Zn$_{l-x}$Co$_{x}$O (x = 0.05 - 0.20) films were grown on Coming 7059 glass by sol-gel process. A homogeneous and stable Zn$_{l-x}$Co$_{x}$O sol was prepared by dissolving zinc acetate dihydrate (Zn(CH$_{3}$COO)$_{2}$$\cdot$2H$_{2}$O), cobalt acetate tetrahydrate ((CH$_{3}$)$_{2}$$\cdot$CHOH) and aluminium chloride hexahydrate (AlCl$_{3}$$\cdot$ 6H$_{2}$O) as solute in solution of isopropanol ((CH$_{3}$)$_{2}$$\cdot$CHOH) and monoethanolamine (MEA:H$_{2}$NCH$_{2}$CH$_{2}$OH). The films grown by spin coating method were postheated in air at 650°C for 1 h and annealed in the condition of vacuum (5 $\times$ 10$^{-6}$ Torr) at 300$^{\circ}C$ for 30 min and investigated the nature of c-axis preferred orientation and physical properties with different Co concentrations. Znl_xCOxO thin films with different Co concentrations were well oriented along the c-axis, but especially a highly c-axis oriented Zn$_{l-x}$Co$_{x}$O thin film was grown at 10 at$\%$ Co concentration. The transmittance spectra showed that Zn$_{l-x}$Co$_{x}$O thin films occur typical d-d transitions and sp-d exchange interaction became activated with increasing Co concentration. The electrical resistivity of the films at 10 at$\%$ Co had the lowest value due to the highest c-axis orientation. X-ray photoelectron spectroscopy and alternating gradient magnetometer analyses indicated that no Co metal cluster was formed, and the ferromagnetic properties appeared, respectively. The characteristics of the electrical resistivity and room temperature ferromagnetism of Zn$_{l-x}$Co$_{x}$O thin films suggested the possibility for the application to dilute magnetic semiconductors.
A novel sol-gel method was implied to prepare CuO-doped ZnO nanoparticles. XRD and SEM techniques were used to characterize the CuO-doped ZnO sample. The photocatalytic degradation of Lidocaine HCl was investigated by two methods. The degradation was studied under different conditions such as the amount of photocatalyst, pH of the system, initial concentration, presence of electron acceptor, and presence of anions. The results showed that they strongly affected the photocatalytic degradation of Lidocaine HCl. The photodegradation efficiency of drug increased with the increase of the irradiation time. After 6 h irradiation with 400-W mercury lamp, about 93% removal of Lidocaine HCl was achieved. The degree of photodegradation obtained by Taguchi method compatible with the trial-and-error method showed reliable results.
Mn doped ZnO films were prepared on Si (100) substrates using sol-gel method. The prepared films were annealed at $550^{\circ}C$ for decomposition and oxidation of the precursors. XRD analysis revealed the presence of ZnMnO hexagonal wurtzite phase along with the presence of small quantity of $ZnMn_2O_3$ secondary phase and poor crystalline nature. The 2D, 3D views of magnetic domains and domain profiles were obtained using magnetic force microscopy at room temperature. Rectangular shaped domains with an average size of 4.16 nm were observed. Magnetic moment measurement as a function of magnetic field was measured using superconducting quantum interference device (SQUID) magnetometry at room temperature. The result showed the ferromagnetic hysteresis loop with a curie temperature higher than 300 K.
The main objective of this investigation is to improve the photoluminescent of $Zn_{2}SiO_{4}:Mn$ phosphors prepared by the sol-gel technique. We try to use adding a new co-dopan such as Cr and Ti. The calcination temperature of sol-gel technique(1100 $^{\circ}C$) was lower than that of the solid state reaction (1300 $^{\circ}C$). Under 147nm excitation, the maximum emission intensity was obtained when the concentration of Cr and Ti was 0.1mol% with respect to $Zn_{2}SiO_{4}:Mn$. In order to study the effect of co-dopant, the content of Mn and the ratio of water to TEOS were fixed at 2mol% and 36:1, respectively.
Kim, Min-Su;Im, Gwang-Guk;Kim, So-A-Ram;Nam, Gi-Ung;Lee, Dong-Yul;Kim, Jin-Su;Kim, Jong-Su;Im, Jae-Yeong
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2011.08a
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pp.246-246
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2011
졸-겔 스핀코팅(sol-gel spin-coating)법을 이용하여 실리콘 기판에 ZnO 박막을 증착하였다. 증착된 졸 용액을 전열처리(pre-heat treatment) 후, 다른 속도로 상온까지 냉각시켰다. ZnO 박막의 특성 분석을 위하여 atomic force microscopy (AFM), X-ray diffraction (XRD), Raman, photoluminescence (PL)을 이용하였다. 전열처리 후 5$^{\circ}C$/min의 속도로 천천히 냉각시킨 ZnO 박막은 산맥구조(mountain chain structure)로 표면이 매우 거친 반면, 빠르게 냉각시킨 ZnO 박막은 매우 매끄러운 표면을 나타내었다. 빠르게 냉각시킨 ZnO 박막의 c-축 배향성(c-axis preferred orientation)이 느리게 냉각시킨 ZnO 박막의 배향성보다 더 우세하게 나타났고, 결정성도 우수하였다. 뿐만 아니라, 빠르게 냉각시킨 ZnO 박막의 광학적 특성이 느리게 냉각시킨 ZnO 박막의 특성보다 우수하게 나타났다. 후열처리(post-heat treatment)에 의해 ZnO 박막의 구조적 및 광학적 특성이 더욱 향상되었다.
Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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v.16
no.3
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pp.558-564
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2012
We fabricated Ga doped ZnO (GZO) thin films on the glass substrate (Eagle 2000) with various of Ga doping concentration and annealing temperatures using sol-gel method, electrical and optical properties were investigated. When the GZO thin films doped with 1 mol% of Ga and annealed at $600^{\circ}C$, the excellent (002) orientation was observed. In the results of Hall measurement, carrier concentration decreased and resistivity increased due to segregation effect with increasing of the Ga doping concentration. The largest carrier concentration and lowest resistivity were $9.13{\times}10^{18}cm^{-3}$ and $0.87{\Omega}cm$, respectively, in the GZO thin films doped with 1 mol% Ga and annealed at $600^{\circ}C$. All films is higher than 80 % in the visible light region. Energy band gap narrowing due to Burstein-Moss effect was observed with increasing of Ga doping concentration from 1 to 4 mol%.
Fine powders of ZnO were synthesized by the sol-gel method. The shape of gel powders with calcination temperatures changed into the sheet structure, the needle shape, and the spherical grain. The growth rate of grain size was slow to 700$^{\circ}C$ but high above 700$^{\circ}C$. The bigger the grain size is, the higher the degree of crystallization is. The organic element in gel powders evaporated below 300$^{\circ}C$. Temperature dependence of conductances showed the sigmoidal shape, but the temperature range of the constant conductances narrowed with the decrement of the calcination temperature of gel powders. The optimum sensing property for CO gas were observed with the specimen calcined at 500$^{\circ}C$ and degraded with the increment of calcination temperature.
Park, S.J.;Kwak, J.H.;Park, J.;Lee, H.Y.;Moon, S.E.;Park, K.H.;Kim, J.;Kim, G.T.
Journal of Sensor Science and Technology
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v.17
no.2
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pp.147-150
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2008
Multiple ZnO nanorod device detecting $NO_2$ gas was fabricated by sol-gel growth method and gas response characteristics were measured as a chemical gas sensor. The device is mainly composed of sensing electrode and sensing nano material. To acquire high sensitivity of the device for $NO_2$ gas it was heated by a heat chuck up to $400^{\circ}C$ The sensing part was easily made using the CMOS compatible process, for example, the large area and low temperature nano material growth process, etc. The sensors were successfully demonstrated and showed high sensitive response for $NO_2$ gas sensing.
In order to improve the photoluminescent properties and crystallinity, Zn$_2$SiO$_4$:Mn, M(M=Cr, Ti) phosphors were synthesized by the sol-gel method. The willemite single phase was obtained at 110$0^{\circ}C$, which is lower temperature than that of the conventional solid-state reaction (130$0^{\circ}C$). The characteristics of fired samples were obtained by a 147 nm excitation source under VUV (Vacuum Ultraviolet). To investigation the effect of co-dopant, the content of Mn and the ratio of $H_2O$ to TEOS was fixed as 2 ㏖% and 36. 1, respectively. The highest emission intensity was obtained when the concentration of Cr and Ti was 0.1 ㏖% relative to Zn$_2$SiO$_4$:Mn. While the emission intensity decrease continuously the decay time improved as increased the Cr concentration. In the case of Ti added samples, however, the emission intensity increase up to 2 ㏖% concentration.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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