The Forearm and the lumbar spine bone mineral density bone mineral density values obtained through, T-score and Z-score correlation between numerical and calibration function obtained as a result of any one part to another part of the results is intended to infer. Groups of 66 patients, 11 patients by age 20-70 were composed of patients measured with the forearm and lumbar spine bone mineral density T-score and Z-score of the survey for each of the three factors that correlated to assess the correlation Find the correction factor to obtain the relationship. Bone mineral density of the correlation coefficient R = 0.769 correction factor is Y = 1.541X + 0.133. T-score of correlation coefficient R = 0.768 and the correction factor Y = 0.715X - 0.4 is Z-score of the correlation coefficient R = 0.635 correction factor Y = 0.751X - 0.162. It is regarded that there will be a clinical availability which can analogize the result of a part by using the result of the other part.
The ionic conductivity of NASICON solid electrolytes was simulated by using Monte Carlo Method (MCM). There were included two conduction paths: (1) Na1-Na2 and (2) Na1-Na2 including Na2-Na2. We assumed that mid-Na ions provde an additional driving force for Na mobile ions due to the interionic repulsion between Na1 and Na2 ions. The inflection point of vacancy availability factor, V has been shown at nearby x=2, the maximum mid-Na ions. The inflection point of vacancy availability factor, V has been shown at nearby x=2, the maximum mid-Na sites are occupied. The effective jump frequency factor, V has been shown at nearby x=2, the maximum mid-Na sites are occupied. The effective jump frequency factor, W increased rapidly with the composition at low temperature, but decreased at high temperature region. On Na1-Na2 conduction path, the minimum of charge correlation factor, fc and the maximum of $\sigma$T were appeared at x=2.0. this indicated that mid-Na ions affect on the high ionic conductivity behavior. At the whole range of NASICON composition, 1n $\sigma$T vs. 1/T* plots have been shown Arrhenius behavior but 1n (VWFc) vs. 1/T* have been shown the Arrhenius type tendency at x=2, which mid-Na is being the maximum. The results of MCM agreed with the experimental one when the chosen saddle point value was 6$\varepsilon$ : 3$\varepsilon$. Here the calculated characteristic parameter of materials, K and the phase transition temperature were -4.001$\times$103 and 178$^{\circ}C$ (1/T*=1.92, 1000/T=2.22), respectively.
Journal of Advanced Marine Engineering and Technology
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v.22
no.5
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pp.617-625
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1998
A passive energy recovery snubber for high-power-factor boost rectifier, in which the main switch is implemented with a MOSFET, is described in terms of the equivalent circuits that are operational during turn-on and turn-off sequences. These equivalent circuits are analyzed so that the overshoot voltage across the main switch, the snubber current, and the turn-off transition time can be predicted analytically. From these results, the normalized overshoot voltage is reduced to 1 as $_W2T_on$ varies from zero to $\pi$/2, and then it is fIxed at 1 for $_W2T_on$> $\pi$/2. The peak snubber inductor current is directly proportional to the input current. The turn-offtransition time wltoffvaries from 0 to 2.57, depending on $_W2T_on$. The main switch combined with proposed snubber can be turned on with zero current and turned off at limited voltage stress. The high-power-factor boost rectifier with proposed snubber is implemented, and the experimental results are presented to confirm the validity of proposed snubber.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2006.06a
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pp.344-345
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2006
In this study, in order to develop low temperature sintering piezoelectric transformer, $(Pb_{0.99-x}Ca_xSr_{0.01})Ti_{0.96}(Mn_{1/3}Sb_{2/3})_{0.04}O_3$ ceramic systems were fabricated using $Na_2CO_3-Li_2CO_3$ as sintering aids and investigated with the amount of Ca substitution. The piezoelectric transformer requires high electromechanical coupling factor $k_t$ and high mechanical quality factor $Q_{mt}$ for generating high output power At the ($PbCaSr)Ti(MnSb)O_3$ ceramics with 24mol% Ca substitution sintered at $900^{\circ}C$, electromechanical coupling factor $k_t$ and mechanical quality factor $Q_{mt}$ showed the optimal values of 0.504 and 1655 respectively, for thickness vibration mode multilayer piezoelectric transformer application.
The ionic conductivity in glassy systems were calculated as functions of temperature and ion concentration using Monte-Carol method considering interaction between neighbouring ion-site occupancies, {{{{ rho }}'s. Also the vacancy availability factor, V, the effective jump frequency factor, W, and the charge correlation factor, fc, have been investigated. The Arrhenius plot could be obtained from the ln {{{{ sigma }}T vs. 1/T* plots and was in exellent agreement with the experimental observations. The effects of the various types of potential well on the ionic conductivity have been considered. The activation energy Eg for ion motion in the glass was 1.3│ε│from the ln {{{{ sigma }}T vs. 1/T* plots.
Journal of The Korean Society of Integrative Medicine
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v.12
no.1
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pp.63-71
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2024
Purpose : Skin is the primary barrier to protect the body from various exogenous factors. Among them, UVB exposure can cause the induction of not only excessive inflammatory responses but also the degradation of extracellular matrix (ECM), including collagen and elastin. This study tried to investigate the ameliorative effect of Persicaria perfoliata ethanol extract (PPEE) on UVB-irradiated photodamage through the regulation of activator protein (AP)-1, phosphoinositide 3-kinase (PI3K)/Akt, and mitogen-activated protein kinase (MAPK) signaling molecules in HaCaT cells. Methods : The cytotoxicity of PPEE on HaCaT cells was evaluated by the WST-1 assay. The 80 mJ/cm2 of UVB (312 nm) was irradiated on HaCaT cells to induce the photodamage. Western blot analysis was conducted to investigate the protein expression levels of cyclooxygenase (COX)-2, matrix metalloproteinase (MMP)-9, and heme oxygenase (HO)-1 for ameliorative status by PPEE treatment in UVB-exposed HaCaT cells. In addition, the activated status of the inflammatory transcription factor, AP-1, as well as upstream signaling molecules, PI3K/Akt, and MAPK, were also evaluated by Western blot analysis. Results : Any cytotoxic effect was not induced at the concentration up to 200 ㎍/ml by PPEE treatment. Protein expression levels of COX-2 and MMP-9 were significantly down- and up-regulated by PPEE treatment. The inflammatory transcription factor AP-1, stimulated by UVB irradiation, was also significantly attenuated by PPEE treatment. The phosphorylated status of PI3K/Akt and MAPK were mitigated by PPEE treatment in UVB-exposed HaCaT cells. Moreover, PPEE treatment potently accelerated the expression of HO-1 and its transcription factor, nuclear factor-erythroid 2-related factor (Nrf)2, which is known for its anti-inflammatory activity. Conclusion : Consequently, PPEE treatment significantly regulated COX-2 and MMP-9 expressions in UVB-irradiated HaCaT cells. The inflammatory transcription factor AP-1, along with upstream signaling molecules PI3K/Akt and MAPKs, were also attenuated by PPEE treatment in UVB-exposed HaCaT cells. Additionally, PPEE treatment exaggerated HO-1 expression and Nrf2 activation, which might have contributed to the anti-inflammatory activity of PPEE. These results indicate that PPEE could be a candidate for attenuating UVB-induced photodamage in human skin.
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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v.7
no.1
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pp.51-55
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2007
This paper investigates the subthreshold behavior of Fin Field Effect Transistor (FinFET). The FinFET is considered to be an alternate MOSFET structure for the deep sub-micron regime, having excellent device characteristics. As the channel length decreases, the study of subthreshold behavior of the device becomes critically important for successful design and implementation of digital circuits. An accurate analysis of subthreshold behavior of FinFET was done by simulating the device in a 3D process and device simulator, Taurus. The subthreshold behavior of FinFET, was measured using a parameter called S-factor which was obtained from the $In(I_{DS})\;-\;V_{GS}$ characteristics. The value of S-factor of devices of various fin dimensions with channel length $L_g$ in the range of 20 nm - 50 nm and with the fin width $T_{fin}$ in the range of 10 nm - 40 nm was calculated. It was observed that for devices with longer channel lengths, the value of S-factor was close to the ideal value of 60 m V/dec. The S-factor increases exponentially for channel lengths, $L_g\;<\;1.5\;T_{fin}$. Further, for a constant $L_g$, the S factor was observed to increase with $T_{fin}$. An empirical relationship between S, $L_g$ and $T_{fin}$ was developed based on the simulation results, which could be used as a rule of thumb for determining the S-factor of devices.
The versatile aerosol concentration enrichment system (VACES) have proven useful for providing elevated levels of atmospheric aerosol to human and animal exposures. In this study, we describe a VACES and tests conducted to both optimize the enhancement factor (EF) and characterize how it depends on experiment conditions. Particle number concentrations were measured from upstream and downstream of the system by scanning mobility particle sizer (SMPS) with a long differential mobility analyzer (DMA) in combination with a condensation particle counter (CPC). SMPS was used for to determine VACES particle EF. Particle EF tends to increase for higher the saturator temperature ($T_{Sat}$) and lower the condenser temperature ($T_{Con}$). $T_{Con}$ higher than $0^{\circ}C$ and $T_{Sat}$ lower than $50^{\circ}C$ was the best to obtain the most increase in particle concentration. Correlation analysis of EF with factor variables of $T_{Sat}$ and $T_{Con}$ resulted in correlation 0.662 and 0.416, respectively. With all five predictor variables included in a multiple regression model, the EF had a liner correlation with $R^2=0.643$.
Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers
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v.10
no.1
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pp.62-69
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1986
Fatigue surface crack growth was studied in 7075-T651 aluminum alloy plates subjected largely to bending loads. The surface crack length and its depth were measurement by the unloading elastic compliance method. The surface crack growth rate dc/dN, on the surface and da/dN, in the depth direction were obtained by the secant method. The stress intensity factor range .DELTA.K was computed by means of Newman and Raju equation. The aspect ratio a/c was presented in form of a/c=0.815-0.853(a/T). The effect of the stress ratio on the stable surface crack growth rates under increasing .DELTA.T is larger in lower .DELTA.K, while the relation between dc/dN, da/dN and the effective stress intensity factor range .DELTA.K$_{eff}$ is weakly dependent on the stress ratio.o.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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