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Atomic Force Microscopy Study of Conducting Layered Transition Metal Ditellurides

  • Kim Sung-Jin;Park So-Jung;Oh Hoon-Jung;Jeon, Il Cheol;Song Sunae
    • Bulletin of the Korean Chemical Society
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    • 제15권12호
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    • pp.1098-1103
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    • 1994
  • Atomic force microscopy (AFM) images of two conducting layered transition-metal ditellurides, $TaTe_2$ and $Ta_{0.5}$$V_{0.5}$$Te_2$, were examined and their surface and bulk structural features were compared. All the measured unit cell parameters from AFM image were consistent and in complete agreement with the results of the X-ray diffraction. The microscopic structures of corrugated surface tellurium sheets were strongly affected by the modification of metal double zig-zag chains underneath Te surface. Large difference in the height amplitudes of AFM images in $TaTe_2$ and $Ta_{0.5}$$V_{0.5}$$Te_2$ phases was observed and this reflects large difference in the surface electron densities of two phases. On surface, the shorter intralayer Te…Te contacts in $TaTe_2$ induce more electron transfer from Te p-block bands to Ta d-block bands, thus electron density on surface observed in $TaTe_2$ is much lower than that of $Ta_{0.5}$$V_{0.5}$$Te_2$. However, in bulk, interlayer Te…Te contacts in V substituted phase are shorter than those in $TaTe_2$ phase, thus tellurium-to-metal electron transfer occurs more easily in $Ta_{0.5}$$V_{0.5}$$Te_2$ phase.

CdTe박막의 근접승화 제조조건에 따른 CdS/CdTe 태양전지의 광전압 특성 (Effect of CdTe Deposition Conditions by Close spaced Sublimation on Photovoltaic Properties of CdS/CdTe Solar Cells)

  • 한병욱;안진형;안병태
    • 한국재료학회지
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    • 제8권6호
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    • pp.493-498
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    • 1998
  • 인쇄 및 소결법으로 제조한 Te-rich CdTe 소스를 근접 승화시켜 CdTe막을 Cd 기판 위에 증착하였다. 기판온도, 태양전지의 유효면적, 그리고 CdTD막과 ITO막의 두께를 변화시켜 CdTe 박막제조한 후 CdS/CdTe 태양전지의 광전압 특성을 연구하였다. 최적기판온도와 CdTe 두께는 각각 $600^{\circ}C$와 5-6${\mu}m$이다. 근접승화 동안 기판온도를 변화시키는 경우는 Cds와 접합부에 CdTe의 입자크기를 증가시키기 위하여 CdTe 증착초기에 기판온도를 62$0^{\circ}C$로 유지한 후, 이로 인해 발생될수 있는 핀홀을 줄이기 위하여 $540^{\circ}C$로 낮게 기판의 온도를 떨어뜨린후 기존의 막질을 유지하기 위하여 추가적으로 $620^{\circ}C$에서 어닐링 시키는 "two-wave"온도 곡선을 사용하였을 때 단락전류밀도가 증가하였다. CdTe 막의 두께가 $6\mu\textrm{m}$보다 커지면 CdTe 의 벌크 저항이 커져 태양전지의 피라미터를 감소시켰다. 이때 CdTe 막의 비저항은 3$\times$$10^{4}$$\Omega$cm이었다. 태양전지의 유효면적이 증가함에 따라, 개방 전압은 일정하나 ITO면저항의 증가에 의해 단락 전류밀도와 충실도가 감소하였다. 본 연구에 ITO의 최적 두께는 300-450nm 이었다. 유효면적 0.5$\textrm{cm}^2$에서 9.4%의 효율을 얻을수 있었으며 충실도와 효율 증가를 위해서는 직결저항의 감소가 필수적임을 알았다.

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동시증착법으로 형성한 Bi-Te 박막의 열전특성 (Thermoelectric Properties of Bi-Te Thin Films Processed by Coevaporation)

  • 최영남;김민영;오태성
    • 마이크로전자및패키징학회지
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    • 제17권4호
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    • pp.89-94
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    • 2010
  • Bi 증착원과 Te 증착원의 몰비를 변화시키며 동시증착법으로 Bi-Te 박막을 형성 후, Bi 증착원과 Te 증착원의 몰비에 따른 Bi-Te 박막의 열전특성을 분석하였다. 동시증착법으로 형성한 Bi-Te 박막은 n형 반도체로서, $-60{\sim}-80{\mu}V/K$의 Seebeck 계수를 나타내었다. Bi 증착원의 양이 30 mol%인 조건으로 동시 증착하여 Te 과잉 조성인 박막은 $5{\times}10^{-4}W/m-K^2$의 출력인자를 나타내었으며, Bi 증착원의 양이 90 mol%인 조건으로 동시 증착하여 Bi 과잉 조성인 박막은 $17.7{\times}10^{-4}W/m-K^2$의 출력인자를 나타내었다.

CdZnS/CdTe 이종접합의 커패시턴스-전압 특성에 관한 연구 (A study on the capacitance-voltage characteristics of the CdZnS/CdTe heterojunction)

  • 이재형
    • 한국정보통신학회논문지
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    • 제15권6호
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    • pp.1349-1354
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    • 2011
  • 본 연구에서는 CdZnS와 CdTe로 구성되는 이종접합 소자를 제작하고 커패시턴스-전압 특성을 조사하였다. CdS/CdTe 접합의 경우, 역방향 바이어스가 증가함에 따라 공핍층의 폭이 커져 커패시턴스 값이 약간 감소하였으나 CdZnS/CdTe 접합에서는 CdTe 박막 내에서의 공핍층 폭이 바이어스에 크게 영향을 받지 않아 커패시턴스 값이 역방향 바이어스에 따라 거의 변화가 없었다. 바이어스 전압을 인가하지 않은 상태에서의 공핍층 폭은 높은 CdZnS 박막의 비저항 및 낮은 캐리어 농도로 인해 CdS/CdTe 접합보다 CdZnS/CdTe 접합에서 보다 큰 값을 나타내었다. CdZnS/CdTe 태양전지의 개방전압은 Zn의 비율이 커짐에 따라 CdZnS 박막과 CdTe 박막의 전자 친화력 차이의 감소로 인하여 크게 증가하였으나, Zn 비율이 0.35 이상인 경우 오히려 감소함을 알 수 있었다. 또한 CdZnS 박막의 높은 비저항이 태양전지의 직렬저항을 상승시켜 전지의 변환 효율은 오히려 감소함을 알 수 있었다.

CdTe 양자점 합성과 물리적 특성 분석 (Preparation and Characterization of CdTe Quantum Dots)

  • 김현석;송현우;조경아;김상식;김성현
    • 한국전기전자재료학회논문지
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    • 제16권8호
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    • pp.663-668
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    • 2003
  • CdTe quantum dots(QDs) were synthesized in aqueous solution by colloidal method. The synthesized CdTe QDs were identified to be cubic-structured ones by x-ray diffraction(XRD). The photoluminescence(PL) was performed for CdTe QDs prepared as a function of Te precursor concentration, condensation time and aging time. The PL intensity is strongly dependent on Te precursor concentration, indicating that the ratio of Te to Cd ions affects the particle size and size distribution of the CdTe QDs. Our PL study reveals that the intensity of PL peaks strengthens as the condensation time elongates, implying that annealing by thermal energy transferred during condensation would eliminate defects which act as killing centers in CdTe particles. Our photocurrent study suggests that the CdTe QDs materials are one of the prospective materials for optoelectronics including photodetectors.

분할접합비에 따른 (Pb,Sn)Te/(Bi,Sb)2Te3 경사기능소자의 열전발전특성 (Thermoelectric Power Generation Characteristics of the (Pb,Sn)Te/(Bi,Sb)2Te3Functional Gradient Materials with Various Segment Ratios)

  • 이광용;현도빈;오태성
    • 한국재료학회지
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    • 제12권12호
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    • pp.911-917
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    • 2002
  • 0.5 at% $Na_2$Te-doped ($Pb_{0.7}Sn_{0.3}$)Te and ($Bi_{0.2}Sb_{0.8}$)$_2$$Te_3$ powders were fabricated by mechanical alloying process. 0.5 at% Na$_2$Te-doped ($Pb_{0.7}Sn_{0.3}$)Te powders were charged at one end of mold and ($Bi_{0.2}Sb_{0.8}$)$_2$$Te_3$ powders were charged at the other end of a mold. Then these powders were hot-pressed to form p-type ($Pb_{0.7}Sn_{0.3}$)Te/($Bi_{0.2}Sb_{0.8}$)$_2$$Te_3$ functional gradient materials with the segment ratios (the ratio of ($Pb_{0.7}Sn_{0.3}$)Te to ($Bi_{0.2}Sb_{0.8}$)$_2$$Te_3$ ) of 1:2, 1:1, and 2:1. Power generation characteristics of the ($Pb_{0.7}Sn_{0.3}$)Te/($Bi_{0.2}Sb_{0.8}$)$_2$$Te_3$ were measured. When the temperature difference ΔT at both ends of the specimen was larger than $300^{\circ}C$, the ($Pb_{0.7}Sn_{0.3}$)Te/($Bi_{0.2}Sb_{0.8}$)$_2$$Te_3$ with the segment ratios of 1:2 and 1:1 exhibited larger output power than those of the ($Bi_{0.2}Sb_{0.8}$)$_2$$Te_3$ and 0.5 at% $Na_2$ Te-doped ($Pb_{0.7}Sn_{0.3}$)Te alloys. The maximum output power of the ($Pb_{0.7}Sn_{0.3}$)Te/($Bi_{0.2}Sb_{0.8}$)$_2$$Te_3$ predicted with the measured Seebeck coefficient and the estimated electrical resistivity was in good agreement with the measured maximum output power.

수소양삼초경(手少陽三焦經) 정격(正格)의 자경보사(自經補瀉)(중저 보(中渚 補), 액문 사(液門 瀉)) 자침(刺鍼)이 정상 흰쥐의 뇌혈류량(腦血流量) 및 혈압(血壓)에 미치는 영향(影響) (Effects of Joongjeo($TE_3$) Supplementation Aekmoon($TE_2$) Draining on Changes in Cerebral Blood Flow and Blood Pressure in Normal Rats)

  • 김희정;류충열;조명래
    • Journal of Acupuncture Research
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    • 제25권6호
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    • pp.1-12
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    • 2008
  • Objectives : Joongjeo($TE_3$) Supplementation Aekmoon($TE_2$) Draining is a method belongs to Ohaeng-acupuncture, using directional supplementation and draining. Methods : This study was designed to investigate the effects of $TE_3$ supplementation $TE_2$ draining on changes in cerebral blood flow(rCBF) and mean arterial blood pressure(MABP) in normal rats. For these reasons, the present author investigated rCBF and MABP using laser doppler flowmeter in normal rats. In addtion, the present author also investigated action mechanisms of $TE_3$ supplementation $TE_3$ draining on changes in rCBF and MABP too. Results : In this results, $TE_3$ supplementation $TE_2$ draining elevated rCBF in time-dependent manner, but MABP levels decresed by $TE_3$ supplementation $TE_2$ draining. Pre-treatment with indomethacin (IDM), an inhibitor of cyclooxygenase, inhibited increase of rCBF effectively. But pre-treatment with methylene blue(MTB), an inhibitor of guanylate cyclase, decreased rCBF levels. In addition, pre-treatment with IDM also decreased MABP levels, but pre-treatement with MTB increased MABP levels. Conclusions : In conclusion, these results suggest that $TE_3$ supplementation $TE_2$ draining is effective to treat patient with disease related to cerebral ischemia, because $TE_3$ supplementation $TE_2$ draining can increase rCBF. In addition, the mechanisms are thought to be related to guanylate cyclase pathways.

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Facile Synthesis of CdTe Nanorods from the Growth of Te Nanorods

  • Xu, Weiwei;Niu, Jinzhong;Zheng, Shuang;Tian, Guimin;Wu, Xinghui;Cheng, Yongguang;Hu, Xiaoyang;Liu, Shuaishuai;Hao, Haoshan
    • 대한화학회지
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    • 제61권4호
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    • pp.185-190
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    • 2017
  • One-dimensional CdTe nanorods (NRs) are obtained by the reaction of various Cd precursors with single crystalline Te nanorod templates, which are pre-synthesized from Te precursors by a simple and reproducible solvothermal method. Throughout the process, the diffraction intensity of different crystal facets of single crystalline Te NRs varied with reaction times. Finally, by alloying Cd ions along the axial direction of Te NRs, polycrystalline cubic phase CdTe NRs with diameters of 80-150 nm and length up to $1.2-2.4{\mu}m$ are obtained. The nucleation and growth processes of Te and CdTe NRs are discussed in details, and their properties are characterized by XRD, SEM, TEM, Raman scattering, and UV-vis absorption spectra. It was found that the key elements of synthesizing CdTe NRs such as reaction temperatures and Cd sources will strongly influence the final shape of CdTe NRs.

스트레인을 받는 ZnTe/ZnMnTe 단일양자우물의 성장과 광발광 특성 (Growth and photoluminescence of the strained ZnTe/ZnMnTe single quantum well)

    • 한국결정성장학회지
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    • 제12권6호
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    • pp.269-269
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    • 2002
  • 희박 자성 반도체 ZnMnTe를 장벽층으로 사용한 양질의 ZnTe/ZnMnTe 단일 양자우물 구조를 열벽적층 성장법으로 성장하였다. 고분해능 X-선 회절측정 결과 ZnTe 우물층이 강하게 스트레인을 받고 있음을 알 수 있었다. 광발광 측정으로부터 무거운 양공 엑시톤 (el-hhl)과 가벼운 양공 엑시톤 (el-lhl)의 매우 뾰족한 발광 크들이 나타남을 관측하였다. 또한 우물층의 두께가 증가함에 따라 (el-hhl)과 (el-lhl)의 엑시톤 관련 피크들은 낮은 에너지 쪽으로 이동하였다. 광발광 피크 세기의 온도에 따른 변화는 운반자들의 열적 활성화로 설명할 수 있었다.

스트레인을 받는 ZnTe/ZnMnTe 단일양자우물의 성장과 광발광 특성 (Growth and photoluminescence of the strained ZnTe/ZnMnTe single quantum well)

  • 최용대
    • 한국결정성장학회지
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    • 제12권6호
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    • pp.267-271
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    • 2002
  • 희박 자성 반도체 ZnMnTe를 장벽층으로 사용한 양질의 ZnTe/ZnMnTe 단일 양자우물 구조를 열벽적층 성장법으로 성장하였다. 고분해능 X-선 회절측정 결과 ZnTe 우물층이 강하게 스트레인을 받고 있음을 알 수 있었다. 광발광 측정으로부터 무거운 양공 엑시톤 (el-hhl)과 가벼운 양공 엑시톤 (el-lhl)의 매우 뾰족한 발광 크들이 나타남을 관측하였다. 또한 우물층의 두께가 증가함에 따라 (el-hhl)과 (el-lhl)의 엑시톤 관련 피크들은 낮은 에너지 쪽으로 이동하였다. 광발광 피크 세기의 온도에 따른 변화는 운반자들의 열적 활성화로 설명할 수 있었다.