In wafer level molding progress, the thermal releasing failure phenomenon is shown up as the important problem. This phenomenon can cause the problem including the warpage, crack of the molded wafer. The thermal releasing failure is due to the insufficiency of adhesion strength degradation of the molding tape. To solve this problem, we studied experimental method increasing the release property of the molding tape through the plasma surface treatment on the wafer substrate. In this research, the vacuum plasma treatment system is used for release property improvement of the molding tape and controls the operating condition of the hydrophilic($O_2$, 100kW, 10min) and hydrophobic($C_2F_6$, 200kW, 10min). In order to perform the peeling test for measuring the releasing force precisely, we remodel the micro scale material property evaluation system developed by Korea institute of industrial technology. In case of hydrophilic surface treatment on the wafer substrate, we can figure out the releasing property of molding tape increase. In order to grasp the effect that it reaches to the release property increase when repeating the hydrophilic treatment, we make an experiment with twice treatment and get the result to increase about 12%. We find out the hydrophilic surface treatment method using plasma can improve releasing property of molding tape in the wafer level molding process.
현재까지 강력 사건에서 범인들은 칼을 흉기로 가장 많이 사용하였으며 범죄 현장에 범인이 직접 종이와 테이프로 제작한 간이 칼집이 남아있는 경우가 있다. 다공성 표면에 테이프가 붙어있는 검체는 지문을 현출하기 어려우므로 간이 칼집과 같은 증거물이 발견되었을 때 각 표면에서 지문을 현출하는 적절한 기법과 지문의 분포 위치를 확인하는 실험이 필요하다. 본 연구는 이를 확인하기 위해 간이 칼집 50개를 만들어 테이프 비접착면에 cyanoacrylate fuming (CA fuming)을 사용하여 지문을 현출하고 이중목적 1,2-indanedione/Zn (1,2-IND/Zn) 시약으로 종이와 테이프를 박리함과 동시에 종이에 있는 지문을 현출하였다. 테이프 접착면은 Wet Powder Black®을 사용하여 지문을 현출하였다. R program을 이용하여 heatmap으로 각 표면에서 지문이 현출된 위치를 표시한 결과, 테이프 접착면의 중간 부분보다 양끝에 지문이 많이 분포되어 있는 것을 확인할 수 있었으며 비접착면과 종이는 뚜렷한 분포 패턴이 나타나는 것은 아니나 개인식별에 이용할 수 있을 정도의 선명도를 가진 지문이 다수 현출된 것을 확인하였다. 범죄 현장에서 간이 칼집이 발견되었을 때 이러한 연구 결과를 참고하여 증거물을 처리할 수 있을 것이다.
이차전지온도퓨즈시스템에 In-Bi-Sn계 저온가용합금 박판이 사용되고 있다. 본 연구에서는 온도퓨즈시스템에 사용될 수 있는 적절한 조성을 갖는 In-Bi-Sn계 합금을 용융하고 테이프캐스팅공정에 의하여 박판으로 제조하여 온도퓨즈용 저온가용합금 박판소재로 활용하는 가능성을 조사하였다. In-Bi-Sn계 용융합금은 기존의 박판제조공정보다 단순하고 생산성이 향상된 테이프캐스팅공정을 사용하여 박판화가 가능하다. 테이프캐스팅공정을 사용하여 얻은 62.5 wt%-In 20.0 wt%-Bi 17.5 wt%-Sn(융점 $92.4^{\circ}C$) 합금박판으로 휴대폰용 온도퓨즈시스템을 구성하여 $95^{\circ}C$에서 용락되는 기능이 나타남을 확인하였다. 이러한 공정은 폐In-Bi-Sn계 합금스크랩 처리에도 적용하여 합금조성과 박판두께를 적절히 조정하면 온도퓨즈시스템 가용합금 박판소재로 재활용할 수 있을 것으로 기대된다.
본 연구는 영상처리에 의한 문자인식에 관한 연구로써 기존의 AGV(Automated Guided Vehicle)가 가이드라인으로 사용하는 마그넷테이프나 전기와이어 등을 사용하지 않고 칼라테이프를 가이드라인으로 사용하였다. AGV는 주어진 경로를 따라 주행하는 것과 목적지를 판별할 수 있는 마크나 숫자 등 표식을 인식하여 정지 동작을 하는 것이 중요하다. 본 논문에서는 AGV가 정지할 때 사용되는 마크는 자동차 번호판과 같은 폰트, 같은 크기의 청색숫자를 사용하였다 복도 환경에서 황색 주행라인과 청색의 숫자 마크를 설치하고 Color 특성만을 추출하여 라인을 탐색하여 주행하면서 DP패턴 매칭으로 숫자를 100% 인식하여 일시적으로 정지하는 영상처리 기법과 AGV주행결과를 제시하였다.
멀티미디어 데이터 서비스 응용에서는 멀티미디어 데이터를 구성하는 LOB(unstructured large object)을 다량 저장하고 다룰 수 있어야 한다. 따라서, 대용량 데이터의 효율적 저장 및 처리를 지원하는 DBMS의 저장장치로 기존의 디스크뿐만 아니라 복수 개의 플래터(광 디스크 쥬크 박스의 경우 디스크, 테이프의 경우 카트리지 테이프)로 구성된 광 디스크 쥬크 박스 또는 테이프 라이브러리와 같은 3차 저장장치가 중요하게 고려되고 있다. 3차 저장장치는 데이터 접근 시 발생하는 지연 시간이 매우 크기 때문에 3차 저장장치에 저장된 LOB에 대한 효율적인 검색 기법에 관한 연구가 필요하다. 본 논문에서는 LOB의 주 저장소로서 3차 저장장치를 활용할 경우, 3차 저장장치로부터 LOB을 효율적으로 검색하기 위한 입출력 스케줄링에 대해 연구하였다. 3차 저장장치의 성능 특성과 LOB 데이터의 특성을 고려하여 3차 저장장치로부터 LOB을 검색하는 질의 처리에 있어 발생하는 지연 시간을 줄일 수 있는 여러 가지 입출력 스케줄링 휴리스틱을 제시하고 이들의 성능을 시뮬레이션을 통하여 평가하였다.
건축자재에서 방출되는 오염물질을 평가하는 20 L 시험챔버법은 챔버 내부에 노출되는 시료의 표면방출만을 측정한다. 일정한 크기로 절단한 시편을 알루미늄 호일로 감싼 후 시편홀더에 고정시켜 20 L 시험챔버 내에 위치시킨 후 방출시험을 실시한다. 이때 시편홀더의 기밀성이 보장되지 못한다면 시료절단면에서 방출되는 오염물질로 인하여 정확한 평가가 이루어질 수 없다. 이러한 절단면의 영향은 표면처리를 하여 표면에서 보다 절단면에서 더 많은 오염물질이 방출되는 판상재(합판, 장판) 시료의 경우 더 크다. 이 연구에서는 바닥재로 사용되는 장판을 대상으로 20 L 시험챔버와 1 L 시험챔버의 방출시험결과를 비교하여 시편홀더의 기밀성을 확인하였다. 또한 가구재로 사용되는 LPM 양면처리한 MDF를 대상으로 현행의 시험방법과 시료절단면을 VOC 저방출 tape으로 밀봉한 방법을 비교하여 시편홀더의 부족한 기밀성의 개선이 가능하지 확인하였다. LPM 양면처리한 MDF의 7일 경과 후 방출강도는 TVOC의 경우 Tape 사용 유무에 따라 각각 $0.009mg/m^2h$, $0.003mg/m^2h$로 기밀성을 보완할 수 있었다. 또한 n=3에서 상대표준편차가 현행의 방법은 $0.004mg/m^2h$, tape을 사용했을 경우 $0.002mg/m^2h$로 현행 방법의 시험편홀더 기밀성 부족으로 인한 절단면의 불균일한 영향을 VOC 저방출테이프 사용으로 배제할 수 있었다.
화단용 국화에 적합한 식생매트를 개발하기 위하여 coir tape를 이용한 6가지 처리조건의 매트에 Dendranthema grandiflorum 'White Miri'를 삽목한 결과, 매트 두께가 15 mm인 무토양 C처리구에서는 대부분의 삽수가 고사하였으나 동일한 두께의 매트에 직경 3 mm의 구멍을 뚫어 토양을 충전한 D처리구와 10 mm 두께의 매트 사이에 20 mm 두께의 상토가 들어있는 F처리구에서 생육이 가장 양호하였다. 생존율은 각각 식생매트 두께가 10과 15mm인 무토양 처리구인 A와 C처리구에서 가장 저조한 56.3과 20% 결과를 나타낸 반면, D와 F처리구에서 각각 100과 90%의 높은 생존율을 나타냈다. 초장도 처리구별 결과가 생존율의 그것과 비슷하게 A와 C처리구에서 가장 낮은 값인 7.97과 7.15 cm를 나타냈고 D와 F처리구에서 각각 9.74와 9.80 cm의 높은 값을 나타냈다. 이와 같은 결과를 바탕으로 실제로 화단조성에 국화매트를 적용할 경우에 F처리구보다 상대적으로 토양의 양이 적게 들어가고 부정근 유도에 최소한의 토양을 요구하는 D처리구가 매트의 제작 및 이동의 편의성을 위해서는 실용적일 것으로 여겨진다.
TiN 기판상에 CVD와 무전해 도금을 이용하여 구리막을 성장시킬 때 여러 가지 전처리에 따른 증착 양상의 변화에 관하여 조사하였다. Cu(hfac)2를 선재(precursor)로 사용하여 CVD 증착을 실시할 때 각 전처리에 따른 TiN상의 구리막의 덮힘성(coverage)향상은 Pd-HF 활성화 처리>>HF dip> RF remote plasma의 순이었다. 특히 Pd-HF 활성화 처리를 해줄 경우 거의 완전한 연속막을 얻을수 있었으며 scotch tape peel test 결과 매우 양호한 부착특성을 보였으나, 이에 비해 전처리를 해주지 않은 경우에는 오랜 시간이 경과되어도 연속막으로 성장하지 못하고 섬모양의 큰 결정립을 이룰 뿐이었다. 이러한 차이는 Pd-HF 활성화 처리에 의해 표면에 미세하게 형성된 Pd층이 구리의 핵생성과 부착특성을 크게 향상시켰기 때문인 것으로 사료되며 이러한 효과는 무전해 도금의 경우에도 마찬가지였다. 그리고 기판과 증착온도에 따른 선택성을 보면 35$0^{\circ}C$이하에서는 pd-HF 활성화 처리에 의해서 SiO2에 대하여 TiN으로의 선택성을 가지나 그 이상의 온도에서는 선택성이 상실되었다.
실란 커플링제 종류에 따른 $SrTiO_3$/유기물 복합재료의 유전특성에 미치는 영향을 조사하여 비교하였다. 실란 커플링제는 amino계, epoxy계, methacryloxy계, acryloxy계, vinyl계를 사용하였으며, tape casting 방법으로 제작한 복합체 필름을 vacuum lamination 공정을 통하여 기판을 만들어 유전특성을 측정하였다. 실란 괴플링제의 종류에 따라 유전특성은 상이한 결과를 나타냈으며, acryloxy계를 제외한 다른 커플링제를 처리한 복합재료는 유전상수와 유전손실이 감소하는 경향을 확인할 수 있었다. Acryloxy계 커플링제를 처리한 복합재료는 커플링제가 처리되지 않은 복합재료와 비교하여 유전상수가 6%정도 증가하였며, 유전손실은 25%정도 감소하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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