Proceedings of the Korea Concrete Institute Conference
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1998.10b
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pp.916-921
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1998
This study describes the result for the placement of the super flowing concrete(SFC) in under-pinning-top-slab which is located Inchon subway section 1-10 where, due to heavy reinforcements and limited working space, it was difficult to place concrete. After placing 600㎥, smooth construction and quality control were possible due to the good flow-ability, self-fillingability, and the resistance of segregation of the SFC itself. Furthermore, economical efficiency was obtained through not only the reduction of the works, labors, and site noise but also the efficient construction control. Because of the crack prevention, high strength, and a fine concrete surface, this study could be considered as a momentum to be adopted generally for applying the proposed method to the difficult subway construction area in the near future.
To investigate the reliability of the MTJs on the roughness of insulating tunnel barrier, we prepared two MTJs with the different uniformity of barrier thickness. Namely, the one has uniform insulating barrier thickness; the other has non-uniform insulating barrier thickness as compared to different thing. As to depositing amorphous layer CoZrNb under the pinning layer IrMn, we achieved MTJ with uniform barrier thickness. Toinvestigate the reliability of the MTJs dependent on the bottom electrode, time-dependent dielectric breakdown (TDDB) measurements were carried out under constant voltage stress. The Weibull fit of out data shows clearly that $t_{BD}$ scales with the thickness uniformity of MTJs tunnel barrier. Assuming a linear dependence of log($t_{BD}$) on stress voltages, we obtained the lifetime of $10^4$years at a operating voltage of 0.4 V at MTJs comprising CoNbZr layers. This study shows that the reliabilityof new MTJs structure was improved due to the ultra smooth barrier, because the surface roughness of the bottom electrode influenced the uniformity of tunnel barrier.
Ni (100 nm thick) was deposited onto synthesized diamonds to fabricate etched diamonds. Next, those diamonds were annealed at varying temperatures ($400{\sim}1200^{\circ}C$) for 30 minutes and then immersed in 30 wt% $HNO_3$ to remove the Ni layers. The etched properties of the diamonds were examined with FE-SEM, micro-Raman, and VSM. The FE-SEM results showed that the Ni agglomerated at a low annealing temperature (${\sim}400^{\circ}C$), and self-aligned hemisphere dots formed at an annealing temperature of $800^{\circ}C$. Those dots became smaller with a bimodal distribution as the annealing temperature increased. After stripping the Ni layers, etch pits and trigons formed with annealing temperatures above $400^{\circ}C$ on the surface of the diamonds. However, surface graphite layers existed above $1000^{\circ}C$. The B-H loop results showed that the coercivity of the samples increased to 320 Oe (from 37 Oe) when the annealing temperature increased to $600^{\circ}C$ and then, decreased to 150 Oe with elevated annealing temperatures. This result indicates that the coercivity was affected by magnetic domain pinning at temperatures below $600^{\circ}C$ and single domain behavior at elevated temperatures above $800^{\circ}C$ consistent with the microstructure results. Thus, the results of this study show that the surface of diamonds can be etched.
Journal of the Korean Society of Manufacturing Technology Engineers
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v.23
no.6
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pp.533-538
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2014
We fabricated grooved mushroom structures with anisotropic wettability on silicon substrates using basic MEMS processes. The geometry of these grooved mushroom structures could be changed by controlling the additional IPA solution during Si etching by TMAH solution. To understand anisotropic wettability, contact angles (CAs) of hexadecane droplets were measured in the orthogonal and parallel directions to grooved lines. The CA measurement results displayed anisotropic wetting on the grooved mushroom structures. However, specimens with $80{\mu}m$ distance between top layers displayed isotropic and superoleophobic wetting. This study demonstrates that the thickness of the top layer is more critical than the width or height of the ridge when determining the wettability of organic solvent. Despite the wide distance between top layers ($80{\mu}m$), the specimen with a thin top layer (100 nm) showed highly anisotropic wetting and low CA due to the pinning of droplets at the edge of the top layer.
REBCO coated conductors (RE: rare earth elements) have recently drawn great attention since they are known to possess stronger flux pinning centers in high magnetic fields compared with YBCO coated conductors. In this study, $GdBa_2Cu_3O_{7-d}(GdBCO)$ was selected to investigate the influence of the distance between target and substrate and substrate temperature on the superconducting properties of GdBCO films on the $SrTiO_3(100)$ substrate. Samples were fabricated by pulsed laser deposition (PLD) with a Nd:YAG laser (355nm). Under a given oxygen pressure of 800mTorr, we changed the distance between target and substrate from 5.5cm to 7.0cm and the substrate temperature from $750^{\circ}C\;to\;850^{\circ}C$. The crystallinity and texture of GdBCO films were analyzed by X-ray diffraction (XRD), and the surface morphology was observed by the scanning electron microscopy (SEM). Tc and Jc values were measured by the four point probe method. High quality GdBCO films with Tc of 89.7K and Jc over $1MA/cm^2$ at 77 K in self field were successfully fabricated by optimizing processing parameters. The detailed processing conditions, microstructure and superconducting properties will be presented for a discussion.
Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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2016.11a
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pp.139-139
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2016
반도체 다마신배선용 도금용 구리도금첨가제는 대표적으로 accelerator, suppressor 및 leveler 첨가제를 사용하여 다마신 패턴을 채우고 평탄화를 시킬 수 있다. Si 반도체 공정기술에 기반한 정확한 구조분석을 통해 각각의 첨가제의 기능이 비교적 체계적으로 연구되었으며, 최근에는 유속영향을 많이 받는 것으로 알려진 leveler 첨가제에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 본 연구는 대표적 leveler 첨가제의 하나인 Janus Green B(JGB, $C_{30}H_{31}ClN_6$)를 0 ~ 1 mM을 첨가하여 Si 기판위에 증착된 Cu 씨드층 상의 도금후 표면상태 및 불순물의 농도를 분석하고, 이 박막층들의 결정립 성장 경향성을 electron backscattered diffraction(EBSD) 분석을 통해 진행하였다. C, H, N 등의 불순물이 JGB 농도와 선형적 관계를 가지고 증가하는 것을 알 수 있었으며, S와 O의 불순물도 JGB 농도 증가에 따라 증가하는 것을 알 수 있었다. 또한 0.1 mM 첨가한 경우에 60% 정도 결정립 성장이 진행된 것을 알 수 있었으며, 0.2 mM을 넣은 경우에는 결정립 성장이 일어나지 않은 것을 알 수 있었다. 흥미로운 점은 4 point probe를 통한 면저항 측정을 통해 EBSD를 통한 결정립성장이 관찰되지 않은 0.2 mM JGB를 첨가한 경우에 대해서도 면저항의 감소가 관찰되며, 오히려 JGB 농도가 높을수록 이러한 면저항의 감소가 빠르게 시작되는 것을 관찰할 수 있었다. 이는 JGB 농도 증가에 따라 박막층의 불순물의 농도가 증가하고 막내에 존재하는 불순물의 농도가 증가하면 내부응력장이 커짐으로 인해 더욱 빠른 속도로 불순물의 재배치가 일어난 것으로 보인다. 이러한 불순물이 결정립계면에 편석되는 경우에 pinning을 통해 결정립계면의 이동을 저하시킬 수 있으므로 결정립의 성장 억제가 가능해진 것으로 판단된다.
Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers B
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v.37
no.5
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pp.489-494
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2013
This study aims to understand the mode characteristics of a droplet under a periodic forced vibration. To predict the resonance frequency of a droplet, theoretical and experimental approaches were employed. A high-speed camera was used to capture the various deformation characteristics of a droplet-mode shape, detachment, separated secondary droplet, and skewed deformation. The comparison between the theoretical and the experimental approaches shows a ~10% discrepancy in the prediction of the resonance frequency, which appears to be caused by the effect of contact line friction, nonlinear wall adhesion, and experimental uncertainty. Owing to contact-line pinning and smaller amplitude, the droplet shape becomes symmetric and the size of each lobe at the resonance frequency exceeds that at the neighbor, which is out of resonance.
Amorphous FeBSiNb alloy ribbons having bulk glass forming ability and high saturation magnetic flux density were produced by single-roller melt spinning apparatus in the thickness range of 22∼102㎛. With the increase of thickness, the coercive force and squareness ratio decreased, while maximum permeability and AC permeability increased. However electrical resistivity was almost constant. Furthermore refined and complex magnetic domain structure was observed in thicker ribbons owing to the change in internal magnetic anisotropy. For the alloy with the thickness of 81㎛, small coercive force of 24 mOe and high effective permeability of 12,000 at 1㎑ were obtained, those are considered to be better comparing to the conventional soft magnetic amorphous alloys (∼20 ㎛). The good soft magnetic properties of the thick FeBSiNb amorphous alloys were attributed to the decrease in surface pinning effect during wall motion, appearance of perpendicular anisotropy and resulted domain refinement.
The effects of the substrate temperature and the Pd underlayer on the structure and the magnetic properties of Pd/Co multilayer films prepared by the thermal evaporation were studied. As the substrate temperature increases up to $150^{\circ}C$, the crystallinity of sublayers, (111) texture and the interface sharpness of Pd/Co multilayers were improved due to the enhanced mobility of adatoms. As results of that, the perpendicular and surface anisotropy energies were increased but the coercivity was decreased because the pinning sites of domain wall decreased due to the grain growth. The grain size of the multilayers increased with Pd underlyer thickness. Thermal degradation was enhanced at above $200^{\circ}C$ due to interdiffusion at the Pd/Co interface. The intensity of the main diffraction peak rapidly decayed in the initial stage of aging and then decreased slowly. The rapid change of the intensity in the initial stage was speculated to be due to the structural relaxation phenomena and the later stage change was due to the interdiffusion. The activation energy for the interdiffusion in Pd4/Co1 multilayers was 14.9 KCal/mole.K.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2003.05a
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pp.55-58
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2003
FeMn based spin valves often consist of a NiFe/FeMn/NiFe trilayer structure. We have investigated the evolution of exchange bias at the bottom and top interfaces in the NiFe(5nm)/FeMn(x)/NiFe(5nm) trilayer structure as a function of FeMn thickness in the range 3 nm to 30 nm. The XRD results indicate (111) textured growth for NiFe and FeMn layers. The magnetization studies using VSM show two hysteresis loops corresponding to the bottom NiFe seed layer and top NiFe layers with greater bias for the bottom NiFe layer, for FeMn thickness equal to and above 5 nm. The larger exchange bias for the bottom seed layer is confirmed by the surface sensitive MOKE hysteresis loop measurements which show gradual weakening of the MOKE hysteresis loop for the bottom NiFe layer with increasing FeMn thickness. The observed large exchange bias in a spin valve structure is usually attributed to the pinning NiFe layer on top of the FeMn layer, even when a NiFe seed layer of a few nm thickness is present, whereas, in reality it may be arising from the bottom seed layer, as shown by the present study.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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