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Kim, Dae-Yeong;Park, Min-Seok;Kim, Wang-Ryeol;Jin, In-Tae;Jeong, U-Chang
- Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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- 2012.08a
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- pp.240-240
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- 2012
Linear ion source (LIS)를 사용하여 Si wafer 위에 Si 이온이 첨가된 DLC 박막을 증착하였다. 참가된 Si 이온의 양에 따라 DLC 박막에 미치는 영향을 분석하기 위하여 마찰 계수 및 경도를 비교하였고, Micro raman spectroscopy, Field Emission-Scanning Electron Microscope(FM-SEM) and X-ray Photoelectron Spectroscopy (XPS)를 통하여 표면 상태를 분석하였다. 천체 주입된 가스량의 약 2%까지 Si 이온 주입이 늘어날수록 DLC 박막의 마찰계수는 낮아졌고, 경도는 Si 이온이 주입되지 않았을 경우와 비슷한 값(약 20~23GPa)을 가졌다. 2% 이상의 주입량에서는 마찰계수는 주입량이 늘어날수록 높아졌으며 경도는 떨어지는 경향을 보였다. 이는 Si 이온이 2% 이하로 첨가되었을 경우, DLC 박막의 생성시 탄소 이온들의 결합 Stress를 줄여 마찰계수가 줄어든다고 볼 수 있으며, 그 양이 2% 이상이 되면 오히려 불순물로 작용하여 DLC 박막의 Stress는 급격히 증가하고 마찰계수도 높아짐을 알 수 있다.
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Lee, Gyeong-Su;No, Tae-Mun;Lee, Jung-Hwan;Nam, Gi-Su;Lee, Jin-Hyo
- ETRI Journal
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- v.11 no.3
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- pp.11-22
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- 1989
Stress에 잘 견딜 수 있는 metal-oxide-semiconductor field effect transistor(MOSFET)의 매우 얇고(10mm 이하) 고신뢰성을 갖는 게이트 절연막을 개발하기 위해서 급속열처리법을 이용하여 제조한 재산화질화산화막의 특성에 관하여 연구하였다. AES 분석에 의하여 8nm 두께의 초기산화막을 질화시킬 때 산화막의 계면이 우선적으로 질화가 일어났으며, 질화된 막을 재산화시킬 때 표면과 계면의 [N]가 감소하였다. 또한 재산화시킬 경우 두께가 약간 증가함을 보였으며, 질화가 강하게 될수록 두께 증가는 크지 않았다. 전기적 특성으로써 I-V 특성과 고주파(1MHz) C-V 특성, 정전류 stress 후의 고주파 C-V 특성 변화 들을 조사한 결과 $950^{\circ}C$ 60초 동안 질화시킨 재산화질화산화막($ONO_L막$) 은 정전류 stress에 대하여 flat band 전압 변화에 계면 상태 밀도(interface state density)변화가 적고, 절연파괴전압(breakdown voltage)특성 등이 우수하게 나타났다.
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김창교
- Proceedings of the KAIS Fall Conference
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- 2002.11a
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- pp.238-242
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- 2002
본 논문에서는 3차원 마이크로구조물을 위한 새로운 Thick Photoresist(TPR) 공정 기술을 개발하였다. 일반적으로 Thin Photoresist는 얇은 두께로 코팅을 할 수 있다. 그러나 SU-8과 같은 TRP은 몇 십 ㎛ 또는 그 이상으로 코팅이 가능하고 높은 종횡비를 얻을 수 있다. SU-8과 같은 TPR을 사용하여 마이크로구조물을 제작할 때 TPR의 crack들은 bake시의 갑작스런 tool down에 의한 stress에 의해 나타나는데, 이러한 crack들은 마이크로구조물의 도금을 어렵게 만든다. 본 논문에서는 TPR의 코팅, baking 시간 조절, cool down과 PEB(Post Expose Sake) 시간 조절을 통하여 stress에 의해 발생되는 crack이 없는 3차원 마이크로구조물을 제작할 수 있는 새로운 공정 기술을 개발하였다.

Yi, Yonggeun;Jeong, Minki;Kang, Deokshin;Kong, busung
- Proceedings of the Korean Society for Noise and Vibration Engineering Conference
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- 2014.10a
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- pp.485-485
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- 2014
배관 가동시 여러 지점에서 가속도를 측정, 이를 이용하여 배관의 어느 부위에 stress가 많이 걸리는지 해석적으로 확인하기 위한 연구이다. 먼저, 배관 설계시 사용된 CEASER II의 정보를 기반으로 해석 모델을 만들었다. 해석 모델을 바탕으로 측정 포인트를 산정한 후, 가동 중인 배관의 가속도를 측정하였다. 측정된 가속도 data를 OMA(Operational Modal Analysis) method를 이용하여 Mode shape 및 Frequency를 추출한 후 이를 바탕으로 배관의 FE 모델을 Updating 하였다. Updating 된 배관 FE 모델에 측정된 가속도 data가 나오도록 Force를 가해 배관에 걸리는 stress를 계산하였다.
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