Vibrational properties of dopamine neutral species in powder state have been studied by means of the normal mode analysis based on the force constants obtained from the density functional calculation at B3LYP level and the results of Fourier trans form Raman and infrared spectroscopic measurements. Ab initio calculation at MP2 level shows that the trans conformer of dopamine has higher electronic energy about 1.4 kcal/mol than those of the gauche+ and the gauche-conformers, and two gauche conformers have almost the same energies. Free energies calculated at HF and B3LYP levels show very similar values for three conformers within 0.3 kcal/mol. Empirical force field has been constructed from force constants of three conformers, and refined upon ex-perimental Raman spectrum of dopamine to rigorous values. The major species of dopamine neutral base in the powder state is considered a trans conformer as shown in the crystallographic study of dopamine cationic salt.
치환나프톨류(4-Cl-1-naphthol, 6-Br-2-naphthol and $8-NH_2-2-naphthol)$의 해리상수를 온도(25 ~ 40${\circ}C$)와 압력(1~2000bar)을 변화시키면서 분광학적 방법으로 측정했다. 이들의 해리상수는 치환기가 들어가므로서 모두 감소했다. 이것은 치환기의 I-효과로서 설명이 가능했으며 또 온도와 압력이 증가하면 해리상수도 증가하였다. 이들 해리상수로부터 반응의 열역학적 성질을 계산하여 반응의 성질을 알아보았다.
The removal effectiveness of various heavy metal ions in boron-rich containing plants has been studied by means of spectroscopic and pH methods. Treatment of the boron-rich containing sample which was collected from cherry and root of cabbage to heavy metal ions is resulted in that an excellent removal effect shows in the case of large ionic size of heavy metal. Stability constants are depended on the variation of pH.
영상표시방법은 관례적인 CRT 방법에 더하여 LCD, TFT-LCD, FED, PDP 등 다양한 방법들이 개발되었거나 개발되고 있다. 유기발광소자(OLED)를 이용한 영상표시법도 최근 그 실용성이 크게 향상된 방법으로 이 OLED를 이용하는 발광소자는 LCD, TFT-LCD 등의 방법과 마찬가지로 다층박막구조를 가지므로 각 박막층의 특성과 계면 급준성 등을 정확하게 평가하는 것은 긴요하다 하겠다. (중략)
The second order ab initio effective valence shell Hamiltonian is calculated for the valence state potential energy curves of NH and $NH^+$. From the potential energy curves various spectroscopic constants of valence states are determined. The results are in good agreement with experiments and configuration interaction calculations. They show the composite picture of potential energy curves and also indicate that the second order effective Hamiltonian theory is adequate for describing various valence states of a molecule and its ions simultaneously.
금속테의 황색도금물질로 사용되는 티타늄질화물(titanium nitride: $TiN_x$)의 단일박막을 질소가스의 양을 달리 공급 하여 Si(100) 기판위에 초고진공 RF 마그네트론 스퍼터링(ultra high vacuum radio frequency magnetron sputtering) 방법으로 증착하였다. 박막 증착 후 가변입사각분광타원계를 사용하여 1.5-5.0 eV 에너지 영역에서 타원 각 ${\Delta}$와 ${\Psi}$를 측정하였다. 이 측정결과들을 Drude+Lorentz oscillator 분산관계식을 사용하여 최적 맞춤하고, 매개변수들을 구하여 박막의 광학상수인 굴절계수 $n({\lambda})$과 소광계수 $k({\lambda})$를 각각 결정하였다.
Amorphous $Co_{80+x}TM_{12}B_{8-x}$ (TM = Ti, Zr, Hf, Nb and x = 0, 2, 4 at%) alloys were prepared by single roll melt spinning technique. Saturation magnetization of the amorphous ribbons was measured by SQUID and vibrating sample magnetometer from 5 to 800 K under applied fields up to 10 kOe. Typical thermo-magnetization curves were observed and the average values of the spectroscopic splitting g factor were estimated from the ferromagnetic resonance curve. For all the amorphous alloys studied here the saturation magnetization in the temperature range 5 K up to about $0.3T_{c}$ can be described by the Bloch relation: $M_{s}(T)\;=\;M_{s}(0)(1-BT^{3/2}-CT^{5/2})$. From the values of $M_{s}(0)$, B and spectroscopic splitting g factor the spin wave stiffness constants were calculated.
[ $V_{2}O_{5}$ ] 박막의 성장특성을 분석하기 위해 RF 스퍼터링 시스템으로 C-Si 기판에 10 %와 0 %의 산소 분압비로 시료를 제작하였다. 구조적 특성의 분석을 위해 SBM과 XRD 측정을 실시하였고, 위상변조방식의 분광타원계를 이용하여 $0.75{\sim}4.0\;eV$ 범위에 걸쳐 타원상수를 측정하였다. 측정된 타원상수 분석을 위해 상용화된 분석용 프로그램인 DeltaPsi2를 이용하여, Double Amorphous 분산관계식으로 최적 맞춤 하였다. SEM과 XRD 측정결과 시료의 표면 및 결정 상태는 비정질임을 확인하였고, 타원상수의 분석에 의해 $V_{2}O_{5}$층의 두께, void비율, 표면 거칠기를 알 수 있었다. 또한 SEM 측정치와 비교한 결과 두 시료의 두께와 표면 거칠기의 결과가 잘 일치함을 확인 하였다.
PZT (Pb(Zr,Ti)O3) thin films have been used widely in the MEMS application, due to their inherent ferroelectric and piezoelectric properties. Such ferroelectricity induces much higher dielectric constants compared to those of the nonperovskite materials. In this work, the PZT thin films were deposited onto Indium-Tin-oxide (ITO) substrates through the spin-coating of PZT sols. The deposited PZT thin films were characterized in terms of the electrical and optical properties with special emphases on conductivity and optical constants. The detailed analysis techniques incorporate the dc-based current-voltage characteristics for the electrical properties, spectroscopic ellipsometry for optical characterization, atomic force microscopy for surface morphology, X-ray Photoelectron Spectroscopy for chemical bonding, Energy-dispersive X-ray Spectrometry for chemical analyses and X-ray diffraction for crystallinity. The ferroelectric phenomena were confirmed using capacitance-voltage measurements. The integrated physical/chemical features are attempted towards energy-oriented applications applicable to next-generation high-efficiency power generation systems.
We studied the optical characteristics correlated with low dielectric constants of low-k SiOCH thin films through ellipsometry. The low-k SiOCH thin films were prepared by CCP-PECVD method using BTMSM(Bis-trimethylsilylmethane) precursors deposited on p-Si wafer. The Si-O-CHx, Si-O-Si, Si-CHx, CHx and Si-H bonding groups were specified by FTIR spectroscopic spectra, and the groups coupled with the nano-porous structural organic/inorganic hybrid-type of SiOCH thin films which has extremely low dielectric constant close to 2.0. The structural groups includes highly dense pore as well as ions in SiOCH thin films affecting to complex refraction characteristics of single layer on the p-Si wafer. The structural complexity originate the complex refractive constants of the films, and resulted the elliptical polarization of the incident linearly polarized light source of Xe-light source in the range from 190 nm to 2100 nm. Phase difference and amplitude ratio between s wave and p wave propagating through SiOCH thin film was studied. After annealing, the amplitude of p wave was reduced more than s wave, and phase difference between p and s wave was also reduced.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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