는 상황이다. 물류센터에 도입이 필요한 대부분의 물류장비 고가의 수입제품에 의존하고 있어 국내 물류기업으로서 활용이 어려워 국내 독자기술의 개발이 요구되고 있다. 본 연구진은${\cdots}$(중략)${\cdots}$.

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연구개발 패러다임 변화와 원자력연구개발 전략 (The Changes of R&D Paradigm and the Nuclear R&D Strategy)

  • 정환삼;윤성원
    • 한국기술혁신학회:학술대회논문집
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    • 한국기술혁신학회 2002년도 춘계학술대회
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    • pp.199-207
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    • 2002
  • 이 논문에서는 연구개발 활동에 있어 지식경영의 도입 필요성과 방안에 대해 분석하였다. 연구개발 조직에서의 지식경영은 기술혁신을 달성하기 위한 가장 유효한 전략으로 평가되고 있는 수단이다. 본 연구에서는 분석의 객관성 유지를 위해 먼저 연구개발 패러다임 변화를 이해하고 이를 바탕으로 지식경영 도입의 성패요인을 분석하였다. 마지막으로 원자력 연구개발에 있어 지식경영의 도입을 위한 체제를 제안하고 각 분야의 역할을 할당하였다.

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4차 산업혁명 기술 도입을 위한 국방시설분야의 현황파악에 대한 연구 (A Study on the Present Status of Military Facilities for the Introduction of 4th Industrial Revolution Technology)

  • 임채연;박영준
    • 한국건축시공학회:학술대회논문집
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    • 한국건축시공학회 2020년도 봄 학술논문 발표대회
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    • pp.46-47
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    • 2020
  • Now a days, Lots of research about 4th industrial revolution are progressing. Attempt of technologies on construction engineering field, such as construction management by drone, building equipments based on the IoT technology and etc., are continuously tried by government and private enterprises. Meanwhile, the application of advanced technologies on the military facilities should be reviewed cautiously, because of the national defense environment such as military security. Therefore, this study aim to understanding of present status of military facilities for introduction of 4th industrial revolution technology. To achieve the aim of the study, question investigation targeting working groups for military facility management is conducted.

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Hydrogen Behaviors with different introduction methods in SiC-C Films

  • Huang, N.K.;Zou, P.;Liu, J.R.;Zhang, L.
    • 한국진공학회지
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    • 제12권S1호
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    • pp.1-6
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    • 2003
  • SiC-C films were deposited with r. f. magnetron sputtering on substrates followed by argon ion bombardment. These films were then permeated by hydrogen gas under the pressure of $3.23\times10^{7}$ Pa for 3 hours at temperature of 500K or bombarded with hydrogen ion beam at 5 keV and a dose of $1\times10^{18}$ ions/$\textrm{cm}^2$. SIMS, AES and XPS were used to analyze hydrogen related species, chemical bonding states of C, Si as well as contamination oxygen due to hydrogen participation in the SiC-C films in order to study the different behaviors of hydrogen in carbon-carbide films due to different hydrogen introduction. Related mechanism about the effects of hydrogen on the element of the SiC-C films was discussed in this paper.