Contaminant transport in groundwater induces major threat and harmful effect on the environment; hence, the fate of the contaminant migration in groundwater is seeking a lot of attention. In this paper a two dimensional numerical flow and transport model through saturated layered soil is developed. Groundwater flow and solute transport has been simulated numerically using proposed model. The model implements the finite volume time splitting method to discretize the main equations. The performance, accuracy and efficiency of the out coming numerical models have been successfully examined by two test cases. The verification test cases consist of two-dimensional, groundwater flow and solute transport. The final purpose of this paper is to discuss and compare the shape of contaminant plume in homogeneous and heterogeneous media with different soil properties and control of solute transport using a zone for minimizing the potential of groundwater contamination; furthermore, this model leads to select the effective and optimum remedial strategies for cleaning the contaminated aquifers.
Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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2015.05a
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pp.101-101
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2015
Photoelectrochemical water splitting is considered as a promising method of transforming solar energy into chemical energy stored in the type of hydrogen. An n-type $WO_3$ semiconductor is one of the most promising photoanodes for hydrogen production from water splitting. Films annealed at lower temperatures consisted of amorphous, whereas films annealed above $500^{\circ}C$ comprised solely of monoclinic $WO_3$. In this study, we observed photoactivity of $WO_3$ as increasing thickness of $WO_3$. And it shows good photoacivity as thickness increases. Also we tried to improve photoactivity through surface modification and bulk modification by using hydrogen treatment and conducting polymer. The photocurrent was measured in potentiostatic method with the three electrode system. A Pt wire and Ag / AgCl electrode were used as the counter electrode and the reference electrode, respectively. photocurrent-time (I-T) curve was measured at a bias potential of 0.79 V.
The goal of this paper is to study decay properties of weak solutions to Cauchy problem of the non-stationary fractional Navier-Stokes equations. By using the Fourier splitting method, we give the time L2-decay rate of weak solutions, which reveals that L2-decay is generally determined by its linear generalized Stokes flow. In second part, we establish various decay results and the uniqueness of the two dimensional fractional Navier-Stokes flows. In the end of this article, as an appendix, the existence of global weak solutions is given by making use of Galerkin' method, weak and strong compact convergence theorems.
An account of second-order fractional-step methods and boundary conditions for the incompressible Navier-Stokes equations is presented. The present work has aimed at (i) identification and analysis of all possible splitting methods of second-order splitting accuracy; and (ii) determination of consistent boundary conditions that yield second-order accurate solutions. It has been found that only three types (D, P and M) of splitting methods called the canonical methods are non-degenerate so that all other second-order splitting schemes are either degenerate or equivalent to them. Investigation of the properties of the canonical methods indicates that a method of type D is recommended for computations in which the zero divergence is preferred, while a method of type P is better suited to the cases when highly-accurate pressure is more desirable. The consistent boundary conditions on the tentative velocity and pressure have been determined by a procedure that consists of approximation of the split equations and the boundary limit of the result. The pressure boundary condition is independent of the type of fractional-step methods. The consistent boundary conditions on the tentative velocity were determined in terms of the natural boundary condition and derivatives of quantities available at the current timestep (to be evaluated by extrapolation). Second-order fractional-step methods that admit the zero pressure-gradient boundary condition have been derived. The boundary condition on the new tentative velocity becomes greatly simplified due to improved accuracy built in the transformation.
In the applications of rock mechanics or rock engineering including drill and blast, drilling and mechanical excavation, the fracture toughness is an important factor. Several methods have been proposed to measure the fracture toughness of rocks. In this study, wedge splitting test specimen which is prepared with ease and tested under compression loading was used to obtain mode I fracture toughness of rocks. The equation of stress intensity factor through numerical analysis is proposed from the stress state of crack tip considering both vertical and horizontal loads due to the vertical load acting on the wedge. The validity of the wedge splitting test method was confirmed by comparing the mode I fracture toughness values obtained by the GD and SENB test specimens.
Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea TC
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v.45
no.2
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pp.92-96
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2008
Practical communication systems need to operate at various different rates. This paper describes and analyzes low-density parity check codes for various different rates. From a specific mother code, it allows LDPC codes for different rate. The advantage of this technique is that each different rate LDPC codes have a same block length as mother code though the rate changes so it can make up for the weak points of puncturing and shortening which reduce their block length as the rate changes. Row-splitting method is to split the row, so that the rate changes from a higher rate to lower rate and cause of its own property, it can overcome the defect of row-combining method.
Park, Chang-Sun;Hong, Kwang-Joon;Lee, Sang-Youl;You, Sang-Ha;Lee, Bong-Ju
Journal of Sensor Science and Technology
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v.16
no.1
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pp.1-6
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2007
A silver indium sulfide ($AgInS_{2}$) epilayer was grown by the hot wall epitaxy method, which has not been reported in the literature. The grown $AgInS_{2}$ epilayer has found to be a chalcopyrite structure and evaluated to be high quality crystal. From the photocurrent measurement in the temperature range from 30 K to 300 K, the two peaks of A and B were only observed, whereas the three peaks of A, B, and C were seen in the PC spectrum of 10 K. These peaks are ascribed to the band-to-band transition. The valence band splitting of $AgInS_{2}$ was investigated by means of the photocurrent measurement. The crystal field splitting, ${\Delta}cr$, and the spin orbit splitting, ${\Delta}so$, have been obtained to be 0.150 eV and 0.009 eV at 10 K, respectively. And, the energy band gap at room temperature has been determined to be 1.868 eV. Also, the temperature dependence of the energy band gap, $E_{g}$(T), was determined.
Transactions of the Korean hydrogen and new energy society
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v.18
no.4
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pp.356-364
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2007
The partial reduction and water splitting properties of metal substituted ferrite mediums for two-step thermochemical hydrogen production, were carried out by TPR/O(Temperature programmed reduction/oxidation) method at a temperature of below 1173 K and under atmospheric pressure. $ZrO_2$ was added to the ferrite as a binder to prevent the sintering. As the results, the reactivity of the metal species added to the ferrite mediums decreased in the order of Cu>Co>Ni>Mn, on the basis of water-splitting temperature. It was also found that the produced hydrogen amounts in the water-splitting step on partial reduced mediums were corresponding to the consumed hydrogen amounts in the previously partial reduction step.
Single crystal $AgGaSe_{2}$ layers were grown on thoroughly etched semi-insulating GaAs(100) substrate at $420^{\circ}C$ with hot wall epitaxy (HWE) system by evaporating $AgGaSe_{2}$ source at $630^{\circ}C$. The crystalline structure of the single crystal thin films was investigated by the photoluminescence and double crystal X-ray diffraction (DCXD). The carrier density and mobility of single crystal $AgGaSe_{2}$ thin films measured with Hall effect by van der Pauw method are $4.05{\times}10^{16}/cm^{3}$, $139cm^{2}/V{\cdot}s$ at 293 K, respectively. The temperature dependence of the energy band gap of the $AgGaSe_{2}$ obtained from the absorption spectra was well described by the Varshni's relation, $E_{g}(T)$=1.9501 eV-($8.79{\times}10^{-4}{\;}eV/K)T^{2}$/(T+250 K). The crystal field and the spin-orbit splitting energies for the valence band of the $AgGaSe_{2}$ have been estimated to be 0.3132 eV and 0.3725 eV at 10 K, respectively, by means of the photocurrent spectra and the Hopfield quasicubic model. These results indicate that the splitting of the ${\Delta}So$ definitely exists in the ${\Gamma}_{5}$ states of the valence band of the $AgGaSe_{2}$. The three photocurrent peaks observed at 10 K are ascribed to the $A_{1}-$, $B_{1}-$, and $C_{1}-$exciton peaks for n=1.
ZnO epilayer were synthesized by the pulesd laser deposition(PLD) process on $Al_{2}O_{3}$ substrate after irradiating the surface of the ZnO sintered pellet by the ArF(193 nm) excimer laser. The epilayers of ZnO were achieved on sapphire ($Al_{2}O_{3}$) substrate at a temperature of $400^{\circ}C$. The crystalline structure of epilayer was investigated by the photoluminescence. The carrier density and mobility of ZnO epilayer measured with Hall effect by van der Pauw method are $8.27{\times}1016cm^{-3}$ and $299cm^{2}/V{\cdot}s$ at 293 K, respectively. The temperature dependence of the energy band gap of the ZnO obtained from the absorption spectra was well described by the Varshni's relation, $E_{g}(T)$=3.3973 eV-($2.69{\times}10^{-4}$ eV/K)$T^{2}$/(T+463K). The crystal field and the spin-orbit splitting energies for the valence band of the ZnO have been estimated to be 0.0041 eV and 0.0399 eV at 10 K, respectively, by means of the photocurrent spectra and the Hopfield quasicubic model. These results indicate that the splitting of the ${\Delta}so$ definitely exists in the ${\Gamma}_{6}$ states of the valence band of the ZnO. The three photocurrent peaks observed at 10 K are ascribed to the $A_{1}-$, $B_{1}-$, and $C_{1}-$exciton peaks for n = 1.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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