• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제24권4호
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• pp.73-77
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• 2017

최근 정보 보호가 이슈화됨에 따라 지문인식센서의 활용이 점차 증가하고 있으며, 센서 인식률 오차를 최소화 할 수 있는 품질평가를 요구한다. 지문인식센서 전극과 검사부 프로브 팁이 접촉 시 발생하는 저항 값의 변화에 의해 센서의 품질이 평가되며, 품질평가의 재현성을 확보하기 위해서는 센서 전극의 변형 유발을 최소화할 수 있는 프로브 소재의 적합성과 구조 최적화 연구가 필요하다. 프로브 팁의 적합성 평가를 위한 소재로 니켈(Ni), 스틸(SK4), 베릴륨동(Beryllium copper), 인청동(Phosphor bronze)을 비교하였으며, 프로브 팁 접촉 후 전극의 압흔 크기와 접촉저항을 고려할 때 베릴륨동이 프로브 소재로 적합하다. 검사부 프로브는 지문인식센서 전극의 물리적 손상 방지와 다수의 지문인식센서 동시 검사가 가능한 구조를 위해 일체형 프로브 방식으로 제작하였다. 검사부의 재현성은 특정 전류 값을 인가하여 지문인식센서의 전압 변화로 판단하였으며, 베릴륨동 프로브 소재와 일체형 구조를 통해 센서 전극에 프로브가 300회 접촉하는 동안 센서의 전압 변화는 ${\pm}0.003V$ 이내의 우수한 재현성을 확인하였다.

• 지질공학
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• 제26권1호
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• pp.51-61
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• 2016

최근 들어 도심지 재개발과 산업단지 조성 등이 활발하게 진행되면서 깎기 비탈면의 효율적 활용과 민원방지 그리고 환경훼손을 최소화할 수 있는 공법의 필요성이 점차 커지고 있다. 판넬식 옹벽은 지보재 보강을 통해 원지반의 전단강도를 증가시키고 전면판인 프리캐스트 판넬과 지보재를 체결하여 개별적 벽체를 형성시킴으로써 수평토압에 저항하는 공법이다. 프리캐스트 판넬의 적용으로 기존 옹벽에서 발생하던 콘크리트 현장타설에 의한 공기지연과 콘크리트 품질저하 등의 문제는 다소 해결되었지만 비탈면 과다절취에 의한 사토처리 및 토취장 확보, 및 옹벽 전면 콘크리트 노출로 인한 경관성 저하문제는 여전히 미결과제로 남아있는 실정이다. 본 연구에서는 기존 판넬식옹벽의 단점을 보완하기 위하여 판넬 전면을 자연암반형으로 연출하고 수직의 원지반에도 부착이 가능하도록 공정을 개선하였으며 실내 및 현장시험을 통하여 개발된 옹벽의 현장 적용성 평가를 수행하였다. 판넬에 대한 실내시험을 수행하여 자연암반형 판넬의 자체강도 및 거동특성에 대한 검증을 수행하였으며 현장 시험시공을 통하여 수직절취 및 원지반 부착에 대한 현장 적용성을 평가하였다. 또한 시험시공 시 보강재 및 비탈면에 대한 계측 을 수행하였으며 이를 3차원 수치해석 결과와 비교·분석하였다. 실내시험 결과 사보강에 의한 판넬의 펀칭강도 증가를 확인하였으며 현장 시험시공을 통하여 원지반 부착식 옹벽의 시공성 및 현장 적용성을 확인하였다. 또한, 장기계측 및 수치해석적 검증을 통하여 원지반 부착식 옹벽 시스템이 시공중 및 장기적으로 안정성이 확보됨을 확인하였다.

• Korean Chemical Engineering Research
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• 제48권2호
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• pp.172-177
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• 2010

본 논문에서는 SOFC 금속연결재로서 Crofer22APU를 적용하고자 표면에 전도성 산화막($La_{0.8}Sr_{0.2}CoO_3$)을 습식코팅 후, SOFC 작동환경에서 산화거동, 전기적 특성변화 및 미세구조 변화를 관찰하였다. 코팅 전 샌드블러스트 장치를 이용한 Crofer22APU 표면처리를 통하여 코팅막/금속의 접합특성을 개선시킬 수 있었으며, 320 mesh의 입자크기를 갖는 알루미나 분말을 이용하여 표면처리한 경우 접착특성이 극대화되었다.$La_{0.8}Sr_{0.2}CoO_3$ 코팅된 시편의 전기적 특성 평가는 4-wire 법을 이용하여 SOFC 작동환경에서 약 4,000 시간 장기성능 평가하였으며 $12mW{\cdot}cm^2$의 낮은 면저항값을 얻을 수 있었다. 실험종료 후 미세구조 분석결과에서도 전도성 산화막($La_{0.8}Sr_{0.2}CoO_3$) 코팅이 금속의 부식으로 인한 산화층의 생성속도를 늦추고 이로 인한 금속의 전기적 특성이 감소하는 것을 방지하는데 유효함을 확인하였다.

• 한국재료학회지
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• 제19권1호
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• pp.28-32
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• 2009

Silicon carbide (SiC) is a promising material for power device applications due to its wide band gap (3.26 eV for 4H-SiC), high critical electric field and excellent thermal conductivity. The Schottky barrier diode is the representative high-power device that is currently available commercially. A field plate edge-terminated 4H-SiC was fabricated using a lift-off process for opening the Schottky contacts. In this case, Ni/Ti dual-metal contacts were unintentionally formed at the edge of the Schottky contacts and resulted in the degradation of the electrical properties of the diodes. The breakdown voltage and Schottky barrier height (SBH, ${\Phi}_B$) was 107 V and 0.67 eV, respectively. To form homogeneous single-metal Ni/4H-SiC Schottky contacts, a deposition and etching method was employed, and the electrical properties of the diodes were improved. The modified SBDs showed enhanced electrical properties, as witnessed by a breakdown voltage of 635 V, a Schottky barrier height of ${\Phi}_B$=1.48 eV, an ideality factor of n=1.04 (close to one), a forward voltage drop of $V_F$=1.6 V, a specific on resistance of $R_{on}=2.1m{\Omega}-cm^2$ and a power loss of $P_L=79.6Wcm^{-2}$.