Transactions on Electrical and Electronic Materials
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제15권2호
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pp.69-72
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2014
White LEDs, based on blue LED chips coated with a yellow emitting phosphor (YAG:Ce), have several disadvantages. In this paper, we report the improvement in CRI [Color Rendition Index] using $GdAl_5O_{12}:Ce$ (GdAG:Ce) and related phosphors for blue LEDs. A modified combustion synthesis route using mixed fuel was used for synthesis route. By using this procedure, we formed the desired compounds in a single step. LEDs were then fabricated by coating the blue LED chips (CREE 470 nm, 300 micron) with the GdAG:Ce phosphor dispersed in epoxy resin. The CRI typically between 65~70 for the YAG:Ce based LED was improved to 87 for LEDs fabricated from the Gd(Al,Ga)G phosphors.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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제11권4호
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pp.155-165
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2010
As a promising candidate to replace the conventional floating gate flash memories, polysilicon-oxide-nitride-oxidesilicon (SONOS)-type nonvolatile semiconductor memories have been investigated widely in the past several years. SONOS-type memories have some advantages over the conventional floating gate flash memories, such as lower operating voltage, excellent endurance and compatibility with standard complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) technology. However, their operating speed and date retention characteristics are still the bottlenecks to limit the applications of SONOS-type memories. Recently, various approaches have been used to make a trade-off between the operating speed and the date retention characteristics. Application of high-k dielectrics to SONOS-type memories is a predominant route. This article provides the state-of-the-art research progress of high-k dielectrics applicable to SONOS-type nonvolatile semiconductor memories. It begins with a short description of working mechanism of SONOS-type memories, and then deals with the materials' requirements of high-k dielectrics used for SONOS-type memories. In the following section, the microstructures of high-k dielectrics used as tunneling layers, charge trapping layers and blocking layers in SONOS-type memories, and their impacts on the memory behaviors are critically reviewed. The improvement of the memory characteristics by using multilayered structures, including multilayered tunneling layer or multilayered charge trapping layer are also discussed. Finally, this review is concluded with our perspectives towards the future researches on the high-k dielectrics applicable to SONOS-type nonvolatile semiconductor memories.
A solid-state route was used to prepare sodium titanium oxide (NTO, Na2Ti3O7) as a solar heat protecting material with an impressive solar reflectance (TSR = 94.3%) using a high refractive index rutile TiO2. The solar reflectance of the synthesized NTO was measured using UV-Vis-NIR spectrophotometer. Solar reflectance property of the synthesized compound depends on the calcination temperature. The solar reflectance property of the synthesized NTO powder was compared with commercial rutile TiO2. The compound synthesized at 900 ℃ for 24 hrs had remarkable solar reflectance 94.3% than that calcined below 900 ℃. Crystalline nature, structural property, morphology and optical properties of NTO powders were characterized and analyzed using XRD, FE-SEM, EDS and UV-Vis-NIR spectrophotometer. From the results, we guessed that NTO would be a suitable "solar heat protecting candidate" for energy-saving applications in coating industries.
Polycrystalline samples of $(Ru_{0.8}Nb_{0.2})Sr_2(Gd_{1.5-x}Nd_xCe_{0.5})Cu_2O_z$($ 0{\leq}x{\leq}1.25$) have been synthesized by a solid-state reaction route. The X-ray diffraction data revealed that the Nd solubility limit can be placed between x=0.5 and x=0.75. The superconducting transition temperature decreased with increasing Nd content, confirming that Nd entered the lattice. Room-temperature thermoelectric power measurements showed that all the samples are in the underdoped state and the partial substitution of Nd for Gd resulted in a decrease in the carrier density on the superconducting layers.
안정한 산화물 세라믹스 재료로서 mullite와 cordierite는 우수한 열적, 화학적 특성 때문에 구조재료에서부터 전자재료에 이르는 폭넓은 용도에 사용되어지고 있다. 그럼에도 불구하고, mullite는 천연에서는 산출되지 않기 때문에 합성에 의해서만 제조되고 있다. 또한, cordierite는 합성온도폭이 좁아 고순도의 미립 분말을 제조하기 어려운 재료이다. Mullite 역시 고상반응법 등의 합성법으로는 균질한 재료로의 합성이 어렵다. 그렇기 때문에 sol-gel법 등의 다양한 합성법에 의해 이들 재료에 관한 연구가 계속되고 있다. 본 연구에서는 국내의 원료를 이용하여 sol-gel법에서와 같은 고순도의 미립의 분말을 좀 더 낮은 온도에서 합성이 가능하며, 상대적으로 저가의 원료를 사용함으로서 경제적인 방법인 PVA를 polymer carrier로서 이용한 solution-polymerzation 합성법에 의해 mullite와 cordierite를 합성하였다. 그 결과, mullite, cordierite는 각각 120$0^{\circ}C$, 125$0^{\circ}C$에서 단일의 결정상이 생성되었으며 비표면적 20$m^2$/g 이상의 미립의 분말이 생성됨을 확인할 수 있었다.
The family of (Sr,Mg)-doped $LaGaO_3$ compounds, which exhibit high ionic conductivity at $600-800^{\circ}C$ over a wide range of oxygen partial pressure, appears to be promising as the electrolyte for intermediate temperature solid oxide fuel cells. Conventional synthesis routes of (Sr,Mg)-doped $LaGaO_3$ compounds based on solid state reaction have some problems such as the formation of impurity phases, long sintering time and Ga loss during high temperature sintering. Phase stability problem especially, the formation of additional phases at the grain boundary is detrimental to the electrical properties of the electrolyte. From this point of view, we focused to synthesize single phase (Sr,Mg)-doped $LaGaO_3$ electrolyte at the stage of powder synthesis and to apply relatively low heat-treatment temperature using novel synthesis route based on combustion method. The synthesized powder and sintered bulk electrolytes were characterized by XRD, TG-DTA, FT-IR and SEM. AC impedance spectroscopy was used to characterize the electrical transport properties of the electrolyte with the consideration of the contribution of the bulk lattice and grain boundary to the total conductivity. Finally, relationship between synthesis condition and electrical properties of the (Sr, Mg)-doped $LaGaO_3$ electrolytes was discussed with the consideration of phase analysis results.
Composition in the (Znl-xNix)2TiO4+ yTiO2 system (x=0-0.5, y=0-0.35) were synthesized via the solid-state reaction route. The incorporation of titanium, in the form of TiO2, in (Znl-xNix)2TiO4 spinel ceramics were investigated by analyzing the crystal structure and measuring the dielectric properties. The result of the crystal structure analysis suggested that TiO2 level of 0.01 y 0.33 could be incorporated into the (Znl-xNix)2TiO4 spinel. The change of incorporated TiO2 level is related with Co-content as a inverse proportion and the variation of lattice parameter and dielectric properties were supported the result.
$MgB_2$ bulk samples are synthesized through solid state reaction route using Mg precursors with different particle size by keeping the boron precursor unchanged. Scanning electron microscopy study of the fractured surface for all the samples depicts quite distinct structure depending on the Mg precursor. Big size of Mg precursor resulted in to largely elongated and deep pores while smaller one gave roughly ellipsoidal and shallow pore structure. Influence of the Mg particle size on the grain to grain connectivity reflected in the critical current density value which was greater for samples with smaller Mg precursor. All the synthesized samples undergo a superconducting transition at around 36.5 K irrespective of different Mg precursor particle size.
The Electronic Interlocking unit in railway signalling system is safety-related facilities to determine route and speed for train running. In particular, the SSI(Solid State Interlocking) is Electronic Interlocking unit for high-speed railway, and it performs safety-critical function by MPM(Micro-Processor Module). Meanwhile, MPM is composed of the PES(Programmable Electronic System)-based system, and the PES-based system in railway safety-related facilities should be implemented by complying with the safety requirements defined in IEC 62425 and IEC 61508. In this paper, we performed modeling of failure rate and reliability for MPM implemented by fault tolerance methods and analyzed functional safety for MPM. Moreover, we determined SIL(Safety Integrity Level) for MPM according to the safety requirements defined in IEC 61508 based on an analyzed functional safety.
Mono-, or di-substituted chlorodicyanovinyl benzene compound was reacted with an excess amount of ethylenediamine to give corresponding imidazoline product with high reaction yield. This reaction occurs by stable imidazoline ring-forming process through nucleophilic attack of terminal amine on the enaminonitrile adduct, the reaction intermediate, toward electropositive enamine carbon, which is accompanied by the release of neutral malononitrile moiety. The similar reaction with 1,2-phenylenediamine produced stable enaminonitrile-amine adduct at lower temperature which could be cyclized intramolecularly to thermally stable benzimidazole at elevated temperature in solution or in solid state. From the difunctional compound of both reactants, poly(enaminonitrile-amine) could be prepared as a new soluble precursor polymer for well-known polybenzimidazole (PBI). The thermal cyclization reaction accompanying the release of malononitrile molecules was studied using thermalanalysis and infrared spectroscopy.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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