본 연구에서는 참고문헌 8의 해법을 응용하여 다발 보의 마찰 접촉 문제를 푸는 방법에 대하여 설명한다. 각 보 요소의 변형은 미소변형 및 Bernoulli-Euler이 론을 이용하여 계산하며, 마찰력 계산을 위하여는 Coulomb 마찰 법칙을 이용한다. 보의 종류와 형상 및 보를 묶는 클램프(clamp)의 종류에 따라서 수 많은 종류의 스프 링이 얻어 질 수 있다. 여기에서는 편의상 보 다발이 클램프에 의하여 강하게 묶여 있으며, 그 묶인 점에서는 각 보의 법선 방향(normal direction) 상대 운동은 없는 것 으로 간주한다.
본 논문에서는 다중 빔 형성기법을 이용하여 다중 목표물들의 고각을 추정하는 방법을 제안한다. 이 방법은 배열 소자로 수신되는 신호들을 디지털로 처리해 수신 빔을 스택 빔으로 만들고, 빔 형성기에서는 안테나 소자에 가중치를 적용함으로서 원하는 수신 빔을 생성 할 수 있다. 이때 스택 빔을 구현하기 위해서는 여러 개의 값비싼 위상천이기 필요하지만, 현재는 컴퓨터의 성능이 많이 향상되어 위상변위기 대신에 고속 푸리에 변환을 이용하여 다중스택 빔을 형성한다. 또한 수신기에서 원하는 방향으로 빔을 조향하기 위해서 빔 조향 오차 보정 기법을 적용하여 다중 빔의 지향성을 향상 시킨다. 본 논문에서는 시뮬레이션을 통하여 고속 후리어 변환과 빔 조향오차 보정 기법에 근거를 둔 제안된 고각 추정방법이 기존의 방법에 비해 목표물 추정 면에서 우수함을 보인다.
We report, for the first time, the fabrication of vertically stacked InGaAs/GaAs quantum wires (QWRs) on V-grooved substrates by chemical beam epitaxy (CBE). To fabricate the vertically stacked QWRs structure, we have grown the GaAs resharpening barrier layers on V-grooves with (100)-(322) facet configuration instead of (100)-(111) base at 450 $^{\circ}C$. Under the conditions of low growth temperature, the growth rate of GaAs on the (322) sidewall is higher than that at the (100) bottom. Transmission electron microscopy verifies that the vertically stacked InGaAs QWRs were formed in sizes of about $200{\AA} {\times} 500{\sim}600 {\AA}$. Three distinct photoluminescence peaks related with side-quantum wells (QWLs), top-QWLs and QWRs were observed even at 200 K due to sufficient carrier and optical confinement. These results strongly suggest the existence of the quantized state in the vertically stacked InGaAs/GaAs QWRs grown by CBE.
In this study, residual stress distribution in multi-stacked film by MEMS (Micro-Electro Mechanical System) process is predicted using Finite Element method (FEM). We evelop a finite element program for residual stress analysis (RESA) in multi-stacked film. The RESA predicts the distribution of residual stress field in multi-stacked film. Curvatures of multistacked film and single layers which consist of the multi-stacked film are used as the input to the RESA. To measure those curvatures is easier than to measure a distribution of residual stress. To verify the RESA, mean stresses and stress gradients of single and multi layers are measured. The mean stresses are calculated from curvatures of deposited wafer by using Stoney's equation. The stress gradients are calculated from the vertical deflection at the end of cantilever beam. To measure the mean stress of each layer in multi-stacked film, we measure the curvature of wafer with the left film after etching layer by layer in multi-stacked film.
Chemical beam epitaxy 성장법으로 InP/InGaAs 다층구조의 선택적 영역 에피성장 (selective area epitaxy)을 하였다. <011> 방향에 평행한 직선패턴에서는 선폭이 작아지고, <01-1> 방향에 평행한 직선패턴에서는 선폭이 증가하는 현상이 나타났는데 이는 InGaAs의 <311>A와 B면이 <01-1> 방향에 평행한 직선패턴에서 성장되었기 때문으로 설명되었다. 성장속도가 $1\;{\mu}m/h$인 조건에서 5족 가스의 압력이 감소할수록 (100) 면 위에서 평평한 에피층이 성장되었는데 이는 5족 가스의 과포화현상에 의한 3족 원소의 표면이동으로 설명하였다.
본 논문에서 는 X-band FMCW Radar용 Microstrip Array Patch Antenna를 설계하여 제작하였으며 적층 구조를 채택하여 대역폭 특성을 개선하였다. 배열 안테나는 비유전율 2.33인 기판에 설계하였고, 적층 패치는 비유전율 4.6인 기판을 사용하였다. 배열 안테나와 적층 패치 사이에는 일정한 간격을 유지하기 위하여 공기와 유전율이 비슷한 폼 (foam)을 삽입하였다. 배열 안테나 제작 결과 설계 주파수 9GHz에서 반 전력 빔 폭은 $10.6^{\circ}$, 이득은 18.70dBi, 대역폭은 1.25GHz의 특성을 얻었다. 배열 안테나에 적층 구조를 추가한 결과 반 전력 빔 폭은 $15.17^{\circ}$, 이득은 15.85dBi, 대역폭은 2GHz의 특성을 얻었고, 향후 X-Band FMCW Radar에 응용하기 위해서는 배열 안테나의 대역폭은 유지한 채 이득을 개선할 필요가 있다.
The activation method of metallic foils is an important technique to measure the flux and energy of proton beams. In this paper, the method was used to measure the CSNS APEP proton flux at seven nominal proton energies ranging from 10 MeV to 70 MeV for beam spot sizes of the 20 mm × 20 mm and 50 mm × 50 mm. The reactions of natTi(p, x)48V, natNi(p, x)57Ni, natCu(p, x)58Co, and 27Al(p, x)24Na were employed to measure the proton beam flux with a range of 107-109 p/cm2/s. Furthermore, we also proposed a method using the activity ratio with a stacked-foil target to determine the energy spread of a Gaussian-like distribution for different nominal proton energies. The optimal combinations of Al, Cu, Ti, Ni, Mo, Fe, Nb, and In foils were adopted for the proton energies. The measured energy spreads for degraded beams of 30 MeV-70 MeV were found to be smaller than 10.00%.
Projection microstereolithography is a process of fabricating a micro-structure by using dynamic mask such as digital micromirror device(DMD). DMD shapes the beam into cross-sectional image of structure. Photocurable resin is cured by the beam and stacked layer on top of layer. It is difficult to deliver the beam from the DMD to the photocurable resin without any distortions. We assume that the beam exposed to the resin by 1 pixel of DMD has Gaussian distribution, so the shaped beam reflected by the DMD affects its neighboring area. Curing pattern corresponding to a cross-sectional images is predicted by superposition of pixels of Gaussian distribution and it is similar to cured shape.
The multibeam surveillance radar is a state-of-art of 3D radar technology. It applies the stacked beams realized by a digital beamformer. In this paper, a hybrid compensation technique on elevation angle errors for low elevation angle targets over the sea in multipath radar environments is proposed. The proposed method can be applied to stacked beam radars. Double null algorithm based on maximum likelihood method in 3-D beamspace domain works well unless the phase difference between the two rays(direct and specular path) is close to $0^{\circ}$ and the magnitude of reflection coefficient is close to 0. To overcome these problems, we propose a hybrid compensation technique which uses the selective double null algorithm and the beam-ratio compensation technique for low-elevation errors on a log scale. Results of computer simulation show that the proposed method outperform conventional monopulse method and double null algorithm only under various multipath environments.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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