• 센서학회지
• /
• 제15권6호
• /
• pp.379-385
• /
• 2006

Single crystal of p-$CdIn_{2}Te_{4}$ was grown in a three-stage vertical electric furnace by using Bridgman method. The quality of the grown crystal has been investigated by x-ray diffraction and photoluminescence measurements. From the photoluminescence spectra of the as-grown $CdIn_{2}Te_{4}$ crystal and the various heat-treated crystals, the ($D^{o}$, X) emission was found to be the dominant intensity in the photoluminescence spectrum of the $CdIn_{2}Te_{4}$:Cd, while the ($A^{o}$, X) emission completely disappeared in the $CdIn_{2}Te_{4}$:Cd. However, the ($A^{o}$, X) emission in the photoluminescence spectrum of the $CdIn_{2}Te_{4}$:Te was the dominant intensity like in the as-grown $CdIn_{2}Te_{4}$ crystal. These results indicated that the ($D^{o}$, X) is associated with $V_{Te}$ which acted as donor and that the ($A^{o}$, X) emission is related to $V_{Cd}$ which acted as acceptor, respectively. The p-$CdIn_{2}Te_{4}$ crystal was obviously found to be converted into n-type after annealing in Cd atmosphere. The origin of ($D^{o},{\;}A^{o}$) emission and its to phonon replicas is related to the interaction between donors such as $V_{Te}$ or $Cd_{int}$, and acceptors such as $V_{Cd}$ or $Te_{int}$. Also, the In in the $CdIn_{2}Te_{4}$ was confirmed not to form the native defects because it existed in a stable bonding form.

• 대한화학회지
• /
• 제61권4호
• /
• pp.185-190
• /
• 2017

One-dimensional CdTe nanorods (NRs) are obtained by the reaction of various Cd precursors with single crystalline Te nanorod templates, which are pre-synthesized from Te precursors by a simple and reproducible solvothermal method. Throughout the process, the diffraction intensity of different crystal facets of single crystalline Te NRs varied with reaction times. Finally, by alloying Cd ions along the axial direction of Te NRs, polycrystalline cubic phase CdTe NRs with diameters of 80-150 nm and length up to $1.2-2.4{\mu}m$ are obtained. The nucleation and growth processes of Te and CdTe NRs are discussed in details, and their properties are characterized by XRD, SEM, TEM, Raman scattering, and UV-vis absorption spectra. It was found that the key elements of synthesizing CdTe NRs such as reaction temperatures and Cd sources will strongly influence the final shape of CdTe NRs.

• 한국재료학회지
• /
• 제5권2호
• /
• pp.251-258
• /
• 1995

$Bi_{2}Te_{3}$와 PbTe의 혼합물에서 $Bi_{2}Te_{3}-PbBi_{4}Te_{7}$의 공정조직이 형성됨을 이용, 제2상의 미세조직 제어로 열전도도의 감소에 따른 성능지수 향상을 목적하여 여러 조건에서 제조된 n-type(Bi, Pb)-Te계 공정조성 일방향 응고재의 열전특성을 조사하였다. 일방향응고시 공정상 PbBi_{4}Te_{7}$이 $Bi_{2}Te_{3}$의 벽개면(0001)을 따라 lamellar 형태로 성장하였으며, 성장속도가 1.4 \times 10^{-4}$cm/sec에서 $8.3 \times 10^{-4}$cm/sec로 증가됨에 따라 4PbBi_[4]Te_{7}$의 상간격은 10.4 $\mu \textrm{m}$에서 3.2$\mu \textrm{m}$로 감소되었다. Seeback계수는 성장방향 및 성장속도와 온도구배에는 관계없이 약 $\mid$$\alpha$$\mid$=29 $\mu$ V/K일정하였다. 전기전도도는 성장속도에 따라 약간 감소하는 경향을 보였고 성장방향에 평행한 경우가 수직한 경우보다 약 3배 정도 컸다. 성능지수는 성장방향과 성장속도 및 온도구배에 따라 약간씩 변화를 보였다. 수직한 경우가 평행한 경우에 비해 상대적으로 증가하는 경향을 나타내었는데 이는 lamellar 간격이 줄어듦에 따른 열전도도의 감속에서 비롯된 것으로 분석되었다.

• 한국결정성장학회지
• /
• 제9권1호
• /
• pp.89-93
• /
• 1999

나노 구조를 갖는 다공질 규소의 표면과 투명하고 전도성을 갖는 접촉방법을 얻기 위해 다공질 규소 표면에 CdTe 화합물 박막을 전착시키는 방법을 시도하였다. CdTe 화합물 박막은 1 M의 $CdSO_4$와 1mM의 $TeO_4$가 혼합된 전해액 속에서 전착 전위 2-2.3V(vs. Ag/AgCl)로 다공질규소의 표면에 전착시켰다. X선 회절 측정결과 다공질규소 표면에 CdTe 화합물 박막이 생성되었음이 확인되었고, AES 분석결과 표면에서 약 80nm 깊이까지 Cd 및 Te 원소가 균일하게 존재하였다. 그리고 CdTe 화합물 박막이 전착된 다공질규소의 PL 특성은 발광의 세기는 약간 검소하였고 최대파장값은 고에너지 쪽으로 이동하였다. 이 결과로 보아 CdTe 전착 박막이 나노 구조를 갖는 다공질규소와 투명하고 전도성을 갖는 접촉물질로 이용될 수 있음이 밝혀졌다.

• 한국결정성장학회지
• /
• 제5권2호
• /
• pp.189-196
• /
• 1995

중성자 회절에 의해 고순도 $TeO_2$ 유리의 단범위 구조를 조사하였다. $Te{\cdot}O$의 결합길이$d_{Te-O}$)와 산소원자를 둘러싼 Te 원자의 배위수($N_{Te-O}$)를 결정하기 위해 고해상도 RDF 곡선의 $Q_{max}$ = 20, 23, 25, 28, 30의 첫 번째 peak를, pairdistribution함수 모두 Gaussian 형식을 따른다는 가정하에 least-squae법으로 peak 분리를 했다. 이 결과를 토대로, 고순도$TeO_2$유리는 하나의 Te 원 자에 4개의 산소가 배위되어 있는$TeO_4$의 단위구조로 이루어져 있으며, 각 2개의 산소원자는 평균 결합길이가 각각 1.916 $\AA$과 2.123 $\AA$으로 Te 원자에 결합하고 있는 것으로 밝혀졌다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국전기전자재료학회 2005년도 하계학술대회 논문집 Vol.6
• /
• pp.342-343
• /
• 2005

In this study,. the microwave dielectric properties of the $0.6TiTe_3O_8-0.4CaWO_4$ ceramics with sintering temperature were investigated for LTCC application. According to the X-ray diffraction patterns, the $0.6TiTe_3O_8-0.4CaWO_4$ ceramics had columbite structure of the $TiTe_3O_8$ phase and scheelite structure of the $CaWO_4$ phase. Increasing the sintering temperature, the bulk density, the dielectric constant and the quality factor of the $0.6TiTe_3O_8-0.4CaWO_4$ ceramics were increased. In the case of the $0.6TiTe_3O_8-0.4CaWO_4$ ceramics sintered at $810^{\circ}C$, the bulk density, the dielectric constant and the quality factor were 5.72$g/cm^2$, 33.6, 22,013GHz respectively.

• 마이크로전자및패키징학회지
• /
• 제19권1호
• /
• pp.33-38
• /
• 2012

유리기판에 n형 Bi-Te 열전박막과 p형 Sb-Te 열전박막을 진공증착하여 in-plane 열전센서를 형성한 후, 열전센서의 감지특성을 분석하였다. 열전센서를 구성하는데 사용한 n형 Bi-Te 증착박막은 -165 ${\mu}V$/K의 Seebeck 계수와 $80{\times}10^{-4}W/K^2-m$의 출력인자를 나타내었으며, p형 Sb-Te 증착박막은 142 ${\mu}V$/K의 Seebeck 계수와 $51.7{\times}10^{-4}W/K^2-m$의 출력인자를 나타내었다. 이와 같은 n형 Bi-Te 및 p형 Sb-Te 박막 15쌍으로 구성된 열전센서는 2.8 mV/K의 감지도를 나타내었다.

• 한국재료학회지
• /
• 제8권6호
• /
• pp.493-498
• /
• 1998

인쇄 및 소결법으로 제조한 Te-rich CdTe 소스를 근접 승화시켜 CdTe막을 Cd 기판 위에 증착하였다. 기판온도, 태양전지의 유효면적, 그리고 CdTD막과 ITO막의 두께를 변화시켜 CdTe 박막제조한 후 CdS/CdTe 태양전지의 광전압 특성을 연구하였다. 최적기판온도와 CdTe 두께는 각각 $600^{\circ}C$와 5-6${\mu}m$이다. 근접승화 동안 기판온도를 변화시키는 경우는 Cds와 접합부에 CdTe의 입자크기를 증가시키기 위하여 CdTe 증착초기에 기판온도를 62$0^{\circ}C$로 유지한 후, 이로 인해 발생될수 있는 핀홀을 줄이기 위하여 $540^{\circ}C$로 낮게 기판의 온도를 떨어뜨린후 기존의 막질을 유지하기 위하여 추가적으로 $620^{\circ}C$에서 어닐링 시키는 "two-wave"온도 곡선을 사용하였을 때 단락전류밀도가 증가하였다. CdTe 막의 두께가 $6\mu\textrm{m}$보다 커지면 CdTe 의 벌크 저항이 커져 태양전지의 피라미터를 감소시켰다. 이때 CdTe 막의 비저항은 3$\times$$10^{4}$$\Omega$cm이었다. 태양전지의 유효면적이 증가함에 따라, 개방 전압은 일정하나 ITO면저항의 증가에 의해 단락 전류밀도와 충실도가 감소하였다. 본 연구에 ITO의 최적 두께는 300-450nm 이었다. 유효면적 0.5$\textrm{cm}^2$에서 9.4%의 효율을 얻을수 있었으며 충실도와 효율 증가를 위해서는 직결저항의 감소가 필수적임을 알았다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국전기전자재료학회 2003년도 하계학술대회 논문집 Vol.4 No.1
• /
• pp.278-281
• /
• 2003

The p-CIn2Te4 single crystal was grown in the three-stage vertical electric furnace by using Bridgman method. The quality of the grown crystal has been investigated by the x-ray diffraction and the photoluminescence measurements. From the photoluminescence spectra of the as-grown CdIn2Te4 crystal and the various heat-treated crystals, the (Do, X) emission was found to be the dominant intensity in the photoluminescence spectrum of the CdIn2Te4:Cd, while the (Ao, X) emission completely disappeared in the CdIn2Te4:Cd. However, the (Ao, X) emission in the photoluminescence spectrum of the CdIn2Te4:Te was the dominant intensity like an as-grown CdIn2Te4 crystal. These results indicated that the (Do, X) is associated with VTe acted as donor and that the (Ao, X) emission is related to VCd acted as acceptor, respectively. The p-CdIn2Te4 crystal was found to be obviously converted into the n-type after annealing in the Cd atmosphere. The origin of (Do, Ao) emission and its TO phonon replicas is related to the interaction between donors such as VTe or Cdint, and accepters such as VCd or Teint. Also, the In in the CdIn2Te4 was confirmed not to form the native defects because it existed in the stable form of bonds.

• 한국재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국재료학회 1994년도 춘계 학술발표 강연 및 논문 개요집
• /
• pp.42-43
• /
• 1994