• 전자공학회논문지 IE
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• 제45권2호
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• pp.13-19
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• 2008

TLM 수치 해석법의 주요한 장점은 가장 복잡한 전송선 구조에 있어서도 해석이 용이하다는 것이다. 본 논문에서는 대칭압축노드를 이용한 TLM법을 마이크로스트립 meander 라인에 성공적으로 적용하였다. 플라나 마이크로스트립 전송선을 모델화하기 위한 대칭압축노드에 대한 상세한 기술이 제시되었고 또한 2종류의 마이크로스트립 meander 라인의 산란 파라메터 $S_{11}$과 $S_{21}$을 계산하였다. 구해진 결과로부터 TLM 해석법이 복잡한 플라나 마이크로웨이브 전송선 구조를 모델링하는데 유용한 해석법임을 보였다. 제시된 TLM 해석 결과는 고주파 영역에서 마이크로웨이브 집적 회로를 설계하는데 유용하게 사용될 수 있다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제15권6호
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• pp.1221-1226
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• 2011

위성 TV 시스템, 전파 망원경, 측지 시스템 등에 응용 가능한 Soret 타입 프레넬 존 플레이트 렌즈 안테나의 수신이득 특성을 해석하기 위하여 TLM법으로 계산을 수행하였다. TLM법에 의한 계산결과를 확인하기 위하여 키르히호프 및 PO법에 의한 광학 해와 비교하였다. 계산 결과, 12 GHz대의 FZPL의 중심축 상에서의 수신 특성은 설계 초점거리와 비교하여 짧게 형성되는 것을 확인하였으며, 이는 수신기의 위치가 적절히 조정되어야 하는 것을 의미한다.

• 한국컴퓨터정보학회논문지
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• 제8권2호
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• pp.88-96
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• 2003

마이크로스트립 라인은 마이크로웨이브와 밀리미터웨이브 집적회로에 있어서 가장 필수적인 소자 중의 하나이다. 그동안 여러 가지 주파수 영역 해석법에 의해 이러한 마이크로스트립 라인의 주파수 종속특성이 해석되었다. 하지만 본 논문에서 제시된 3차원 TLM법은 마이크로스트립 라인의 주파수 영역 해를 얻기 위한 또 다른 독립적인 해석법이다. 이러한 TLM 알고리즘을 이용하여 해석된 구조는 스텝 불연속 마이크로스트립 라인이며 대칭압축노드가 사용되었다. 수치해석 과정을 거쳐 시간 영역 데이터를 퓨리어 변환함으로써 스텝 불연속 마이크로스트립 라인의 주파수 종속 산란 파라메터가 계산되었다. 시간 영역 TLM 해석 결과로부터 이와 같은 수치해석법이 스텝 불연속 마이크로스트립 라인과 같이 복잡한 구조를 모델링하는데 있어 효율적인 방법임을 보였다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2011년도 춘계학술대회
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• pp.55-57
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• 2011

위성 TV 시스템, 전파 망원경, 측지 시스템 등에 응용 가능한 프레넬 존 플레이트 렌즈 안테나의 수신 이득 특성을 해석하기 위하여 TLM법으로 계산을 수행하였다. TLM법에 의한 계산결과를 확인하기 위하여 키르히호프 및 PO법에 의한 광학 해와 비교하였다. 계산 결과, 12 GHz대의 FZPL의 중심축 상에서의 수신 특성은 설계 초점거리에 비하여 약 25% 전방에서 형성되는 것을 알 수 있었다.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2007년도 하계종합학술대회 논문집
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• pp.477-478
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• 2007

The SCN-TLM method presented in this paper is another independent approaches for obtaining frequency domain results for microstrip line. The structure analysed with this TLM algorithm is step discontinuity microstrip line and the symmetrical condensed node is used. After numerical analysis, the frequency dependent scattering parameters of a step discontinuity microstrip line have been calculated by Fourier transform of the time domain data. From the time domain TLM numerical results, this numerical analysis is shown to be an efficient method for modelling complicated structure as step discontinuity microstrip line.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1999년도 하계학술대회 논문집 A
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• pp.70-72
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• 1999

일반적으로 비선형 정자계 문제를 해석하기 위해서 뉴튼-�N슨(Newton -Raphson : NR)법이 이용된다. 하지만 뉴튼-�N슨법의 경우 각 반복계산 때마다 새로운 선형 시스템의 해를 구하기 위해서 LU-decomposition과 같은 과정을 매 반복계산 때마다 시행해야 하므로 절점(node)의 수가 증가할 경우 계산시간이 증가한다는 단점이 있다. 이러한 단점을 보완하기 위해서 최근 TLM (Transmission Line Modeling)법이 새로운 반복계산법으로 비선형 유한 요소 해석에 적용되었으며 뉴튼-�N슨법에 비해 훨씬 우수한 특성을 보여주었다. 하지만 지금까지의 TLM법은 2차원의 정식화만 이루어졌고 3차원에는 적용되지 못한 것이 사실이다. 본 논문에서는 3차원의 비선형 정자계 문제에 TLM법을 적용할 수 있는 수식을 최초로 제안하며 3차원 코어(core)모델에 대해 TLM법을 적용하여 그 타당성을 검증하기로 한다. 또한 3차원 비선형 TLM법을 이용한 해석 결과가 뉴튼-�N슨법에 의한 결과와 완전히 일치하며 수렴 속도에 있어서도 훨씬 향상된 결과를 나타냄을 보이도록 하겠다.

• 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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• 한국신재생에너지학회 2010년도 추계학술대회 초록집
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• pp.50.2-50.2
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• 2010

Indium Tin Oxide (ITO)는 투과도가 높고, 전기 전도도가 뛰어나 TFT, 태양전지 등 여러 가지 산업에서 전극의 재료로 널리 사용되고 있다. 전극의 재료로써 가장 중요하게 고려되어야 할 사항 중의 하나는 전극과 접촉하는 물질과의 접촉 저항이다. 특히, 태양전지에서 높은 접촉 저항은 셀을 직렬저항 요소를 증가시켜 태양전지의 효율 저하를 가져 온다. 본 연구에서는 ITO를 실리콘 태양전지에 적용하기 위하여, ITO - n-type emitter간, ITO - Ag 간의 접촉 특성을 Transfer Length Method(TLM)을 통하여 분석하였다. p-type 실리콘의 전면을 도핑하여 pn접합을 형성한 후, 그 위에 ITO 패턴을 형성하여 ITO-emitter 간의 접촉 특성을 측정하였고, 두껍게 증착한 SiNx 박막 전면에 ITO를 증착한 후, Ag 패턴을 형성하여 ITO-Ag간의 접촉 특성을 측정 하였다. 측정 결과, ITO와 emitter 간의 접촉 비저항은 $0.9{\Omega}-cm^2 $을 나타내었고, ITO와 Ag와의 접촉 비저항은 $0.096{\Omega}-cm^2 $을 나타내었다.

• 대한전기학회논문지:전기기기및에너지변환시스템부문B
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• 제48권10호
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• pp.523-529
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• 1999

In the case of the large power transformer, the grain-oriented material is usually used. So, to obtain more accurate results, anisotropy and non-linearity of the material must be considered. The Newton-Raphson(NR) method is generally used for analyzing these non-linear properties, but it consumes so much time, especially when the number of nodes is large or the shape of the model is complex. The transmission line modeling (TLM) method is successfully adopted to the analysis of non-linear properties with FEM, but it has not been adopted to the analysis of the anisotropic material. In this paper, the formulation of the TLM method considering anisotropy is developed and the adoption to the 3-phase transformer is presented.

• 전자공학회논문지T
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• 제36T권2호
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• pp.63-69
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• 1999

이전에 여러가지 주파수영역 해석법에 의해 핀라인의 주파수 종속 특성이 해석되었다. 그러나 본 논문에서 제시된 시간영역 TLM법은 핀라인의 주파수영역 해를 얻기 위한 또 다른 독립된 해석법이다. 이와 같은 알고리즘을 이용하여 해석된 구조는 WR-62 도파관에 내재된 단방향 핀라인이며 Huygen의 산란 모델 특성에 근거한 대칭압축노드가 사용되었다. TLM 결과로부터 시간영역 데이타를 퓨리어 변환함에 의해 단방향 핀라인의 주파수 종속 산란 파라메터가 계산되었다. 수치해석 결과는 다른 논문과 잘 일치하며 따라서 제안된 방법의 타당성과 유용성을 입증하였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2010년도 하계학술대회 논문집
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• pp.349-349
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• 2010

Great performance of many semiconductor devices requirs the use of low-resistance ohmic contact. Typically, transmission line method (TLM) patterns are used to measure the specific contact resistance between silicon and metal. In this works, we investigate contact resistance for metal dependent (Cr/Ag, Ni) using TLM pattern based on silicon-on-insulator (SOI) wafer. The electrode with Ni linearly increases contact resistance as the pattern distance increase from $15{\mu}m$ to $75{\mu}m$ in accumulation part, but non-linearly increase in inversion part. In additional, the electrode with Cr/Ag linearly increases contact resistance as the pattern distance increase from $15{\mu}m$ to $75{\mu}m$ in inversion part, but non-linearly increase in accumulation part.