• 한국결정성장학회지
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• 제28권5호
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• pp.191-198
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• 2018

알곤 분위기 하에서 다양한 몰 비의 Sn과 Sb 혼합분말에 대한 고에너지 볼밀을 시행하여 잔류 Sn, Sb 입자를 지닌 SnSb 합금결정상을 가지는 분말을 제조한 후, 그 소재적 특성과 리튬전기화학적 거동을 조사하였다. 시작 분말 내 Sn, Sb의 양 조절을 통해 잔류 Sn, Sb 상을 지닌 SnSb의 합금분말의 합성과 볼밀링에 의한 입자크기의 감소가 X-선 회절 분석과 입도 분석에 의해 확인되었다. Li 금속을 상대전극으로 하여 합성된 SnSb 합금분말에 대한 Li 이온의 충방전 실험 결과, 시작 분말에서 Sn과 Sb의 몰 비를 4:6으로 하여 소량의 잔류 Sb를 지닌 SnSb 합금분말에서 가장 좋은 사이클 특성을 보여, $40mA\;g^{-1}$의 정전류 하에서 50회 충방전 후 $580mAh\;g^{-1}$의 용량을 보였으며, SnSb 합금상만을 가진 분말이 다음으로 좋은 충방전 특성을 보였다. 그러나 Sn : Sb = 3 : 7 합금분말에서는 Sn과 Li-ion의 반응이 억제되어 낮은 용량을 보였다. 잔류 Sn 상이 포함된 SnSb 합금 분말은 초기의 높은 용량을 지속하지 못하고 20회 이상의 충방전 시 급격한 용량 감소를 보였다.

• 대한전자공학회논문지
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• 제16권4호
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• pp.32-35
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• 1979

SnO2- amorphous Sb 5 thin film-Sn structure에서 SnO2 창으로 photon을 입사시켰을 때 photo-voltaic 효과를 발견했으며 photon의 energy에 따라 photowltage의 부호가 반전 되었다. 이러한 현상은 SnO2- Sb S 사이에서 n-n heterojunction이, Sb S Sn사이에서 schottky junction이 형성되기 때문인 것으로 여겨진다.

• 한국결정성장학회지
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• 제18권1호
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• pp.33-37
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• 2008

Sn-Sb-Cu-Ni-Cd whitemetal에서 Cu와 Sb가 미세조직과 기계적 특성에 미치는 영향을 조사하였다. Cu 함량이 0.05 wt%인 whitemetal에서는 화합물 상이 관찰되지 않았지만 Cu 함량이 증가함에 따라 별 모양 또는 침상 $Cu_6Sn_5$ 상이 관찰되었다. 인장강도는 Cu 함량이 5% 까지는 증가하다가 그 이상에서는 거의 일정하게 유지되었다. 반면에 경도는 경질상이 증가하기 때문에 계속 증가하였다. 또한 Sb 함량이 증가함에 따라 입방형 SbSn 상이 $Cu_6Sn_5$ 상과 함께 관찰되었다. 인장강도와 경도는 Sb 함량이 많아질수록 증가하였고 연선율은 감소하였다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제13권8호
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• pp.658-666
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• 2000

Sb and Sb-Fe doped SnO$_2$film resistors were prepared by spray pyrolysis technique. The effects of Sb and Sb-Fe addition on TCR and electrical properties of SnO$_2$film resistors were studied. Also the dependence of electrical properties on the substrate temperature and substrate-nozzle distance was investigated. The Sn-Sb system with 7.9 mol% SbCl$_3$(STO-406) and Sn-Sb-Fe systems with 7.3 mol% SbCl$_3$+7.3 mol% FeCl$_3$(STO-407) and with 3.4 mol% SbCl$_3$+7.7mol% FeCl$_3$(STO-408) were prepared. Both of the systems Sn-Sb and Sn-Sb-Fe represented nonlinearity of TCR with temperature. As the amount of Fe increased TCR was shifted to positive direction. Decreasing Sb or increasing Fe caused resistivity to increase. Also increasing Fe caused the crystallization degree of rutile structure in SnO$_2$film to decrease. The electrical resistivity decreased with increasing substrate temperature The resistivity decreased with increasing substrate-nozzle distance in the ranges from 15 to 25 cm and increased rapidly at the distance over 25cm.

• 대한전자공학회논문지
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• 제13권6호
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• pp.16-19
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• 1976

InSb-Sn 박막 Hall소자를 InSb-Sn분말을 flash흡착법으로 슬라이드 글래스 위에 흡착하여 만들었다. 이 소자를 자속계로 사용할 때 특성이 재현성이 좋고 직선성이 양호하였다. InSb-Sn thin film Hall device Was drepared by flash evaporation of InSb-Sn powder on the Slide qlass. The Characteristics Curve of this device showcd good linearity and reproducibility.

• 한국환경과학회:학술대회논문집
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• 한국환경과학회 2008년도 추계학술발표회 발표논문집
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• pp.482-487
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• 2008

성능이 우수한 다성분계 전극을 개발하기 위하여 Ru를 주 전극성분으로 Pt, Sn, Sb 및 Gd를 보조 전극성분으로 하여 3, 4성분계 전극의 성능과 산화제 생성량 및 전극 표면 분석을 행하여 다음의 결과를 얻었다. 1. 2분 동안 단위 W당 제거된 RhB 농토는 Ru:Sn:Sb=9:1:1 > Ru:Pt:Gd=5:5:1 > Ru:Sn=9:1 > Ru:Sn:Gd=9:1:1 > Ru:Sb:Gd=9:1:1로 나타났다. Ru:Sn:Sb=9:1.1 전극에서 발생하는 free Cl, ClO$_2$ 및 H$_2$O$_2$농도가 다른 전극보다 높은 것으로 나타나 산화제 생성경향과 RhB 분해율과는 상관관계가 있는 것으로 사료되었다. 4성분계 전극 중에서 Ru:Sn:Sb:Gd 전극의 성능이 가장 우수한 것으로 나타났으나 3성분계 전극인 Ru:Sn:Sb=9:1.1 전극보다 성능이 떨어지는 것으로 나타났다. Ru:Sn:Sb=9:1:1 전극에서 생성되는 산화제 농도가 다른 두 종류의 산화제 농도보다 높은 것으로 나타났고 4성분 전극의 경우 Ru:Sn:Sb:Gd 전극의 산화제 농도가 Ru:Sn:Sb:Gd 전극이 높거나 유사한 경우로 나타나 산화제 생성 경향과 RhB분해 능과는 상관관계가 있는 것으로 나타났다. 초기 RhB 분해 속도가 높은 전극의 COD 제거율도 높은 것으로 나타났다. OH 라디칼은 발생하지 않지만 염소계 산화제 농도가 높고 RhB제거율이 높아 Ru를 주 성분으로 한 전극의 RhB분해는 주로 간접 산화작용에 의한 것이며, 개발된 3, 4성분계 산화물 전극은 간접 산화용 전극임을 알 수 있었다. 에칭을 하기 전의 Ti판은 표면이 매끄러운 것으로 나타났으며, 35% 염산으로 에칭한 후의 Ti메쉬는 매우 거친 표면조직을 가지는 것을 관찰할 수 있었다. Ru:Sn:Sb=9:1:1 전극과 Ru:Sn:Sb:Gd 전극의 SEM 사진을 관찰한 결과 두 전극 모두 전극 물질이 균일하게 도포되어 있었으며, 두 전극 모두 열소성을 통해 전극 성분을 코팅할 때 발생하는 "mud crack"이 발생한 것이 관찰되었다 EDX 분석에서 Cl이 관찰되었는데, 전극 성분의 불완전 산화로 인한 비양론적 산화물 때문이며 이는 RhB 분해성능과 관련 있는 것으로 사료되었다.

• 한국결정성장학회지
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• 제13권5호
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• pp.241-246
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• 2003

ATO(antimony-doped tin oxide) 투명전도막을 sol-gel dip coating 방법에 의해 $SiO_2$/glass 기판 위에 성공적으로 제조하였다 ATO막의 결정상은 $SnO_2$상임을 확인하였고, 막의 두께는 withdrawal speed를 50 mm/minute로 코팅시 약 100 nm/layer였다. $SiO_2$/glass 기판 위에 코팅한 400 nm두께의 ATO 박막을 질소분위기에서 annealing한 후, 측정한 광 투과율과 전기 저항치는 각각 84%와 $5.0\times 10^{-3}\Omega \textrm{cm}$였다. 이러한 특성은 $SiO_2$막이 Na 이온의 확산을 제어하여 $Na_2SnO_3$ 및 SnO와 같은 불순물의 형성을 억제하고, 막 내부의 Sb의 농도와 $Sb^{3+}$에 대한 $Sb^{5+}$의 비를 증가시키는데 기여했기 때문으로 확인되었다. 또한, $N_2$ annealing은 $Sb^{5+}$뿐만 아니라 $Sn^{4+}$를 환원시킴으로써 전기전도도를 향상시킴을 확인하였다.

• 한국재료학회지
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• 제12권4호
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• pp.317-323
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• 2002

Effect of V and Sb content on characteristics of ${\beta}\;to\;{\alpha}$ phase transformation in Zr-0.84Sn alloy has been studied using optical microscopy and transmission electron microscopy. As V content increased, the ${\beta}{\to}{\beta}+{\alpha}$ transformation temperature was lowered, thus allowing the width of $\alpha$-lath in air-cooled Zr-0.86Sn-0.40V alloy to be fine. The width of ${\alpha}$-lath in air-cooled Zr-0.84Sn-xSb, however, was rarely changed with Sb content. The ${\beta}\;to\;{\alpha}$ transformed microstructures of water-quenched Zr-0.84Sn, Zr-0.84Sn-0.10V and Zr-0.84Sn-0.19V alloys were mainly slipped martensite. On the other hand, those of wafter-quenched Zr-0.86Sn-0.40V and Zr-0.85Sn-0.05Sb alloys were predominantly twinned martensite. In case of water-quenched Zr-0.85Sn-0.12Sb and Zr-0.84Sn-0.17Sb alloys, basketweave structure was observed. The transition of slipped martensite to twinned martensite in Zr-0.84Sn-xV alloys and the transition of twinned martensite to basketweave structure in Zr-0.84Sn-xSb alloys were due to the decrease of $M_s$ temperature.

• 한국분말재료학회지
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• 제18권5호
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• pp.401-405
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• 2011

Half-heusler phase ZrNiSn is one of the potential thermoelectric materials for high temperature application. In an attempt to investigate the effect of Sb doping on thermoelectric properties, half-heusler phase $ZrNiSn_{1-x}Sb_x$ ($0{\leq}x{\leq}0.08$) was synthesized by mechanical alloying of stoichiometric elemental powder compositions, and consolidated by vacuum hot pressing. Phase transformations during mechanical alloying and hot consolidation were investigated using XRD. Sb doped ZrNiSn was successfully produced in all doping ranges by vacuum hot pressing using as-milled powders without subsequent annealing. Thermoelectric properties as functions of temperature and Sb contents were evaluated for the hot pressed specimens. Sb doping up to x=0.04 in $ZrNiSn_{1-x}Sb_x$ was shown to be effective on thermoelectric properties and the figure of merit (ZT) was shown to reach to the maximum at x=0.02 in this study.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2003년도 춘계학술발표강연 및 논문개요집
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• pp.190-190
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• 2003

여러원소 (Sb, F 등)를 도핑한 SnO$_2$ 투명전도막은 여러 가지 훌륭한 특성으로 Solar cell, heat mirrors, gas sensors, liquid crystal displays, thick film resistor 등과 같이 넓은 범위에서 응용되고 있다. 본 연구에서는 Sb 도핑된 Tin Oxide films이 Sol-gel dip coating법에 의해 준비되었다. SnO$_2$:Sb 용액은 SnC1$_2$ 와 SbC1$_3$ Power를 알코올에 용해하여 Ethylene glycol 와 Citric acid를 첨가하여 합성하였다. 막의 상형성은 XRD와 SEM(Scanning electron microscope)에 의해서 분석되었으며, 특성분석은 투과율(UV/VIS Spectrophotometer)과 표면전기저항(four point probe)으로 분석되었다. SiO$_2$ barrier이 SnO$_2$:Sb 막의 특성에 미치는 영향을 확인하기 위하여 XPS(X-ray photoelectron spectroscopy) 분석이 적용되었다.