A comprehensive theory of the spin coating technique has been reviewed and the basic principles and parameters controlling the process are clearly highlighted, which include spin speed, spin time, acceleration and fume exhaust. The process generally involves four stages: a dispense stage, substrate acceleration stage, a stage of substrate spinning at a constant rate and fluid viscous forces dominate fluid thinning behaviour and a stage of substrate spinning at a constant rate and solvent evaporation dominates the coating thinning behaviour. The study also considered some common thin film defects associated with this technique, which include comet, striation, chucks marks environmental sensitivity and edge effect and possible remedies.
Description and theory of spin coating technique has been elaborately outlined and a spin coating machine designed and fabricated using affordable components. The system was easily built with interdisciplinary knowledge of mechanics, fluid mechanics and electronics. This equipment employs majorly three basic components and two circuit units in its operation. These include a high speed dc motor, a proximity sensor mounted at a distance of about 15 mm from a reflective metal attached to the spindle of the motor to detect every passage of the reflective metal at its front and generate pulses. The pulses are transmitted to a micro-controller which process them into rotational speed (revolution per minute) and displays it on a lead crystal display (LCD) which is also a component of the micro-controller. The circuit units are a dc power supply unit and a PWM motor speed controlling unit. The various components and circuit units of this equipment are housed in a metal casing made of an 18 gauge black metal sheet designed with a total area of 1, $529.2cm^2$. To illustrate the use of the spin-coating system, ZnO sol-gel films were prepared and characterized using SEM, XRD, UV-vis, FT-IR and RBS and the result agrees well with that obtained from standard equipment and a speed of up to 9000 RPM has been achieved.
Recovery of valuable metals in the industrial wastewater and sludge has attracted an attention owing to limited metallic resources in the earth. In this study, we firstly fabricated Ti/Ir-Ru electrodes by spin coating technique for effective recovery of Cu in electrowinning process. Two different Ti/Ir-Ru electrodes were fabricated using 100 and 500 mM of precursors (i.e., Ir-Ru). SEM-EDX and AFM revealed that Ir and Ru were homogenously distributed on the surface of Ti plate by the spin coating, in particular the electrode prepared by 500 mM showed distinct boundary line between Ir-Ru layer and Ti substrate. XRD, XPS, and cyclic voltammetry also revealed that characteristics of IrO2, RuO2, and TiO2 and its electrocatalytic property increased as the concentration of coating precursor increased. Finally, we carried out Cu recovery experiments using two Ti/Ir-Ru as anodes in electrowinning process, showing that both anodes showed a complete removal of Cu (1 and 10 g/L) within 6 h reaction, but much higher kinetic rate constant was obtained by the anode prepared by 500 mM. The findings in this study can provide a fundamental knowledge for surface characteristics of Ti/Ir-Ru electrode prepared by spin coating method and its potential feasibility for effective electrowinning process.
Seo, Bu-Wan;Kim, Ju-Seung;Gu, Hal-Bon;Lee, Kyung-Sup;Park, Bok-Gi;Park, Gye-Chun
Proceedings of the KIEE Conference
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1999.11d
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pp.962-964
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1999
We studied emitting properties of devices fabricated using the spin-coating and Langmuir-Blodgett[LB] technique. The LB technique has the advantage of precise control of the thickness better than spin-coating method. Poly(3-hexylthiophene)[P3HT] LB films used as the emitting layer in light-emitting devices. LB monolayers were deposited 27 layers onto the indium-tin-oxide[ITO] as Y-type films by the vertical dipping method. The thickness is about 80nm. Absorption spectrum of LB films presented that P3HT is regiorandom conformation. Also, current-voltage-luminance characteristics and electroluminescence spectra of light-emitting devices fabricated by LB method is studied. In current-voltage-luminescence characteristics, turn-on voltage of P3HT LB film LEDs is higher than that of spin-coating LEDs. But electroluminescence spectrum is similar to the spin-coating LEDs. The orange-red light was clearly visible in a darkened room.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.14
no.9
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pp.757-761
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2001
We studied emitting properties of organic electroluminescent devices fabricated using the spin-coating and Langmuir-Blodgett(LB) technique. The LB technique has the advantage of precise control of the thickness better than spin-coating method. LB monolayer of poly(3-hexylthiophene)(P3HT) was deposited 27 layers onto the indium-tin-oxide(ITO) substrate as Y-type films by the vertical dipping method. In the absorption spectra, the λ$\_$max/ of P3HT-AA LB films and of spin-coating films showed about at 510, 545 and 590 nm corresponding to 2.43, 2.28, 2.10eV. And we observed that the turn-on voltage of devices deposited by LB method(10V) was higher than that of spin-coating method(8.5V) in voltage-current-luminance characteristic. In the logV-logJ characteristics of ITO/P3HT-AA LB/Al device, we confirmed that El device fabricated by LB method follows three conduction mechanisms: ohmic, space-charge-limited current(SCLC) conduction and trapped-carrier-limited space-charge current(TCLC) conduction.
This work presents a detailed study of several parameters on the spray coating method for fabricating a flexible cantilever. Conventionally, spin coating method have been widely used in the microelectromechanical system (MEMS) fabrication process. However, the major drawback of this method is the difficulties in protecting various topography with photoresist film, particularly when the device is manufactured in high aspect ratio. It is also a challenging process to form a small pattern in the etched area. On the other hand, the commercial spray coating systems are not advantageous from an economic perspective and the technique is also providing less efficient. In order to solve these issues, we have developed a manual spray coating system which can be efficiently used by combining the accessories available in the laboratory. The developed spray coating system consists of a spin-coater, motorized stage, a spray gun with the capable of controlling centrifugal force, injection amount, injection angle, and spray range. The major advantage of the proposed spray coating system is its reasonable fabrication cost. Secondly, the system can be easily disassembled after finishing the coating experiment. Owing to the mentioned advantages, we sincerely believe that the proposed spray coating system can be effectively used in many related applications.
Amorphous Ge20As20Se60 chalcogenide thin films were prepared by spin coating technique from mixed solutions of As40Se60 and Ge40Se60 dissolved in ethylenediamine. Films were prepared at a roating speed of 3500 rpm and spinning time was 10 second and heat-treateed at 27$0^{\circ}C$ for 1 hour. The resulting film thickness and RMS roughness were approximately 340 nm and 15$\AA$. Photostructure changes were investigated with 514.5nm Ar+ laser irradiation and heat-treatment. After Ar+ laser irradiation, transmittance and transmission efficiency decreased respectively up to 24.9% at 2.43 eV and 67.5% at 3.27 eV, and absorption edge shifted toward long wavelength. Optical bandgap changed from 2.03 to 1.83 eV, and absoprtion coefficient and absorption efficiency increased up to 0.33$\times$105cm-1 at 3.37eV and 88.3% at 1.31 eV, respectively. These photodarkening state were recovered reversibly by heat-treatment at 27$0^{\circ}C$ for 1 hour. Photodarkening and thermal bleaching effects by laser irradiation and heat-treatment revealed reversible amorphous-to-amorphous transition varying only coordination number.
To achieve high-performance colloidal quantum dot light-emitting diodes (QD-LEDs), the use of a densely packed QD film is crucial to prevent the formation of leakage current pathways and increase in interface resistance. Spin coating is the most common method to deposit QDs; however, this method often produces pinholes that can act as short-circuit paths within devices. Since state-of-the-art QD-LEDs typically employ mono- or bi-layer QDs as an emissive layer because of their low conductivities, the use of a densely packed and pinhole-free QD film is essential. Herein, we introduce the Langmuir-Blodgett (LB) technique as a deposition method for the fabricate densely packed QD films in QD-LEDs. The LB technique successfully transfers a highly dense monolayer of QDs onto the substrate, and multilayer deposition is performed by repeating the transfer process. To validate the comparability of the LB technique with the standard QD-LED fabrication process, we fabricate and compare the performance of LB-based QD-LEDs to that of the spin-coating-based device. Owing to the non-destructiveness of the LB technique, the electroluminescence efficiency of the LB-based QD-LEDs is similar to that of the standard spin coating-based device. Thus, the LB technique is promising for use in optoelectronic applications.
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.12
no.1
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pp.7-10
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2002
$TiO_2$ thin films were prepared by coating and subsequent pyrolysis processes using Titanium-naphthenate as a raw material. $TiO_2$ thin films were made by spin-coating technique on the glass substrates, and heat treated at 45$0^{\circ}C$, The transmittance, refractive index, crystallinity and surface morphology of the $TiO_2$ thin films were measured by UV/Vis spec trophotometer, x-ray diffractometer and scanning electron microscope. $TiO_2$thin films on the slide glass showed the trans mittance of 70-90% and refractive index of 2.6 at 420 nm. The results of XRD and SEM showed that the $TiO_2$ thin films exhibited the anatase phase and the thread-like surface morphology.
Park, Dasom;Lee, Wonseok;Jang, Jinwoong;Yim, Sanggyu
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2016.02a
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pp.420.1-420.1
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2016
Colloidal quantum dot (CQD) is emerging as a promising active material for next-generation solar cell applications because of its inexpensive and solution-processable characteristics as well as unique properties such as a tunable band-gap due to the quantum-size effect and multiple exciton generation. However, the most widely used spin-coating method for the formation of the quantum dot (QD) active layers is generally hard to be adopted for high productivity and large-area process. Instead, the spray-coating technique may potentially be utilized for high-throughput production of the CQD solar cells (CQDSCs) because it can be adapted to continuous process and large-area deposition on various substrates although the cell efficiency is still lower than that of the devices fabricated with spin-coating method. In this work, we observed that the subsequent treatment of two different ligands, halide ion and butanedithiol, on the lead sulfide (PbS) QD layer significantly enhanced the cell efficiency of the spray CQDSCs. The maximum power conversion efficiency was 5.3%, comparable to that of the spin-coating CQDSCs.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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