In the present study, a dual-band multiple-input-multiple-output (MIMO) antenna covering WLAN frequency bands of 2.4 GHz (2.4 ~ 2.484 GHz) and 5 GHz (5.15 ~ 5.825 GHz) is newly presented to avoid use of decoupling structure for increasing isolation. The antenna consists of two L-shaped slots with n-shaped slots etched on the floating ground plane surrounded by open ended L-shaped slots which are placed in the left and right corner of PCB respectively. The proposed antenna is designed and fabricated on one side of FR4 substrate with dielectric constant of 4.3, thickness of 1.6 mm, and size of $50{\times}50mm2$. It has been observed that the measured impedance bandwidths ($S_{11}{\leq}-10dB$) are 0.3 GHz (2.28 ~ 2.58 GHz) in 2.4 GHz frequency band and 0.89 GHz (5.11 ~ 6 GHz) in 5 GHz frequency band respectively. In addition, It has been observed that the whole efficiency are more than 80 % in the whole operating frequency band and envelope correlation coefficient of the antenna is less than 0.05 as a very small value in spite of nothing of the decoupling structure.
Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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v.13
no.9
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pp.4165-4170
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2012
In this paper, a method for the improvement in the gain and bandwidth of a microstrip-fed broadband planar quasi-Yagi antenna (QYA) is studied. The broadband characteristics of the QYA are achieved from the coplanar strip-fed planar dipole driver and a parasitic director close to the driver. In order to obtain stable gain variation over the required frequency band, a director and a ground reflector are appended to the driver having a nearby parasitic director. The QYA is fed through an integrated balun composed of a microstrip line and a slot line which are terminated in a short circuit. By adjusting the feeding point, a broadband impedance matching is obtained. A QYA with an operating frequency band of 1.75-2.7 GHz and a gain > 4.5 dBi is designed and fabricated on an FR4 substrate with dielectric constant of 4.4 and thickness of 1.6mm. The experimental results show that the fabricated antenna has good performance such as a broad bandwidth of 59.7%(1.55-2.87 GHz), a stable gain between 4.7-6.5 dBi, and a front-to-back ratio > 10 dB. The measured data agree well with the simulation, which validates this study.
Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers A
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v.34
no.10
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pp.1367-1375
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2010
In this study, optimization of the process parameters of the resistance spot welding of a sheet of aluminum-coated boron alloyed steel, 22MnB5, used in hot stamping has been performed by a Taguchi method to increase the strength of the weld joint. The process parameters selected were current, electrode force, and weld time. The heating temperature and heating time of 22MnB5 are considered to be noise factors. It was known that the variation in the thickness of the intermetallic compound layer between the aluminum-coated layer and the substrate, which influences on the formation of nugget, was generated due to the difference of diffusion reaction according to heating conditions. From the results of spot weld experiment, the optimum weld condition was determined to be when the current, electrode force, and weld time were 8kA, 4kN, and 18 cycles, respectively. The result of a test performed to verify the optimized weld condition showed that the tensile strength of the weld joint was over 32kN, which is considerably higher than the required strength, i.e., 23kN.
We have investigated the crystal structure and electrical properties of Pt/SBT/$CeO_2$/Si(MFIS) and Pt/SBT/Si(MFS) structures for the gate oxide of ferroelectric memory. XRD spectra and SEM showed that the SBT film of SBT/$CeO_2$/Si structure had larger grain than that of SBT/Si structure. Furthermore HRTEM showed that SBT/$CeO_2$/Si had 5 nm thick $SiO_2$layer and very smooth interface but SBT/Si had 6nm thick $SiO_2$layer and 7nm thick amorphous intermediate interface. Therefore, $CeO_2$film between SBT film and Si substrate is confirmed as a good candidate for a diffusion barrier. The remanent polarization decreased and coercive voltage increased in Pt/SBT/$CeO_2/Pt/SiO_2$/Si structure. This effect may increase memory window of MFIS structure directly related to the coercive voltage. From the capacitance-voltage characteristics, the memory of Pt/SBT(140 nm)/$CeO_2$(25 nm)/Si structure were in the range of 1~2 V at the applied voltage of 4~6 V. The memory window increased with the thickness of SBT film. These results may be due to voltage applied at SBT films. The leakage currents of Pt/SBT/$CeO_2$/Si and Pt/SBT/Si were $ 10^8A/\textrm{cm}^2$ and $ 10^6 A/\textrm{cm}^2$, respectively.
Zinc oxide (ZnO) and Ga doped zinc oxide (GZO) with different thickness in range of 10nm to 100nm are prepared on glass substrate by RF magnetron sputtering at room temperature. The structural and optical properties of the thin films is evaluated. The structural properties of ZnO and GZO are investigated by Tunneling Electron Microscopy (TEM) and scanning electron microscopy (SEM). Optical properties are also investigated by UV-VIS-NIR spectrophotometer (200$\sim$1400nm). The much larger grain size of ZnO compared to GZO decreased the light scattering at the grain boundary and improved the transmittance. The transmittance of ZnO is higher than that of GZO through all of the ranges of wavelengths. In case of over 50nm, we found that the transmittance of ZnO is 20% higher than that of GZO.
Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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v.19
no.10
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pp.1-7
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2018
Tin dioxide, $SnO_2$, is applied as an anode material in Li-ion batteries and a gas sensing materials, which shows changes in resistance in the presence of gas molecules, such as $H_2$, NO, $NO_2$ etc. Considerable research has been done on the synthesis of $SnO_2$ nanostructures. Nanomaterials exhibit a high surface to volume ratio, which means it has an advantage in sensing gas molecules and improving the specific capacity of Li-ion batteries. In this study, $SnO_2$ nanostructures were grown on a Si substrate using a thermal CVD process with the vapor transport method. The carrier gas was mixed with high purity Ar gas and oxygen gas. The crystalline phase of the as-grown tin oxide nanostructures was affected by the oxygen gas flow rate. The crystallographic property of the as-grown tin oxide nanostructures were investigated by Raman spectroscopy and XRD. The morphology of the as-grown tin oxide nanostructures was confirmed by scanning electron microscopy. As a result, the $SnO_2$ nanostructures were grown directly on Si wafers with moderate thickness and a nanodot surface morphology for a carrier gas mixture ratio of Ar gas 1000 SCCM : $O_2$ gas 10 SCCM.
Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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v.13
no.7
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pp.3140-3145
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2012
In this paper, a design method for a compact slot antenna fed by a coplanar waveguide (CPW) is studied. A T-shaped tuning stub is inserted inside a narrow rectangular slot and the slot is impedance matched to the CPW feedline by adjusting the width, length, and position of the stub. The resonance frequency is adjustable by the slot length and the antenna size can be reduced by bending the slot. The resonance frequency and impedance matching property of the compact slot antenna are similar to those of the half-wavelength slot antenna, which enables one to design compact antenna of this type with ease. A compact slot antenna for 2.45-GHz ISM band is designed, fabricated on an FR4 substrate (dielectric constant of 4.4 and thickness of 0.8 mm), and experimentally tested. The measured results agree well with the simulations, which confirms the validity of this study. The fabricated compact slot antenna shows an impedance bandwidth of 200 MHz(2.32-2.52 GHz) for a VSWR < 2, which is suitable for 2.45-GHz ISM band (2.4-2.48 GHz). The measured radiation patterns show ${\infty}$-shaped directional pattern in the E-plane and nearly omni-directional pattern in the H-plane with a peak gain of 2.0 dBi, which are similar to those of a monopole antenna. The proposed antenna is expected to be suitable for the applications as antennas for WLAN, RFID, and mobile handset.
Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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v.8
no.2
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pp.195-200
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2007
We fabricated thermally-evaporated 10 nm-Ni/70 w-Poly-Si/200 $nm-SiO_2/Si$ and $10nm-Ni_{0.5}Co_{0.5}/70$ nm-Poly-Si/200 $nm-SiO_2/Si$ structures to investigate the microstructure of nickel monosilicide at the elevated temperatures required fur annealing. Silicides underwent rapid anneal at the temperatures of $600{\sim}1100^{\circ}C$ for 40 seconds. Silicides suitable for the salicide process formed on top of the polycrystalline silicon substrate mimicking the gates. A four-point tester was used to investigate the sheet resistances. A transmission electron microscope and an Auger depth profile scope were employed for the determination of cross sectional microstructure and thickness. 20nm thick nickel cobalt composite silicides on polycrystalline silicon showed low resistance up to $900^{\circ}C$, while the conventional nickle silicide showed low resistance below $900^{\circ}C$. Through TEM analysis, we confirmed that the 70nm-thick nickel cobalt composite silicide showed a unique silicon-silicide mixing at the high silicidation temperature of $1000^{\circ}C$. We identified $Ni_3Si_2,\;CoSi_2$ phase at $700^{\circ}C$ using an X-ray diffractometer. Auger depth profile analysis also supports the presence of this mixed microstructure. Our result implies that our newly proposed NiCo composite silicide from NiCo alloy films process may widen the thermal process window for the salicide process and be suitable for nano-thick silicides.
Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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2011.05a
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pp.8.1-8.1
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2011
Nanocrystalline titanium dioxide ($TiO_2$) materials have been widely used as an electron collector in DSSC. This is required to have an extremely high porosity and surface area such that the dye can be sufficiently adsorbed and be electronically interconnected, resulting in the generation of a high photocurrent within cells. In particular, their geometrical structures and crystalline phase have been extensively investigated as important issues in improving its photovoltaic efficiency. In this study, we present a new strategy to fabricate a photoelectrode having a periodic structured $TiO_2$ film templated from 1D or 3D polystyrene (PS) microspheres array. Monodisperse PS spheres of various radiuses were used for colloidal array on FTO glasses and two types of photoelectrode structures with different $TiO_2$ materials were investigated respectively. One is the igloo-shaped electrode prepared by $TiO_2$ deposition by RF-sputtering onto 2D microsphere-templated substrates. At the interface between the film and substrate, there are voids formed by the decomposition of PS microspheres during the calcination step. These holes might be expected to play the predominant roles as scattering spherical voids to promote a light harvesting effect, a spacious structure for electrolytes with higher viscosity and effective paths for electron transfer. Additionally the nanocrystalline $TiO_2$ phase prepared by the RF-sputtering method was previously reported to improve the electron drift mobility within $TiO_2$ electrodes. This yields solar cells with a cell efficiency of 2.45% or more at AM 1.5 illumination, which is a very remarkable result, considering its $TiO_2$ electrode thickness (<2 ${\mu}m$). This study can be expanded to obtain higher cell efficiency by higher dye loading through the increase of surface area or multi-layered stacking. The other is the inverse opal photonic crystal electrode prepared by titania particles infusion within 3D colloidal arrays. To obtain the enlargement of ordered area and high quality of crystallinity, the synthesis of titania particles coated with a organic thin layer were applied instead of sol-gel process using the $TiO_2$ precursors. They were dispersed so well in most solvents without aggregates and infused successfully within colloidal array structures. This ordered mesoporous structure provides the large surface area leading to the enough adsorption of dye molecules and have an light harvesting effect due to the photonic band gap properties (back-and-forth reflection effects within structures). A major advantage of this colloidal array template method is that the pore size and its distribution within $TiO_2$ photoelectrodes are determined by those of latex beads, which can be controlled easily. These materials may have promising potentials for future applications of membrane, sensor and so on as well as solar cells.
We have deposited the bilayer consisted of the underlayer and the overlayer by using DC magnetron sputter on Single crystal MgO (001) substrate. This bilayer was fabricated at fixed annealing temperature and time. We have controlled agglomeration effect by changing of the bilayer thickness. Finally, we have made the self-organization and nano-structured film. In this processing, we have made nano-dot which consists of the underlayer and the overlayer, unlike the existing method called the agglomeration effect in the single layer. The underlayer has deposited using Ti, Cr and Co. And the overlayer has deposited with Ag. Through the analysis of Atomic force microscopy (AFM), the microstructure of underlayer is observed by AFM to confirm the formation of nano-dot. As the nano-dot through above processing, we have found that the nano-dot has the different shape. As a result, when we manufactured nano-dot through the agglomeration effect of bi-layer, the best matching material is Ti for underlayer. And also, we have found that MgO/Ti/Ag samples have been grown expitaxially toward the direction of MgO (001) by X-ray Diffraction analysis.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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