In this paper, Solar, Wind, fuel cell used in a Power conversion devices and industrial inverter motor to increase the efficiency of energy consumption, which is a core part of high-efficiency, high-voltage Trench Gate Field Stop IGBT was studied. For this purpose Planar type NPT IGBT and Planar type Field Stop IGBT have designed a basic structure designed to Trench Gate Field Stop IGBT based on the completed structure by analyzing the energy consumption of electrical characteristics, efficiency is a key part, high-efficiency and high-voltage inverter for industry regarding the optimization design for Trench Gate Field Stop IGBT.
Bifacial and semitransparent hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) thin-film solar cells in p-i-n configuration were prepared with front and rear transparent conducting oxide (TCO) electrodes using plasma-enhanced chemical vapor deposition method. Fluorine-doped tin oxide and tin-doped indium oxide films were used as front and rear TCO contacts, respectively. Film thickness of intrinsic a-Si:H absorber layers were controlled from 150 nm to 450 nm by changing deposition time. The dependence of performance characteristics of solar cells on the front and rear illumination direction were investigated. For front illumination, gradual increase in the short-circuit current density (JSC) from 10.59 mA/㎠ to 14.19 mA/㎠ was obtained, whereas slight decreases from 0.83 V to 0.81 V for the open-circuit voltage (VOC) and from 68.43% to 65.75% for fill factor (FF) were observed. The average optical transmittance in the wavelength region of 380 ~ 780 nm of the solar cells decreased gradually from 22.76% to 15.67% as the absorber thickness was changed from 150 nm to 450 nm. In case of the solar cells under rear illumination condition, the JSC increased from 10.81 to 12.64 mA/㎠ and the FF deceased from 66.63% to 61.85%, while the VOC values were maintained at 0.80 V with increasing the absorber thickness from 150 nm to 450 nm. By optimizing the deposition parameters, a high-quality bifacial and semitransparent a-Si:H solar cell with 350 nm-thick i-a-Si:H absorber layer exhibited the conversion efficiencies of 7.69% for front illumination and 6.40% for rear illumination, and average visible optical transmittance of 17.20%.
기존의 저궤도 인공위성 전력계 시스템에 사용된 직렬 구조, 병렬 구조는 공전 주기 동안 두 번의 전력변환 과정을 거쳐 시스템의 효율을 감소시킨다. 직-병렬 구조는 한 번의 전력변환 과정을 거쳐 시스템의 효율을 향상시키지만 레귤레이터가 추가됨으로써 시스템의 비용과 무게, 크기를 증가시킨다. 본 논문에서는 레귤레이터의 추가 없이 시스템의 효율을 향상시키는 단순화된 직-병렬 구조를 제안한다. 인공위성이 지구를 공전하는 동안 상황에 따라 변화하는 제안한 구조의 동작을 네 가지 모드로 분류하고, 각 모드마다 제안한 시스템을 안정적인 동작을 확인하기 위하여 대신호 분석을 수행하였다. 실험을 통하여 기존의 직렬구조와 제안한 구조의 효율을 비교하였다. 제안한 구조의 안정적인 동작을 검증하기 위해 200W급 태양전지와 TMS320F2812 DSP로 제어되는 100W급 전력조절기 두 모듈을 병렬로 구성하여 실험하였다.
ZnSnO thin films were deposited by atomic layer deposition (ALD) process using diethyl zinc ($Zn(C_2H_5)_2$) and tetrakis (dimethylamino) tin ($Sn(C_2H_6N)_4$) as metal precursors and water vapor as a reactant. ALD process has several advantages over other deposition methods such as precise thickness control, good conformality, and good uniformity for large area. The composition of ZnSnO thin films was controlled by varying the ratio of ZnO and $SnO_2$ ALD cycles. The ALD ZnSnO film was an amorphous state. The band gap of ZnSnO thin films increased as the Sn content increased. The CIGS solar cell using ZnSnO buffer layer showed about 18% energy conversion efficiency. With such a high efficiency with the ALD ZnSnO buffer and no light soaking effect, AlD ZnSnO buffer mighty be a good candidate to replace Zn(S,O) buffer in CIGSsolar cells.
비저항이 10Ω-cm, 두께가 13∼15mi1인 <111> oriented, p형 Si기판을 이용하여 N+PP+ BSF 전지와 에미터 영역이 N+N 고저 접합으로 이루어진 N+NPP+ HELEBSF(high low emitter bach surface field) 전지를 설계 제작하였다. 접합형 태양전지의 에미터 영역에서 고저 접합구조가 효율 개선에 미치는 영향을 검토하기 위해 HLEBSF 전지의 N영역을 제외하고는 같은 마스크와 동시 공정을 통해 N+PP-전지와 N+NPP+ 전지의 가영역에서 물리적 파라미터들(불순물 농도, 두께)을 동일하게 만들었다. 100mW/㎠의 인공조명에서 측정한 결과 N+PP+ 전지들의 전면적 (유효 수광면적) 평균 변환효율이 10.94%(12.16%)이었고, N+NPP+ 전지들의 평균 변환효율은 12.07% (13.41%)로 나타났다. N+NPP+ 전지의 효율개선은 N+N-고저 접합 에미터 구조가 N+ 에미터 영역에서 나타나는 heavy doping effects를 제거함으로써 에미터 재결합 전류의 증가를 억제하고 나아가 개방전압(Voc)과 단락전류(Ish)의 값을 증가시켜 준 결과로 볼 수 있다.
Organic dyes, because of their many advantages, such as high molar extinction coefficients, convenience of customized molecular design for desired photophysical and photochemical properties, inexpensiveness with no transition metals contained, and environment-friendliness, are suitable as photosensitizers for the Dye-sensitized Solar Cell (DSSC). The efficiency of DSSC based on metal-free organic dyes is known to be much lower than that of Ru dyes generally, but a high solar energy-to-electricity conversion efficiency of up to 8% in full sunlight has been achieved by Ito et al. using an indoline dye. This result suggests that smartly designed and synthesized metal-free organic dyes are also highly competitive candidates for photosensitizers of DSSCs with their advantages mentioned above. Recently, the performance of DSSC based on metal-free organic dyes has been remarkably improved by several groups. We had reported the novel organic dye with double electron acceptor chromophore, which was a new strategy to design an efficient photosensitizer for DSSC. To verify the strategy, we synthesized organic dyes whose geometries, electronic structures and optical properties were derived from preceding density functional theory (DFT) and time-dependent density functional theory (TD-DFT) calculations. In this paper, we successfully synthesized the chromophore containing multi-acceptor push-pull system from triphenylamine with thiophene moieties as a bridge unit. Organic dyes with a single electron acceptor and double acceptor system were also synthesized for comparison purposes. The photovoltaic performances of these dyes were compared, and the recombination dark current curves and the incident photon-to-current (IPCE) efficiencies were also measured in order to characterize the effects of the multi-anchoring groups on the open-circuit voltage and the short-circuit current. In order to match specifications required for practical applications to be implemented outdoors, light soaking and thermal stability tests of these DSSCs, performed under $100mWcm^{-2}$ and $60^{\circ}C$ for 1000h.
In this study, we applied the low temperature curing Ag paste to replace PVD System. The electrode formation of low temperature curing Ag paste for silicon Hetero-junction solar cells is important for improving device characteristics such as adhesion, contact resistance, fill factor and conversion efficiency. The low temperature curing Ag paste is composed various additives such as solvent, various organic materials, polymer, and binder. it depends on the curing temperature conditions. The adhesion of the low temperature curing Ag paste was decided by scratch test. The specific contact resistance was measured using the transmission line method. All of the Ag electrodes were experimented at various curing temperatures within the temperature range of $160^{\circ}C-240^{\circ}C$, at $20^{\circ}C$ intervals. The curing time was also changed by varying the conditions of 10-50min. In the optimum curing temperature $200^{\circ}C$ and for 20 min, the measured contact resistance is $19.61m{\Omega}cm^2$. Over temperature $240^{\circ}C$, confirmed bad contact characteristic. We obtained photovoltaic parameter of the industrial size such as Fill Factor (FF), current density (Jsc), open-circuit voltage (Voc) and convert efficiency of up to 76.2%, 38.1 mA/cm2, 646 mV and 18.3%, respectively.
To fabricate $TiO_2$ nanoparticle-based dye sensitized solar cells (DSSCs) at a low-temperature, DSSCs were fabricated using hydropolymer and ZnO nanoparticles composites for the electron transport layer around a low-temperature ($200^{\circ}C$). ZnO nanoparticle with 20 nm and 60 nm diameter were used and Pt was deposited as a counter electrode on ITO/glass using an RF magnetron sputtering. We investigate the effect of ZnO nanoparticle concentration in hydropolymer and ZnO nanoparticle solution on the photoconversion performance of the low temperature fabricated ($200^{\circ}C$) DSSCs. Using cis-bis(isothiocyanato)bis(2,20 bipyridy1-4,40 dicarboxylato) ruthenium (II) bis-tetrabutylammonium (N719) dye as a sensitizer, the corresponding device performance and photo-physical characteristics are investigated through conventional physical characterization techniques. The effect of thickness of the ZnO photoelectrode and the morphology of the ZnO nanoparticles with the variations of hydropolymer to ZnO ratio on the photoconversion performance are also investigated. The morphology of the ZnO layer after sintering was examined using a field emission scanning electron microscope (FE-SEM). 60 nm ZnO nanoparticle DSSCs showed an incident photon-to-current conversion efficiency (IPCE) value of about 7% higher than that of 20 nm ZnO nanoparticle DSSCs. The maximum parameters of the short circuit current density ($J_{sc}$), the open circuit potential ($V_{oc}$), fill factor (ff), and efficiency ($\eta$) in the 60 nm ZnO nanoparticle-based DSSC devices were 4.93 mA/$cm^2$, 0.56V, 0.40, and 1.12%, respectively.
Purpose: Photovoltaic system is a technique for producing electrical power by utilizing solar energy, which can be used over 20 years with simple maintenance. However, in the case of photovoltaic systems, the energy conversion efficiency decreases as the surface temperature of module increases, compared with other renewable energy technologies. In this regard, PVT module can increase the energy utilization of a composite module as producing heat and electricity simultaneously by using solar energy. Currently, many researches have been promoting in order to develop a high efficiency PVT module in Korea. However, there are a few studies about the performance of the modules corresponding the shape of types and various heat exchangers of the PVT module. In this study, the electrical performance was measured by the change of the ambient temperature and the circulating water temperature using the fabricated PVT module. Method: Experiments were performed using a solar simulator. And this experiment was assumed that the weather condition was in each season, as winter, spring, autumn and summer. It was identified that the I-V curve associated with the change of the experimental conditions and confirmed the change in the electrical characteristics. Result: As a result, it was figured out that the surface temperature and the electrical performance changes in case conditions. The electrical performance was calculated in different temperature condition and the power production was confirmed by the change of module temperature.
Polymer-fullerene based bulk heterojunction (BHJ) solar cells can be fabricated in large area using low-cost roll-to-roll manufacturing methods. However, because of the low mobility of the BHJ materials, there is competition between the sweep-out of the photogenerated carriers by the built-in potential and recombination within the thin BHJ film [12-15]. Useful film thicknesses are limited by recombination. Thus, there is a need to increase the absorption by the BHJ film without increasing film thickness. Metal nanoparticles exhibit localized surface plasmon resonances (LSPR) which couple strongly to the incident light. In addition, relatively large metallic nanoparticles can reflect and scatter the light and thereby increase the optical path length within the BHJ film. Thus, the addition of metal nanoparticles into BHJ films offers the possibility of enhanced absorption and correspondingly enhanced photo-generation of mobile carriers. In this work, we have demonstrated several positive effects of shape controlled Au and Ag nanoparticles in organic P3HT/PC70BM, PCDTBT/PC70BM, Si-PCPDTBT/PC70BM BHJ-based PV devices. The use of an optimized concentration of Au and Ag nanomaterials in the BHJ film increases Jsc, FF, and the IPCE. These improvements result from a combination of enhanced light absorption caused by the light scattering of the nanomaterials in an active layer. Some of the metals induce the plasmon light concentration at specific wavelength. Moreover, improved charge transport results in low series resistance.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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