차세대 비 휘발성 메모리 적용을 위한 Staggered tunnel barrier ($Si_3N_4$ /HfAlO) 에 대한 전기적 특성 평가
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- 한국진공학회:학술대회논문집
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- 한국진공학회 2009년도 제38회 동계학술대회 초록집
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- pp.219-219
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- 2010