• 제목/요약/키워드: Spacer thickness error

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A simulation study on the variation of virtual NMR signals by winding, bobbin, spacer error of HTS magnet

  • Kim, Junseong;Lee, Woo Seung;Kim, Jinsub;Song, Seunghyun;Nam, Seokho;Jeon, Haeryong;Baek, Geonwoo;Ko, Tae Kuk
    • 한국초전도ㆍ저온공학회논문지
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    • 제18권3호
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    • pp.21-24
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    • 2016
  • Recently, production technique and property of the High-Temperature Superconductor (HTS) tape have been improved. Thus, the study on applying an HTS magnet to the high magnetic field application is rapidly increased. A Nuclear Magnetic Resonance (NMR) spectrometer requires high magnitude and homogeneous of central magnetic field. However, the HTS magnet has fabrication errors because shape of HTS is tape and HTS magnet is manufactured by winding HTS tape to the bobbin. The fabrication errors are winding error, bobbin diameter error, spacer thickness error and so on. The winding error occurs when HTS tape is departed from the arranged position on the bobbin. The bobbin diameter and spacer thickness error occur since the diameter of bobbin and spacer are inaccurate. These errors lead magnitude and homogeneity of central magnetic field to be different from its ideal design. The purpose of this paper is to investigate the effect of winding error, bobbin diameter error and spacer thickness error on the central field and field homogeneity of HTS magnet using the virtual NMR signals in MATLAB simulation.

유한 차분법을 이용한 MODFET의 이차원적 해석 (Two-Dimensional Analysis of the Characteristics at Heterojunction of MODFET Using FDM)

  • 정학기;이문기;김봉렬
    • 대한전자공학회논문지
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    • 제25권11호
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    • pp.1373-1379
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    • 1988
  • 본 연구에서는 FDM(finite difference method)을 이용한 수치적 방법을 사용하여 MODFET (MO-dulation doped FET)의 전위 분포와 전자 밀도를 이차원적으로 해석하였다. 일차원적 해석 방법에서는 MODFET의 게이트 부분만을 계산하는 반면, 이차원적 해석 방법은 소오스와 드레인 부분도 계산해줌으로써 일차원적 해석 방법에서 무시되는 기생 효과(parasitic effect)를 고려하여 더 정확한 해석이 가능하였다. 결과로서 스페이스(spacer) 두께와 (n)AlGaAs층의 도핑 농도의 변화에 따른 채널내에서 2DEG(2dimensional electron gas)의 단위 면적에 대한 밀도와의 관계를 정량적으로 제시하였으며 스페이서의 두께가 작아지거나 (n)AlGaAs 층의 도핑 농도가 커질수록 MODFET 채널 내의 전자 밀도가 증가함을 확인하였다.

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