Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2012.08a
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pp.242-242
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2012
Transparent oxide semiconductors are increasingly becoming one of good candidates for high efficient channel materials of thin film transistors (TFTs) in large-area display industries. Compare to the conventional hydrogenated amorphous silicon channel layers, solution processed ZnO-TFTs can be simply fabricated at low temperature by just using a spin coating method without vacuum deposition, thus providing low manufacturing cost. Furthermore, solution based oxide TFT exhibits excellent transparency and enables to apply flexible devices. For this reason, this process has been attracting much attention as one fabrication method for oxide channel layer in thin-film transistors (TFTs). But, poor electrical characteristic of these solution based oxide materials still remains one of issuable problems due to oxygen vacancy formed by breaking weak chemical bonds during fabrication. These electrical properties are expected due to the generation of a large number of conducting carriers, resulting in huge electron scattering effect. Therefore, we study a novel technique to effectively improve the electron mobility by applying environmental annealing treatments with various gases to the solution based Li-doped ZnO TFTs. This technique was systematically designed to vary a different lithium ratio in order to confirm the electrical tendency of Li-doped ZnO TFTs. The observations of Scanning Electron Microscopy, Atomic Force Microscopy, and X-ray Photoelectron Spectroscopy were performed to investigate structural properties and elemental composition of our samples. In addition, I-V characteristics were carried out by using Keithley 4,200-Semiconductor Characterization System (4,200-SCS) with 4-probe system.
Ferroelectric Sr0.8Bi2.4Ta2O9 stock solutions were prepared by MOD(Metaloganic Decompostion) process. The phase transformation for the layered perovskite of the SBT thin films by changing RTA(Rapid her-mal Annealing) temperatuer from 700$^{\circ}C$to 780$^{\circ}C$ were observed using XRD and SEM. Layered perovskite phase began to appear above 740$^{\circ}C$ and then SBT thin films were annealed at 800$^{\circ}C$ for 1hr for its com-plete crystallization. The specimens showed well shaped hysteresis curves without post annealing that car-ried out after deposition of Pt top electrode. The SBT thin films showed the asymmetric ferroelectric pro-perties. It was confirmed that the properties were caused by interface effect to SBT and electrode by leak-age current density measurement and asymmetric properties reduced by post annealing. At post annealing temperature of 800$^{\circ}C$ remanant polarization values (2Pr) were 6.7 9 ${\mu}$C/cm2 and those of leakage current densities were 3.73${\times}$10-7 1.32${\times}$10-6 A/cm2 at 3, 5V respectively. Also bismuth bonding types of SBT thin film surface were observed by XPS.
Park, S.M.;Kim, M.S.;Kwon, I.J.;Sim, J.H.;Lee, K.N.;Yoon, N.S.
Proceedings of the Korean Society of Dyers and Finishers Conference
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2012.03a
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pp.110-110
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2012
아라미드 섬유소재는 고강도, 고내열성의 소재로 다양한 용도전개가 가능하나, 일광 및 부식에 의한 내광성 및 내후성이 급격하게 저하되는 단점이 있다. 자외선의 광화학적 작용에 의해 변퇴, 경화, 취하, 강도저하가 일어나는 단점을 보완하기 위해 내광성 및 내화학성이 우수한 전이금속산화물 소재와의 복합화를 통해 내광성 및 내화학성 개선에 대하여 연구하였다. zinc acetate 수화물과 수산화리튬을 무수에탄올로 용해시킨 용액을 강하게 교반하여 나노 산화아연 졸을 제조하였다. 제조된 나노크기의 zinc oxide 입자의 형상과 입자분포 등 제조특성을 입도분석기, FE-SEM 및 EDS 분석을 통하여 고찰하였으며, 제조된 나노졸을 아라미드 섬유에 침지시켜 Xenon-arc 내후성시험기에서 80시간 동안 노출시켜 노출시간에 따른 물성변화를 분석하였다. 나노졸을 5~20% 픽업으로 패딩한 후 광에 노출된 아라미드의 인장강도는 나노졸을 처리하지 않은 아라미드 섬유보다 20~30% 개선된 인장강도를 나타내었다.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2000.05b
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pp.273-278
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2000
In order to study effects of interface layers between PZT films and electrodes for MFM(Metal-Ferroelectric-Metal) structure capacitors, we have fabricated the capacitors with the Pt/PZT/interface-layer/Pt/$TiO_2/SiO_2/Si$ structure. $PT(PbTiO_3)$ interface layers were formed by sol-gel deposition and PbO, $ZrO_2$ and $TiO_2$ thin layers were deposited by reactive sputtering. $TiO_2$ interface layers result in the finest grains of PZT films compared to $PbO_2$ and $ZrO_2$ layers. On the other hand, PT interface layers result in improved morphology of PZT films and do not significantly change ferroelectric properties. It is also observed that seed layers at the middle and top of PZT films do not give significant effects on grain size but the PT seed layer at the interface between the bottom electrode and the PZT films results in the small grain size.
In this work, ramp loading scratch method was used to evaluate the scratch characteristics of HDD media and ZnO thin films. Commercially available HDD media and ZnO thin films grown on silicon(100) substrate by sol-gel method were used. As for the ZnO films, the effects of annealing temperature after the film deposition process were also investigated. A custom built scratch tester was used to scratch the specimen under a ramp loading condition. The scratch track formed by ramp loading was measured by optical microscope and Atomic Force Microscopy (AFM). The wear depth and width were used to assess the scratch characteristics of the HDD Media and ZnO thin films. The results showed that ZnO film annealed at $800^{\circ}C$ had the best scratch resistance property. Also, the HDD media showed overall better scratch resistance than the ZnO films.
Journal of the Korean institute of surface engineering
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v.29
no.6
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pp.788-796
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1996
$TiO_2$ films prepared by RF magnetron sputtering, electron beam evaporation, ion assisted deposition (IAD) and sol-gel method are prepared on c-Si substrate and vitreous silica substrate respectively. From the transmission spectra of $TiO_2$ films on vitreous silica substrate in the spectral region from 190 nm to 900 nm, k($\lambda$) of $TiO_2$ is obtained. Using k($\lambda$) in the interband transition region the coefficients of the quantum mechanical dispersion relation of an amorphous $TiO_2$ and hence n($\lambda$) including the optically opaque region of above fundamental transition energy are obtained. The spectroscopic ellipsometry spectra of $TiO_2$ films in the spectral region of 1.5-5.0eV are model analyzed to get the film packing density variation versus i) substrate material, ii) film thickness and iii) film growth technique. The complex refractive index change of these $TiO_2$ films versus water condensation is also studied. Film micro-structures by SE modelling results are compared with those by atomic force microscopy images and X-ray diffraction data.
Baek, Cheol-Heum;Jang, Ji-Won;Bang, Seung-Gyu;Seo, Seong-Bo;Kim, Hwa-Min;Bae, Gang
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2012.02a
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pp.273-273
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2012
최근 스마트 윈도우, 자가세정(Self-Cleaning), 김서림방지(Anti-Fogging), 디스플레이 표시장치, 대전방지 코팅 등 다각적으로 활용이 가능한 PTFE (Ploytetrafluoroethylene)를 Sol-gel, Sputtering, Spin-Coating, CVD (Chemical vapor deposition)방법을 이용하여 낮은 표면에너지와 나노사이즈의 표면 거칠기를 가지는 $150^{\circ}$ 이상의 초-발수성 표면에 대한 많은 연구가 진행되고 있다. 본 실험에서는 영구자석을 이용한 고밀도 플라즈마로 높은 점착성과, 균일한 박막 및 대 면적 공정이 가능한 RF-magnetron sputtering방법을 이용하여 Plasma etching으로 표면적의 거칠기와 낮은 표면에너지를 만든 뒤, 발수특성을 가진 PTFE를 증착하여 접촉각 변화와 구조적 및 광학적 특성을 측정하였다. AFM (Atomic Force Microscope)측정결과 100 w에서 가장 높은 1.7 nm의 RMS(Root mean square)값이 측정되었고, 접촉각 측정결과 Plasma etched glass는 25 w에서 125 w로 증가함에 따라 친수성을 나타내었으며, 100 w에서 가장 낮은 $15^{\circ}$의 접촉각을 나타내었다. PTFE박막을 증착하였을 때는 100 w에서 $150^{\circ}$의 초발수 특성을 나타내었고, 투과율 측정 결과 85%이상의 높은 투과율을 나타내었다. Plasma etching을 이용한 PTFE 발수 특성은 비가 오면 자동으로 이물질이 씻겨 내리는 자동차 유리등의 개발이 가능하고, 높은 투과율이 요구되는 액정표시장치(LCD)같은 차세대 대형 디스플레이의 표면 코팅에 사용이 가능 할 것이라 사료된다. 본 연구는 중소기업청에서 지원하는 2011년도 산학연 공동기술개발 지원사업의 연구수행으로 인한 결과물임을 밝힙니다.
Park, Yun-Kwon;Joo, Byeong-Kwon;Park, Heung-Woo;Park, Jung-Ho;Yom, S.S.;Suh, Sang-Hee;Oh, Myung-Hwan;Kim, Chul-Ju
Proceedings of the KIEE Conference
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1998.07g
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pp.2501-2503
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1998
In this paper, the silicon-nitride membrane structure for IR sensor was fabricated through the etching and the direct bonding. The PTO layer as a IR detection layer was deposited on the membrane and its characteristics were measured. The attack of PTO layer during the etching of silicon wafer as well as the thermal isolation of the IR detection layer can be solved through the method of bonding/etching of silicon wafer. Because the PTO layer of c-axial orientation raised thermal polarization without polling, the more integration capability can be achieved. The surface roughness of the membrane was measured by AFM, the micro voids and the non-contacted area were inspected by IR detector, and the bonding interface was observed by SEM. The polarization characteristics and the dielectric characteristics of the PTO layer were measured, too.
Kim, Kyoung-Tae;Kim, Gwan-Ha;Woo, Jong-Changb;Kim, Jong-Gyu;Kang, Chan-Min;Kim, Chang-II
Proceedings of the KIEE Conference
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2006.10a
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pp.115-116
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2006
Dielectric PST (20/80) / PST (80/20) heterolayered thin films structures were created by a consequent deposition of the PST (20/80) and PST (80/20) thin films on the $Pt/Ti/SiO_2/Si$ substrate using alkoxide-based sol-gel method. Both structural and dielectric properties of heterolayered PST thin films were investigated for the tunable microwave device applications. As the number of coating increases, the lattice distortion decreased. It can be assumed that the lower PST layer affects a nucleation site or a seeding layer for the formation of the upper PST layer. The dielectric constant, dielectric loss and tunability of the PST-6 heterolayered structure measured at 100 kHz were 399, 0.022 and 57.9%, respectively. All these parameters showed an increase with increasing number of coatings due to the decrease in lattice distortion.
Zeng, Jingbin;Chen, Jinmei;Chen, Wenfeng;Huang, Xiaoli;Chen, Liangbi;Chen, Xi
Food Science and Biotechnology
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v.18
no.3
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pp.579-585
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2009
Solid-phase microextraction (SPME) has gained widespread acceptance in sample pretreatment due to its solvent-free and easy-to-operate properties. SPME fibers are considered as a key part of SPME technique, since it primarily determines the extraction performance of the method including sensitivity, selectivity, and reproducibility. Generally speaking, target analyte with different chemical property requires fiber coating that has the best affinity towards it. Due to the lack of varieties of commercial fibers available currently, considerable efforts have been recently made to develop tailor-made fibers to fulfill increasing demands of different analysis. This paper concisely classify some SPME fiber preparation approaches such as sol-gel technology, physical deposition, molecularly imprinted technique, and their respective application in food safety analysis.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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