Recently there was a proposal for a spin filter by using the spin superlattice structure. In a certain energy range, the proposed structure exhibits a high spin filtering efficiency close to 100%. Unfortunately such energy range turns out to be narrow. In this paper, we report a method to widen the energy range by using an analogy to optical anti-reflection coating. In optics, it is well known that a stack of alternating layers of two dielectric materials can function as a highly transmissive or reflective filter for wide range of wavelength. Since electrons also have wave character as light, it would be possible to make an electronic analog of an optical filter. We demonstrate that alternating layers of two materials with different g-factors can function as a spin filter that allows electrons to be transmitted only when their spins point towards a certain particular direction. This spin-superlattice-based spin filter operates in wide energy ranges, curing the problem in the previous proposal.
Single phase $Pb(Mg_{1/3}Nb_{2/3})O_3$ ceramics doped by 10 mol% of electron donors such as $La^3,\; Pr^{3+,4+},\; Nd^{3+},\; Sm^{3+}$, were synthesized and their B-site cationic ordering structures were investigated by XRD and TEM. In the XRD patterns, only fundamental reflections were observed for the undoped $Pb(Mg_{1/3}Nb_{2/3})O_3$, while the (h/2 $\textsc{k}$/2ι/2)(h,$\textsc{k}$,ι all odd) superlattice reflections resulting from the 1:1 ordering induced unit cell doubling were also observed for the donor-doped $Pb(Mg_{1/3}Nb_{2/3})O_3$. In the TEM selected area diffraction patterns, the (h/2 k/2 l/2)(h,k,l all odd) superlattice reflection spots as well as the fundamental reflection spots were observed for all the samples, but the relative intensities of the superlattice reflection spots to the fundamental reflection spots were significantly enhanced by the donor-doping. In the TEM dark-field images, antiphase boundaries were observed only for the donor-doped $Pb(Mg_{1/3}Nb_{2/3})O_3$. It was therefore experimentally verified that doping by electron donors such as $La^3,\; Pr^{3+,4+},\; Nd^{3+},\; Sm^{3+}$, enhances the B-site cationic 1:1 ordering in $Pb(Mg_{1/3}Nb_{2/3})O_3$. These experimental results were interpreted in terms of the charge compensation mechanism.
The structural and microwave properties of Ba($Mg_{1/3}Ta_{2/3})O_3$-Ba($Co_{1/3}Nb_{2/3})O_3$ ceramics were investigated with composition ratio. The specimens were sintered at 1525$^{\circ}C$ for 5 hours in air. All specimens exhibited superlattice reflection planes of (100), (111), (200), (201), and (112). Increasing mole ratio of BCN ceramics, the peak intensity of superstructure reflection plane were decreased, while dielectric constant was slightly increased. The dielectric constant and quality factor of the 0.8BMT-0.2BCN ceramics were 27.51, 103,681 [at 1GHz], respectively.
Some perovskites $A($Cu_{1}3}Nb_{2}3}$)O_3(A=$Sr^{2+}$$, $Ba^{2+}$ and $Pb^{2+}$) and their series of mixed perovskites have been prepared by solid state reaction. Single perovskite phase was obtained in Sr or Ba rich samples, but pyrochlore phase was found in Pb rich samples. The stability of perovskite phase is dependent on the ionicity of bonding as well as the tolerance factor. All the obtained perovskites have tetragonal symmetry distorted by Jahn-Teller effect of $Cu^{2+}$. In the case of $Sr(Cu_{1}3}Nb_{2}3})O_3$, some superlattice lines caused by threefold enlarging of fundamental unit cell were observed. And, the symmetry of B site octahedron and the bonding character of B-O bond have been studied by IR, ESR and diffuse reflection spectroscopy. It appeared that the symmetry and the bonding character are influenced by such factors as the size and the basicity of A cation.
새로운 복합페로브스카이트계 고용체 (1-x)Ba(Mg1/3Ta2/3)O3-xLa(Mg2/3Ta1/3)O3(x=0.0-1.0)를 설계하고 조성에 따른 고용체의 결정구조의 변화 및 MPB(Morphotropic Phase Boundary)를 분말 XRD를 이용하여 분석하였다. 초격자회절선의 변화로부터 MBT에 10mol%의 LMT를 치환함에 따라 1:2에서 1:1로의 규칙화타입의 전이가 일어남을 알 수 있었다. 면심입방정구조 영역(0.10.8조성의 경우, 주회절선의 피이크분리 및 새로운 회절선들로부터 격자비틀림의 형태가 단사정임을 알 수 있었다.
Proceedings of the Korea Association of Crystal Growth Conference
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1996.06a
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pp.508-508
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1996
;The growth of films have considerable interest in the field of superlattice structured multi-layer epitaxy led to realization of new devices concepts. Molecular beam epitaxy (MBE) with in situ observation by reflection high-energy electron diffraction (RHEED) is a key technology for controlled layered growth on the atomic scale in oxide crystal thin films. Also, the combination of radical oxygen source and MBE will certainly accelerate the progress of applications of oxides. In this study, the growth process of single crystal films using by MBE method is discussed taking the oxide materials of Bi-Sr-Ca-Cu family. Oxidation was provided by a flux density of activated oxygen (oxygen radicals) from an rf-excited discharge. Generation of oxygen radicals is obtained in a specially designed radical sources with different types (coil and electrode types). Molecular oxygen was introduced into a quartz tube through a variable leak valve with mass flowmeter. Corresponding to the oxygen flow rate, the pressure of the system ranged from $1{\;}{\times}{\;}10^{-6}{\;}Torr{\;}to{\;}5{\;}{\times}{\;}10^{-5}$ Torr. The base pressure was $1{\;}{\times}{\;}10^{-10}$ Torr. The growth of Bi-oxides was achieved by coevaporation of metal elements and oxygen. In this way a Bi-oxide multilayer structure was prepared on a basal-plane MgO or $SrTiO_3$ substrate. The grown films compiled using RHEED patterns during and after the growth. Futher, the exact observation of oxygen radicals with MBE is an important technology for a approach of growth conditions on stoichiometry and perfection on the atomic scale in oxide. The oxidization degree, which is determined and controlled by the number of activated oxygen when using radical sources of two types, are utilized by voltage locked loop (VLL) method. Coil type is suitable for oxygen radical source than electrode type. The relationship between the flux of oxygen radical and the rf power or oxygen partial pressure estimated. The flux of radicals increases as the rf power increases, and indicates to the frequency change having the the value of about $2{\times}10^{14}{\;}atoms{\;}{\cdots}{\;}cm^{-2}{\;}{\cdots}{\;}S^{-I}$ when the oxygen flow rate of 2.0 seem and rf power 150 W.150 W.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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