• Journal of information and communication convergence engineering
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• 제4권2호
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• pp.88-91
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• 2006

In this paper, a novel physical structure for planar spiral inductors is proposed. The spiral inductors were designed and fabricated on multi-layered substrate Bragg-reflector/silicon (BR/Si) wafer. The impacts of multi-layered structure substrate and pattern on characteristics of inductor were studied. Experimental results show that the inductor embedded on Bragg reflector/silicon substrate can achieve the best improvement. At 0.4-1.6 GHz, the Bragg reflector seems to significantly increase the S11-parameter of the inductor.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2006년도 춘계종합학술대회
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• pp.255-258
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• 2006

In this paper, a novel physical structure for planar spiral inductors is proposed. The spiral inductors were designed and fabricated on multi-layered substrate Bragg-reflector/silicon (BR/Si) wafer. The impacts of multi-layered structure substrate and pattern on characteristics of inductor were studied. Experimental results show that the inductor embedded on Bragg reflector/silicon substrate can achieve the best improvement. At 0.4-1.6 GHz, the Bragg reflector seems to significantly increase the $S_{11}-parameter$ of the inductor.

• 한국진공학회지
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• 제8권4A호
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• pp.461-464
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• 1999

Planar type thin film inductors have a potential for the application of miniaturized DC-DC converters. For those high current applications, the magnetic film with high current capability is required. The current capability of magnetic films is mainly determined from high saturation magnetization (4$\piM_s$) as well as large anisotropy field $(H_k)$. We fabricated a double rectangular spiral thin film inductor which consist of magnetic layer, coil and insulator. Highest inductance values as well as best frequency characteristics can be obtained from 5 MHz and quality factor exhibit about 7.

• 한국산학기술학회논문지
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• 제12권9호
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• pp.4101-4106
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• 2011

본 논문에서 기존 underpass와 via를 갖는 단층 나선형 박막 인덕터를 확장하여 제한된 점유면적 내에서 인덕턴스를 증가시킬 수 있는 하층 나선형 코일과 via를 갖는 2층 나선형 박막 인덕터의 구조를 제안하고 주파수 특성을 확인하였다. 인덕터의 구조는 Si를 $300{\mu}m$, $SiO_2$를 $7{\mu}m$으로 하였으며, Cu 코일의 폭과 선간의 간격은 각각 $20{\mu}m$으로 설정하여 3회 권선하였다. 나선형 박막 인덕터의 성능을 나타내는 인덕턴스, quality-factor, SRF에 대한 주파수 특성을 HFSS로 시뮬레이션 하였다. 2층 나선형 박막 인덕터는 0.8~1.8GHz 범위에서 3.2nH의 인덕턴스, 2.5GHz에서 최대 8.2 정도의 품질계수를 가지며, SRF는 5.8GHz로 시뮬레이션 결과를 얻었다. 반면에 단층 나선형 박막 인덕터는 0.8~1.8GHz 범위에서 1.5nH의 인덕턴스, 8GHz에서 최대 18 정도의 품질계수를 가지며, SRF는 19.2GHz로 시뮬레이션 결과를 얻을 수 있었다.

• 한국산학기술학회논문지
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• 제15권4호
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• pp.2330-2334
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• 2014

본 논문에서는 무선 신호전송을 위한 비접촉 방식의 AC커플링(Coupling)기반 평면 나선형 인덕터의 주파수 특성을 분석하였다. 기판의 유전상수의 변화는 소자의 인덕턴스에 직접적인 영향을 주지 않고 소자의 전기용량에 영향을 주어 공진주파수를 변화시키는 것을 알 수 있다. 기판의 두께가 증가할수록 인덕턴스는 증가하지만 공진주파수는 감소하였으며, 이것은 기판 두께의 감소로 인해 내부 전기용량이 증가하였기 때문이다. 인덕터의 도체 선 폭이 증가하여도 전체 인덕터 크기와 턴 수 및 선 간격이 일정함으로 내부 사각 코일의 도선 면적이 작아지게 되어 각각의 자기 인덕턴스가 감소하게 되고 공진주파수는 증가되게 된다. 또한, 도체의 선 간격이 증가하면 내부 사각 코일의 도선 면적이 작아지게 된다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제19권2호
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• pp.257-262
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• 2008

본 논문에서는 열전도도가 우수한 AIN 기판에 $CO_2$ Laser 장비 를 이용하여 Thru-hole과 scribing line을 형성하기 위해 $CO_2$ laser의 파라미터(촛점 거리, 공기량, 레이저 빔 시간, 펄스 개수)를 실험하고, 자체 정렬 마스킹 기법을 이용한 5 um 두께의 Cu 도금으로 AIN 기판에 전송 선로와 나선형 평면 인덕터를 제작하였다. AIN 기판에서의 마이크로스트립 라인의 전송 손실은 10 GHz에서 0.1 dB/mm, 6 nH 나선형 평면 인덕터는 1 GHz에서 56의 품질 계수를 얻었고, 이를 통해 열전도도가 우수한 AIN 기판의 고전력 RF 응용이 가능할 것으로 기대한다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제22권10호
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• pp.826-831
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• 2009

In this paper, a high power RF amplifier module using AlN substrate of high thermal conductivity has been proposed. This RF amplifier module has the advantage of compact size and effective heat dissipation for the packaging of high power chip. To fabricate the thru-hole and scribing line on AlN substrate, the key parameters of $CO_2$ laser were experimented. And then, microstrip lines and spiral planar inductors were fabricated on an AlN substrate using the thin-film process. The fabricated microstrip lines on the AlN substrate has an attenuation value of 0.1 dB/mm up to 10 GHz. The fabricated spiral planar inductor has a high quality factor, a maximum of about 62 at 1 GHz for a 5.65 nH inductor. Packaging of a RF power amplifier was implemented on an AlN substrate with thru-hole. From the measured results, the gain is 24 dB from 13 to 15 GHz and the output power is 33.65 dBm(2.3 W).

• 전력전자학회:학술대회논문집
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• 전력전자학회 2017년도 추계학술대회
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• pp.135-136
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• 2017

In this paper, a spiral inductor is designed and its inductance is calculated by the expended Grover method. To verify this, a rectangular planar inductor is printed by inkjet printer using conductive ink and the calculated inductance value is compared with its measured value.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 1998년도 추계학술발표강연 및 논문개요집
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• pp.74-74
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• 1998

• Journal of Magnetics
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• 제6권2호
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• pp.73-76
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• 2001

A double rectangular spiral type inductor has been fabricated by using FeTaN films. The inductor is composed of internal coils sandwiched by magnetic layers. Characteristics of inductor performance are investigated with an emphasis on planarization of magnetic films. In the absence of the planarization process, the grating topology of the upper magnetic films over the coil arrays degrades the soft magnetic properties and the inductor performance. It also induces a longitudinal magnetic anisotropy with the easy axis aligned to the magnetic flux direction. This alignment prevents the upper magnetic films from contributing to the total induction. Glass bonding is a viable method for achieving a completely planar inductor structure. The planar inductor with glass bonding shows excellent performance: inductance of 1.1 $\mu H$, Q factor of 7 (at 5 MHz), and the current capability up to 100 mA.