• 제목/요약/키워드: SoG-Si

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은행나무의 잎끝마름병에 미치는 $SO_2$ 의 영향 (Effect of $SO_2$ on Leaf Tip Blight of Ginkgo biloba caused by Coniothyrium sp.)

  • 강연지;박소홍;이두형;배공형
    • 한국환경농학회지
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    • 제18권2호
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    • pp.179-184
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    • 1999
  • 대기오염과 병충해발생과의 관계를 규명하고자 은행나무에 $SO_2$ 가스를 처리한 후, 잎끝마름병균을 접종하여 식물의 생리·생화학적인 변화를 조사하였다. ${\mu}l/l$$SO_2$ 가스를 하루 8시간씩 7일간 은행나무에 처리한 결과 Chlorosis등의 가시피해는 나타나지 않았으나, 광합성이 대조구에 비해 40%가량 감소되고, $CO_2$ 이용효율과 수분이용효율이 감소되는 현상을 보였다. 가스처리 후 병원균을 상처접종시키고 42일 뒤 SI와 SFI의 발병도를 조사한 결과 SI가 SFI에 비해 3배 가량 빠르게 병이 진전되어 있었다. 병원균의 먹이가 되는 당의 함량은 대조구, SFI, SI간에 유의성을 보일 만큼의 차이는 보이지 않았으나, 광합성은 SI가 SFI에 비해 11%가량 저하되었다. 광합성이 저하되었음에도 불구하고 당의 함량이 유지되었으므로 탄소 고정관계를 알아본 결과 $CO_2$ 이용효율이 저하되지 않았음을 알 수 있었다. 이와 함께 수분이용효율이 SI에서 SFI에 비해 13.2% 증가되었다. 이상의 결과를 종합해 보면, 이온유출량 등으로 보아 $SO_2$ 가스처리로 인해 식물이 연약해져 병원균에 대한 저항력이 낮아졌고, 수분이용효율의 증가로 인해 탄소 고정이 활발하게 이루어짐으로써 당이 원활히 합성되는 한편 내부적인 변화로 인해 합성된 당의 전류가 억제되어 잎에 당이 축적되었기 때문에 SI의 발병도가 훨씬 높았던 것으로 생각된다.

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UMG-Si 내 Boron 제거를 위한 스팀플라즈마와 전자기연속주조정련법의 활용 (The effect of steam plasma torch and EMCR for removal of boron in UMG-Si)

  • 문병문;김병권;이호문;박동호;류태우
    • 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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    • 한국신재생에너지학회 2010년도 춘계학술대회 초록집
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    • pp.57.2-57.2
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    • 2010
  • 최근 친환경적이고 저투자비용의 빠른 생산성을 가진 야금화학적인 방법으로의 태양전지급 실리콘 생산공정이 빠르게 성장하고 있다. 이로 인해 금속급 실리콘(MG-Si)에서부터 태양전지급 실리콘(SoG-Si)으로의 정련공정 또한 많은 연구가 진행되고 있다. 본 연구에서는 UMG-Si 내 주요 불순물인 Boron함량을 SoG-Si 순도로 정련하는 것을 목표로 기존의 방법과 달리 전자기연속주조정련법을 사용하여 도가니 비접촉식 용융 후 스팀플라즈마토치를 통해 Boron을 제거하고자 하였다. 실험에 사용한 가스 유량은 $H_2O$ 0.3~1.0ml/min, $H_2$ 20~40ml/min 이며 실험 후 ICP-MASS 분석 결과 초기 Boron 함량 2.9ppm으로부터 0.17ppm으로 줄었음을 확인하였다.

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태양전지용 실리콘을 위한 인정련의 열역학적 연구 (Thermodynamics study of phosphorus for SoG-Si)

  • 정은진;문병문;민동준
    • 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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    • 한국신재생에너지학회 2010년도 춘계학술대회 초록집
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    • pp.83.2-83.2
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    • 2010
  • 최근, 원유 가격의 상승으로 인해 태양에너지에 대한 관심이 크게 증가되고 있다. 그러나 이러한 태양전지용 Si(SoG-Si)의 대부분을 차지하는 태양전지급 다결정 실리콘 원료를 대부분 수입에 의존하고 있는 실정이다. 이에 대한 기술적 대응으로서 최근에는 고비용의 기상법을 해결하기 위하여 야금학적인 정련법을 이용한 제조기술 개발이 세계적으로 주목받고 있으며, 야금학적 정련기술은 지적재산권에 관한 기술적 배타성을 제고 할 수 있을 뿐 만 아니라 기상법의 Si 대비 낮은 품위 에도 불구하고 태양전지용 실리콘의 사용가능성을 제시함으로서 활발한 연구와 함께 실용화기술로 대두되고 있다. 그러므로 본 연구는 기존 사용 중인 고가의 기상법 폴리실리콘 제조와 달리, 생산 가격경쟁력이 있는 규석광으로부터 고순도금속 및 태양전지급 폴리실리콘 생산 연속 종전기술을 개발하고자 하였다. 금속급 Si(이하 MG-Si)으로부터 경제적인 SoG-Si을 제조하기 위한 공정 개발을 일환으로 MG-Si 중 불순물인 P 원소를 효과적으로 정련할 수 있는 슬래그 정련기술 개발과 슬래그설계 기술개발을 기본목표로 설정하여 고찰하였다. 용융 Silicon과 슬래그계면에 설정되는 산소분압제어에 따른 슬래그의 P의 이온 안정성을 변화시킴으로서, MG-Si중 P를 분리제거를 기본개념으로 설정하였다. 염기성 산화물로 산소이온이 공급됨을 이용하여 염기도에 따른 분배비를 고찰한 결과, CaO의 활동도가 증가함에 따라 슬래그 중 $O^{2-}$의 활동도와 함께 phosphide 이온의 안정성이 증가함을 확인하였다. 그리고 슬래그로부터 실리콘 중 Ca의 용해도에 따른 분배비를 확인하기 위해 실험 후 Si에서 Ca의 성분을 분석한 결과, 실리콘 중 Ca 용해도는 염기도($a_{CaO}/\sqrt{a_{SiO_2}}$)의 증가와 함께 증가하였으며, Ca의 용해도 증가는 탈린능을 증가시킨다는 것을 알 수 있었다. 또한 수소분압을 변화시켜 인의 증기압변화 및 기화정련 효과를 알 수 있었으며, acid leaching을 통해 잔존해있는 불순물을 추가적으로 정련될 수 있는 가능성을 확인할 수 있었다.

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통가열도 TA26 해저산의 모암변질과 원소분산 (Element Dispersion and Wallrock Alteration of TA26 Seamount, Tonga Arc)

  • 유봉철;최헌수;고상모
    • 자원환경지질
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    • 제44권5호
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    • pp.359-372
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    • 2011
  • 통가열도의 남단에 위치하는 TA26 해저산은 열수활동이 가장 활발한 것으로 알려진 해저산으로 열수플룸이 광범위하게 존재하며 열수광석 및 열수변질암이 채취된 지역이다. 이 지역에서 채취한 암석들은 현무암내지 현무암질 안산암이다. 열수용액에 의한 변질암석시료에서는 사장석, 휘석류, 황철석, 티탄철석, 비결정질 살리카, 중정석, 녹점토, iron sulfates, Fe-Si sulfates 및 Fe silicates 등이 산출된다. 모암변질시 열수작용에 의한 변질 암석의 주원소, 미량원소 및 희토류원소 이득 및 손실을 계산하면, $K_2O$(+0.04~+0.45 g), $SiO_2$(-6.52~+10.56 g), $H_2O$(-0.03~+6.04 g), $SO_4$(-0.46~+17.54 g), S(-0.46~+13.45 g) 및 총 S(-0.51~+16.93 g)들이 모암변질시 이득되었다. 또한 미량원소들 중 특히 Ba(-7.60~+185078.62 g), Sr(-36.18~+3033.08 g), Ag(+54.83 g), Au(+1467.49 g), As(-5.80~+1030.80 g), Cd(+249.78 g), Cu(-100.57~+1357.85 g), Pb(+4.91~+532.65 g), Sb(-0.32~+66.59 g), V(-113.58~+102.94 g), 및 Zn(-49.56~+14989.92 g)들이 모암변질시 이득되었다. 따라서 이득된 주원소 및 미량원소의 종류 및 함량($K_2O$, $H_2O$, $SO_4$, S, 총 S, Ba, Sr, Ag, Au, As, Cd, Cu, Pb, Sb, V, Zn) 등을 지시원소로서 활용하면 통가열도 심해저 열수광상 탐사시 유용하게 이용될 수 있다.

결정질과 비정질 PV모듈의 자연광 스펙트럼에 따른 Isc의 변화 (Transition of Isc according to Natural Solar Spectrum on c-Si and a-Si PV Module)

  • 공지현;지양근;강기환;유권종;안형근;한득영
    • 한국태양에너지학회:학술대회논문집
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    • 한국태양에너지학회 2009년도 추계학술발표대회 논문집
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    • pp.86-91
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    • 2009
  • In this paper, we analyze the Transition of Isc by natural solar spectrum of c-Si and a-Si PV module. Commonly, performance of photovoltaic (PV) module is estimated under the standard test condition (STC). That is, solar irradiance $1kW/m^2$, solar spectrum distribution: AM1 5G, module temperature $25^{\circ}C$ This means it rarely meets actual outdoor conditions. The solar spectrum always changes. So it is rare to fit the standard solar spectrum AM1 5G defined in ASTM G173-03 or IEC 60904-3. Thus spectral response of PV module is different depending on the material. so we estimated the variation of Isc at every minutes by comparing c-Si PV module with a-si PV module for outdoor conditions.

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Al-Si계 피스톤 합금의 경질양극산화피막의 특성에 관한 연구 (A Study on the Charactristics od Hard Anodizing fikm of Al-Si Pistom Alloys)

  • 문종환;이진형;권혁상
    • 한국표면공학회지
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    • 제23권1호
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    • pp.34-43
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    • 1990
  • Al-Si piston alloys such as AlS10CuMg have been anodized to examine apossibility of forming a hard film aat relatively higher temperatures compard with those in conventional sulfuric acid processes. Three types of electrolytes have been employed in this study ; electrolyte A(15% H2SO4, $0^{\circ}C$), electrolyte B(12% H2SO4, 1% oxalic, $10^{\circ}C$), electrolyte C(tartaric acid 125g/L+oxalic 75g/L+aluminum sulfate 225g/L, $25^{\circ}C$). Hard anodisine process in electrolyte B at a current density of 1.54A/dm2 produced a harder film of VHN 396 at a relatibely low film forming voltage compared with those obtained in other electrolyte at equivalent current density. A liner relationship between hardness and abrasion resistance exists for Al-Si piston alloys. The hardness of anodized film decreasees with increasing silicon content in Al-Si alloys and also with bath temperature. The film hardeness of Na-modified alloy os higher than that of P-modified alloy due to its finer microstructre. The film on the silicon phase in Al-Si alloys is observed to be formed by lateral growth of oxide film nucleated at surroundings.

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황산철 도금액 중 Si 입자의 공석 특성 (Co-deposition of Si Particles During Electrodeposition of Fe in Sulfate Solution)

  • 문성모;이상열;이규환;장도연
    • 한국표면공학회지
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    • 제37권6호
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    • pp.319-325
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    • 2004
  • Fe thin films containing Si particles were prepared on metallic substrates by electrodeposition method in sulfate solutions and the content of codeposited Si particles in the films was investigated as a function of applied current density, the content of Si particels in the solution, solution pH, solution temperature and concentration of $FeSO_4$$7H_2$O in the solution. The amount of Si codeposited in the film was not dependent on the applied current density, solution pH and solution temperature, while it was dependent on the content of Si particles in the solution and the concentration of $FeSO_4$$7H_2$O in the solution. The amount of Si codeposited in the film increased with increasing content of Si particles in the solution but reached a maximum value of about 6 wt% when the content of Si particles in the solution exceeds 100 g/l. On the other hand, the content of Si codeposited in the film increased up to about 17 wt% with decreasing concentration of $FeSO_4$$7H_2$O in the solution. These results would be applied to the fabrication of very thin Fe-6.5 wt% Si sheets for electrical applications.

태양전지급 폴리실리콘 성형체 제작을 위한 CIP법의 활용 (Application of cold isostatic pressing method for fabrication of SoG-Si powder compacts)

  • 이호문;신제식;문병문;권기환;김기영
    • 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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    • 한국신재생에너지학회 2009년도 춘계학술대회 논문집
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    • pp.126-129
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    • 2009
  • In this study, it was aimed to develop the re-use technology of ultra-fine silicon powders, by-products during the current production process of high purity poly-Si feedstock. For this goal, the compacts of the silicon powders were tried to fabricate by CIP (Cold Isostatic Pressing) method using silicon rubber mold without chemical binder materials. The density ratio of the silicon powder compacts reached 74%. In order to simulate the actual handling and charging conditions of feedstock material in casting process, a shaking test was carried out and mass loss measured. Finally, the silicon powder compacts were melted using a cold crucible induction melting method and the purity assessment was conducted by Hall effect measurement.

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Characteristics of poly-Si TFTs Required for System-on-Glass Analog Circuits

  • Kim, Dae-June;Lee, Kyun-Lyeol;Yoo, Chang-Sik
    • Journal of Information Display
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    • 제5권4호
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    • pp.1-6
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    • 2004
  • In this paper, we investigate on the characteristics of poly-Si TFTs reuired for the implementation of analog circuits to be integrated with System-on-Glass (SoG). Matching requirements in terms of resistor values, threshold voltage and mobility of poly-Si TFTs are derived as a function of the resolution of display system. Effective mobility of poly-Si TFTs required for the realization of source driver is analyzed for various panel sizes.

명반석의 열분해 (A Study on the Thermal Decomposition of Alunite)

  • 김형석;조동성
    • 자원리싸이클링
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    • 제7권5호
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    • pp.33-40
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    • 1998
  • 명반석[$K_2$$SO_4$.$Al_2$($SO_4$)$_3$.(OH)$4Al_3$]과 석회석(CaCo$_3$)의 혼합소성에서 무수석고(CaSO$_4$)의 생성은 주로 $SO_3$(g)와 CaO(s)가 발생되는 온도와 속도에 의존된다. 그러므로 본 연구에서는 먼저 명번석의 열분해로 생성되는 물질과 $SO_3$(g)가 이탈되는 온도와 속도를 조사하였다. 상압의 공기분위기에서 명반석은 $500~580^{\circ}C$에서 탈수되어 (SO$KAl_4$)$_2$$Al_2$$O_3$로 분해된다. 이때에 탈수되는 속도는 kt=${1-(1-{alpha}^{1/3})}^{2}}$에 일치하고, 탈수 활성화에너지는 약 73.01kcal/mol로 계산된다. $SO_3$(g)는 $580~700^{\circ}C$에서도 서서히 발생되지만 $700~780^{\circ}C$에서는 급격히 발생된다. KAl($SO_4$)$_2$가 분해되는 속도는 kt=$1-{(1-{alpha})}^{1/3}$에 일치하며, 분해활성화에너지는 약 66.84kcal/mol로 계산된다. 명반석광석에 함유된 $SiO_2$와 kaolinite는 $SO_3$(g)의 발생온도 및 속도에는 거의 영향을 끼치지 않는다.

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