• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 1999년도 제17회 학술발표회 논문개요집
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• pp.244-244
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• 1999

Liquid Crystal Displays(LCDs) 투명성 전도막으로 사용하는 Indium Tin Oxide (ITO)의 고밀도 식각특성을 조사하였다. 특히 ITO식각의 경우, pixel electrode 전극에서 사용되는 underlayer인 SiO2, Si3N4와의 최적의 선택비를 얻는데 중점을 두고 있다. 따라서 본 실험에서는 Inductively Coupled Plasma(ICP)를 이용하여 source power, gas combination, bias voltage, pressure 및 기판온도에 따른 ITO의 식각 특성과 이의 underlayer인 SiO2, Si3N4와의 선택비를 조사하였다. Ar과 CH4를 주된 식각가스로서 사용하였으며 첨가가스로는 O2와 HBr를 사용하였다. ITO의 식각특성을 이해하기 위하여 Quadruple Mass Spectrometry(QMS), Optical emission spectroscopy(OES) 이용하였으며, 식각된 sample의 잔류물을 조사하기 위하여 X-ray photoelectron spectroscopy(XPS)를 이용하여 분석하였다. Ar gas에 적정량의 CH4 혼합이 순수한 Ar 가스로 식각한 경우에 비하여 ITO와 SiO2, Si3N4의 선택비가 높았으며, 더 높은 식각 선택비를 얻기 위하여 Ar/CH 분위기에서 첨가가스 O2, HBr을 사용하였다. Source power 및 bias 증가에 따라 ITO의 식각률은 증가하나, underlayer와의 선택비는 감소함을 보였다. 본 실험에서 측정된 ITO의 high 식각률은 약 1500$\AA$/min이며, SiO2, Si3N4와의 high selectivity는 각각 7:1, 12:1로 나타났다. ITO의 etchrate 및 선택비는 source power, bias, pressure, CH 가스첨가에 의존하였지만 기판온도에는 큰 변화가 없음을 관찰하였다. 또한 적정량의 가스조합으로 식각된 시편의 잔류물을 줄일 수 있었다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2012년도 제42회 동계 정기 학술대회 초록집
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• pp.285-285
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• 2012

본 논문에서는 HBr, O2 gas를 사용하여 나노급 반도체 디바이스에 응용되는 실리콘 트렌치 패턴의 건식 식각시 중요한 인자중의 하나인 RIE (Reactive Ion Etching) Lag현상에 관하여 연구하였다. 실험에서 사용된 식각 장치는 유도 결합 플라즈마(Inductively Coupled Plasma) 식각 장치로써, Source Power및 기판에 인가되는 Bias power 모두 13.56 MHz로 구동되는 장치이며, Source Power와 Bias Power 각각에 펄스 플라즈마를 인가할 수 있도록 제작 되어있다. HBr과 O2 gas를 사용한 트렌치 식각 중 발생하는 식각 부산물인 SiO는 프로파일 제어에 중요한 역할을 함과 동시에, 표면 산화로 인해 Trench 폭을 작게 만들어 RIE lag를 심화시킨다. Br은 실리콘을 식각하는 중요한 라디칼이며, SiO는 실리콘과 O 라디칼의 반응으로부터 형성되는 식각 부산물이다. SiO가 많으면, 실리콘 표면의 산화가 많이 진행될 것을 예측할 수 있으며, 이에 따라 RIE lag도 나빠지게 된다. 본 실험에서는 Continuous Plasma와 Bias Power의 펄스, Source Power의 펄스를 각각 적용하고, 각각의 경우 Br과 SiO 라디칼의 농도를 Actinometrical OES (Optical Emission Spectroscopy) tool을 사용하여 비교하였다. 두 라디칼 모두 Continuous Plasma와 Bias Power 펄스에 의해서는 변화가 없는 반면, Source Power 펄스에 의해서만 변화를 보였다. Source Power 값이 증가함에 따라 Br/SiO 라디칼 비가 증가함을 알 수 있었고, 표면 산화가 적게 형성됨을 예측할 수 있다. 이 조건의 경우, Continuous Plasma대비 Source Power 펄스에 의하여 RIE lag가 30.9 %에서 12.8 %로 현격히 개선된 결과를 얻을 수 있었다. 또한, 식각된 실리콘의 XPS 분석 결과, Continuous Plasma대비 Source Power 펄스의 경우 표면 산화층이 적게 형성되었음을 확인할 수 있었다. 따라서, 본 논문에서는 식각 중 발생한 Br과 SiO 라디칼을 Source Power펄스에 의한 제어로 RIE lag를 개선할 수 있으며, 이러한 라디칼의 변화는 Actinometrical OES tool을 사용하여 검증할 수 있음을 보여준다.

• 천문학회보
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• 제40권2호
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• pp.40.3-41
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• 2015

We performed simultaneous observations of H2O and SiO masers toward VX Sgr using the Korean VLBI Network (KVN) and Source Frequency Phase Referencing (SFPR) method. The observations were carried out at 5 epochs from 2014 February to 2015 June. The relative locations of the SiO with respect to the H2O maser emission were determined at two epochs by SFPR for the first time. The H2O masers show well developed asymmetric outflow features which are spread up to ~300 mas in diameter. On the other hand, the SiO masers show a ring-like structure close to the central star with ~ 30 mas diameter. The SFPR observational results at two epochs (${\varphi}=0.83$ and 0.99) provide similar relative locations of H2O and SiO maser features. These superposed maps of H2O and SiO masers lead us to investigate the development of outflow motions from relatively spherical SiO maser regions close to central star to aspherical H2O maser regions according to optical phase of stellar pulsation together with the prediction of the position of central star.

• 천문학회보
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• 제38권2호
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• pp.63.1-63.1
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• 2013

We present the results of time monitoring observations of $^{28}SiO$ v = 1, 2, J = 1-0, $^{29}SiO$ v = 0, J = 1-0 and $H_2O$ $6_{16}-5_{23}$ maser lines toward radio Source I in Orion KL. The observations have been performed from 2009 June to 2013 April using the 21m single dish radio telescopes of the Korean VLBI Network. Both SiO and $H_2O$ maser lines were simultaneously obtained at 20 epochs. In particular, the third outburst of $H_2O$ maser emission (the first: 1985, the second: 1998) was detected and the flux density variation curve was obtained. The maximum flux density flared up to an order of $10^5$ Jy during 2012 May-July at peak velocity of 7.33 km $s^{-1}$. Hirota et al. (2011) reported that the bursting maser features are located at 8" from Source I and coincident with the interacting region between the outflow from Source I and a dense ambient gas, Orion Compact Ridge. In the case of SiO masers arising from close to the Source I, the peak emission of the v = 1, J = 1-0 maser line appeared in 2010 April. We are investigating the possible relation between this SiO maser peak emission and the third $H_2O$ maser flaring.

• 대한전자공학회논문지
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• 제3권2호
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• pp.2-9
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• 1966

실리콘 프래너트 npn 랜짓스터 제작과정을 기술하였다. 표면처리, 산화, K.P.R. boron 확산, 인확산 및 Al 증착등은 중요한 과정들이다. Boron층은 box method로 B2O3-SiO2계확산물을 사용하여 만들었고 린은 P2O5-SiO2계확산물을 사용하였다. 이 중간과정으로서 "실리콘·프래너·다이오드"도 제작되었다.

• 한국결정성장학회지
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• 제17권4호
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• pp.145-150
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• 2007

다층간섭필터 제작을 위한 $SiO_2 & TiO_2$ 박막을 electron-beam을 이용하여 제작하였다. 이온빔 보조증착 장비를 이용한 경우, 아르곤 가스와 산소 가스의 비율에 따라 양극전류를 변화시키며 증착하였고, 전자빔만을 사용한 경우에는 $100{\sim}250^{\circ}C$까지 $50^{\circ}C$ 간격으로 온도를 조정하여 증착하였다 $SiO_2$ 박막의 경우 표면 거칠기는 $200^{\circ}C$와 양극전류 0.2A에서 가장 낮은 값을 보였으며, 굴절률은 이온빔 보조 장치를 사용한 박막이 전자빔만을 사용하여 증착한 박막보다 전체적으로 0.1 정도 낮았다. $TiO_2$의 경우 표면거칠기는 상온과 양극전류 0.2A에서 가장 낮으며, 굴절률은 이온빔 보조 증착장치를 사용한 박막이 전자빔만으로 증착한 경우보다 전체적으로 낮은 값을 나타내었다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제44회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.307-307
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• 2013

초고집적 회로에 적용되는 반도체 소자의critical dimension (CD)이 수 nano 사이즈로 줄어들고 있기 때문에, 다양한 물질의 식각을 할 때, 건식식각의 중요성이 더 강조되고 있다. 특히 $SiO_2$와 같은 유전체 물질을 식각할 때, plasma process induced damages (P2IDs)가 관찰되어 왔고, 이러한 P2IDs를 줄이기 위해, pulsed-time modulation plasma가 광범위하게 연구되어 왔다. Pulsed plasma는 정기적으로 radio frequency (RF) power on과 off를 반복하여 rf power가 off된 동안, 평균전자 온도를 낮춤으로써, 웨이퍼로 입사되는 전하 축적을 효과적으로 줄일 수 있다. 또한 fluorocarbon plasmas를 사용하여 $SiO_2$를 식각하기 위해 Dual-Frequency Capacitive coupled plasma (DF-CCP)도 널리 연구되어 왔는데, 이것은 기존의 방법과는 다르게 plasma 밀도와 ion bombardment energy를 독립적으로 조절 가능하다는 장점이 있어서 미세 패턴을 식각할 때 효과적이다. 본 연구에서는 Source power에는 60 MHz pulsed radio frequency (RF)를, bias power에는 2 MHz continuous wave (CW) rf power가 사용된 system에서 Ar/$C_4$ F8/$O_2$ 가스 조합으로, amorphous carbon layer (ACL)가 hard mask로 사용된 $SiO_2$를 식각했다. 그리고 source pulse의 duty ratio와 pulse frequency의 효과에 따른 $SiO_2$의 식각특성을 연구하였다. 그 결과, duty ratio의 감소에 따라 $SiO_2$, ACL의 etch rate이 감소했지만, $SiO_2$/ACL의 etch selectivity는 증가하였다. 반면에 pulse frequency의 변화에 따른 두 물질의 etch selectivity는 크게 변화가 없었다. 그 이유는 pulse 조건인 duty ratio의 감소가 전자 온도 및 전자 에너지를 낮춰 $C_2F8$가스의 분해를 감소시켰으며, 이로 인해 식각된 $SiO_2$의 surface와 sidewall에 fluorocarbon polymer의 형성이 증가하였기 때문이다. 또한 duty ratio의 감소에 따라 etch selectivity뿐만 아니라 etch profile까지 향상되는 것을 확인할 수 있었다.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제10권2호
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• pp.166-171
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• 1997

The photomachinable glass-ceramics of Ag and CeO$_{2}$ added to Li$_{2}$O-Al$_{2}$O$_{3}$-SiO$_{2}$-K$_{2}$O glass system was investigated as a function of UV irradiation time. The temperature of optimum nucleation and crystal growth temperature were confirmed at 525.deg. C, 630.deg. C respectively using DTA and TMA. The phases of Li$_{2}$O.SiO$_{2}$ habit were lath-like and/or dendrite type and [002] direction of Li$_{2}$O.SiO$_{2}$ / Li$_{2}$O.2SiO$_{2}$ phases were changed according to the UV irradiation time by 400 W, 362 nm UV light source. Under that condition, the optimum UV irradiation time was 5 min.

• 천문학회보
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• 제41권2호
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• pp.46.3-46.3
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• 2016

We present the ALMA Cycle 2 results "Two New SiO Maser Sources in High-Mass Star-Forming Regions" which was published in the Astrophysical Journal (Vol. 826, P157, 2016). Silicon monoxide (SiO) masers are rare in star forming regions, with the exception of five known SiO maser sources. However, we detected two new SiO maser sources from infrared loud clumps of the high-mass star forming regions G19.61-0.23 and G75.78+0.34 using the KVN single dish. High angular resolution observations with ALMA and JVLA toward G19.61-0.23 suggest that the deeply embedded young stellar object (YSO) of SMA 1 is powering the SiO masers. In addition, the SiO v=1, J=1-0 line shows four spike features while the v=2 maser shows combined features of one spike and broad wing components, implying energetic activities of the YSO of SMA 1 in the G19.61-0.23 hot molecular core. The SiO v=0, J=2-1 emission shows bipolar outflows in NE-SW direction with respect to the center of the SiO maser source. A high angular resolution map of the SiO v=1, J=2-1 maser in G75.78+0.34 shows that the SiO maser is associated with the CORE source at the earliest stage of high-mass star formation. Therefore, the newly detected SiO masers and their associated outflows will provide good probes for investigating this early high-mass star formation.

• 천문학회보
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• 제40권2호
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• pp.58.4-59
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• 2015

We have performed single dish and VLBI monitoring observations of $H_2O$ and SiO masers toward the semi-regular variable star R Crateris using the Korean VLBI Network(KVN) 4 band receiving system. In the case of VLBI observations at 3 epochs, successful superposed maps of $H_2O$ and SiO masers were obtained on 2015 May by adopting the Source Frequency Phase Referencing(SFPR) method. These results enable us to investigate the development of outflow and asymmetric motions from SiO maser to $H_2O$ maser regions according to stellar pulsation which are closely related with a mass-loss process. Single dish monitoring observations were carried out from 2009 June to 2015 May. Intensity variations between $H_2O$ and SiO masers were investigated according to stellar phases together with peak velocity variations. We will compare the VLBI results with those of single dish.