• 한국전자파학회논문지
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• 제21권2호
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• pp.170-178
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• 2010

논문에서는 전원부에서 노이즈가 발생되어 신호선에 노이즈가 유기될 때, 유전체의 손실 특성이 노이즈에 미치는 영향에 관해서 연구를 하였다. 이를 분석하기 위해 Full-wave 시뮬레이터인 Ansoft사의 HFSS(High Frequency Structure Simulation)와 CST사의 MWS(MicroWave Studio)의 계산 결과와 측정 결과를 비교하여 신뢰성을 확보하였고, 실제 사용되고 있는 4가지의 상용 기판에 대한 유기되는 노이즈를 해석하였다. 또한, TLM(Transmission Line Method)를 이용해서 전원면의 회로 모델 구성 시 기판의 유전체 손실을 반영할 수 있는 Debye 모델을 적용하여 주파수에 대한 임피던스를 분석할 수 있는 모델을 적용 측정 결과와 3 GHz까지 일치하는 모델을 얻었다.

• 한국광학회지
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• 제18권2호
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• pp.155-161
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• 2007

본 논문에서는 GaN/InGaN 다중양자우물(MQW)의 청색 발광 다이오드(LED)에서의 3차원적인 전류 및 2차원적인 광 분포를 보여 주기 위해 새롭고 간단한 3차원 회로 모델링과 해석이 처음으로 제안되었으며 이를 실험적으로 검증하였다. LED의 회로 파라미터들은 금속 및 에피 박막의 저항과 다이오드만으로 이루어져 있으며 각각의 파라미터는 전송선 모델(TLM) 및 전압-전류의 특성으로부터 얻을 수 있다. 제안된 방법과 회로 파라미터를 상부로 발광하는(top-surface emitting) LED에 적용하여 금속 및 에피 박막의 각 저항 변화에 따라 활성층을 지나가는 전류 분포의 효과를 정량적으로 해석하였다. 그리고 제작된 청색 LED 소자의 발광 분포는 p-전극 주위에서 어두운 발광 분포를 보이는 해석 결과와 유사한 경향을 보여주었다.

• 한국진공학회지
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• 제20권5호
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• pp.339-344
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• 2011

C-plane 사파이어 기판 위에 펄스 레이저 증착법으로 증착시킨 n-type ZnO 박막에 대한 Ti/Au 금속의 Ohmic 접합특성을 TLM (transfer length method) 패턴 전극을 통하여 연구하였다. 여기서, Ti와 Au 금속박막은 전자빔 증착기와 열 증착기로 각각 35 nm와 90 nm 두께로 증착하였으며, TLM패턴은 광 리소그래피 법으로 면적이 $100{\times}100{\mu}m^2$인 전극패턴을 6~61 ${\mu}m$ 간격으로 형성하였다. Ti/Au 금속박막과 ZnO 반도체 사이의 전기적인 성질을 개선하고 응력과 계면 결함을 감소시키기 위해, 산소 가스 분위기로 $100{\sim}500^{\circ}C$ 온도에서 각각 1분간 급속열처리를 하였다. $300^{\circ}C$의 온도에서 열처리한 시료에서 $1.1{\times}10^{-4}{\Omega}{\cdot}cm^2$의 가장 낮은 비저항 값을 보였는데, 이것은 열처리 동안 티타늄 산화막 형성과정에서 ZnO 박막 표면 근처에 산소빈자리가 형성됨으로써 나타나는 전자농도의 증가가 주된 원인으로 고려되었다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2009년도 하계학술대회 논문집
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• pp.5-6
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• 2009

In this paper, plasma ion implant is performed with $PH_3$ gas diluted by helium gas on P-type Si wafer (100). Spike Rapid Thermal Processing(RTP) annealing performed for 30~60 sec from $800\;^{\circ}C$ to $1000\;^{\circ}C$ in $N_2+O_2$ ambient. Crystalline defect is analyzed by Transmission Electron Microscope(TEM) and Double crystal X-ray Diffraction(DXRD). Contact resistivity($\rho c$), contact resistance(Rc) and sheet resistance(Rs) are analyzed by measuring Transfer Length Method(TLM) using 4155C analysis. As annealing temperature increase, Rs decrease and ${\rho}c$ and Rc increase at temperature higher than $850\;^{\circ}C$. We achieve low Rs, ${\rho}c$ and Rc with Plasma ion implant and spike RTP.

• 한국응용과학기술학회지
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• 제20권3호
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• pp.204-211
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• 2003

Poly(oxypropylene-oxyethylene glycol) block copolymer(PBC) oil dispersant, which has low toxicity, high biodegradability, and an excellent dispersion efficiency to crude oils and weathered W/O emulsion was prepared by blending PBC, poly(oxyethylene) oleate, and sorbitan monooleate. The dispersing efficiency was measured by swirling flask method. The PBC oil dispersant had an excellent dispersing efficiency to weathered oil products formed as stable W/O emulsion, and the low toxicity, such as 4000 ppm to Oryzias Latipes(24 hr, TLM), Brine Shrimp Artemia(24 hr, TLM).

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2008년도 하계종합학술대회
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• pp.1201-1202
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• 2008

In this paper, using symmetrical condensed node(SCN), the TLM numerical technique has been successfully applied to microstrip meander line. A detailed technique of the symmetrical condensed node(SCN) may be used to model planar microstrip transmission line is presented. Also, the S-parameters $S_{11}$ and $S_{21}$ of microstrip meander line have been computed. From obtained results, TLM analysis is shown to be an efficient method for modeling complicated structure of planar microstrip transmission line.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.314.1-314.1
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• 2014

The properties of Ni/Au Ohmic contacts formed on nonpolar a-plane GaN grown on r-plane sapphire substrate with different tilt angles are investigated using current-voltage (I-V) measurements. To investigate the effects of pattern direction and size on Ohmic contact properties of a-plane GaN, transmission line method (TLM) patterns are formed either along c-axis and m-axis on nonpolar GaN surface with different size. I-V measurement results show that the size of TLM pattern and formation direction of electrode have an effect on the electrical properties of a-plane GaN. The large sized patterns show the relatively lower sheet resistance compared to the small sized patterns. In addition, the sheet resistance of a-plane GaN along m-axis shows lower values than that along the c-axis. Finally, the effects of miscut angle of r-sapphire substrate ($0.2^{\circ}$, 0.4oand $0.6^{\circ}$) on electrical properties of a-plane GaN will be discussed.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1998년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.313-316
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• 1998

Conjugated oligomers have been already used as active layers in field effect transistors, photodiodes and electroluminescent devices. Particularly thiophene oligomers such $\alpha$ -sexithiophene($\alpha$-6T) attract great interest for its prospective app1ications in large-area flexible displays. In this study, we investigated the contact properties between the organic semiconductor $\alpha$-6T and metals such as Au(Gold), Ag(Silver), Cr(Chromium), Al(Aluminum), Cr(Chromium). Using the Transmission Line Model(TLM) method, specific contact resistances of the metal lines in contact with the $\alpha$-6T were determined. From the current-voltage characteristics, electrical conductivity of the $\alpha$-6T films is found.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제18권11호
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• pp.2703-2708
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• 2014

전형적인 버스 시스템 구조는 공용버스 내에 여러 개의 마스터와 슬레이브, 아비터 그리고 디코더 등으로 구성되어 있다. 복수의 마스터가 동시간대에 버스를 이용할 수 없으므로, 아비터는 이를 중재하는 역할을 수행한다. 아비터가 어떠한 중재방식을 선택하는가에 따라 버스 사용의 효율성이 결정된다. 기존의 중재 방식에는 Fixed Priority 방식, Round-Robin 방식, TDMA 방식, Lottery 방식 등이 연구되고 있는데, 버스 전송량, 대기사이클 그리고 우선순위가 주로 고려되어 있다. 본 논문에서는 대기사이클을 고려하는 버스중재 방식을 제안하고, TLM(Transaction Level Model)을 통해 다른 중재 방식과 비교하여 버스 전송량과 대기 사이클을 검증하였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2016년도 제50회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.265.1-265.1
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• 2016

여러 application에 적용하기 위하여 p-type SnO 박막과 전극 간의 접촉 저항을 분석이 필요하였다. 이를 Transmission Line Method(TLM) 패턴 소자를 제작한 후 전기적 특성을 분석함으로써 알 수 있었다. $Si/SiO_2$ 기판에 Reactive Magnetron Sputtering법을 이용하여 c축 우선 배향된 SnO를 100nm 증착하고 photolithography 공정을 통해 전극을 패턴화하여 100nm 두께로 증착하였다. 전극 간 거리는 1, 2, 4, 8, 16, 32, 64, 128, 256, 512, $1024{\mu}m$로 각각 2배씩 증가하는 패턴이고 폭 W는 $300{\mu}m$ 이다. p-type SnO 의 경우, work function이 4.8eV이기 때문에 전극과 ohmic contact이 되기 위해서는 4.8eV보다 높은 work function 값을 가지는 전극이 필요하였다. 이 조건과 맞는 후보로 Ni(5.15eV), ITO(5.3eV)를 설정한 후 소자를 제작하였다. 제작된 소자는 열처리 하지 않은 소자와 Rapid Thermal Annealing(RTA) 장비에서 $100^{\circ}C$, $200^{\circ}C$, $300^{\circ}C$에서 각각 1분씩 열처리한 소자의 특성을 분석하였다. 열처리 하지 않은 소자의 경우 Ni 전극의 specific contact resistance는 $3.42E-2{\Omega}$의 값을 나타내었고, ITO의 경우 $3.62E-2{\Omega}$값을 나타내었다.