• 제목/요약/키워드: Single crystal growth

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Xenon-arc type floating zone법에 의한 루비 단결정 성장 (Ruby single crystal growth by the xenon-arc type floating zone method)

  • 정일형;임창성;오근호
    • 한국결정성장학회지
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    • 제7권4호
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    • pp.521-527
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    • 1997
  • 직경 6-7 mm, 길이 20-25 mm인 루비 단결정을 자체 제작한 FZHY1을 이용하여 xenon-arc type floating zone법으로 성장시켰다. 결정성장을 위한 하소 및 소결조건에 대해 조사했으며, 성장시에 성장속도와 회전속도 및 냉각속도를 제어 함으로써 최적 성장조건을 확립하였다. 측정한 투과율 데이터에서 $Cr^{3+}$의 available energy를 계산하였고, Laue 사진으로부터 결정의 성장방향이 [1010]방향임을 확인하였다. 성장된 결정의 wafer의 굴절율은 1.714, ${\Delta} n \le 0.003 으로써 광학적으로 균일하였다. 이 결정들은 693 nm의 파장과 중간상태의 에너지준위를 갖는 레이저 재료로 사용될 수 있었다.

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$K_3$$Li_2$$Nb_5$$O_{15}$ 단결정의 성장과 특성에 관한 연구 (The growth and characteristics $K_3$$Li_2$$Nb_5$$O_{15}$ of single crystals)

  • 김진수;김정남;김태훈;노지현;진병문
    • 한국결정성장학회지
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    • 제9권5호
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    • pp.463-469
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    • 1999
  • $K_3$$Li_2$$Nb_5$$O_{15}$KLN) 단결정을 $K_x$$Li_{1-x}$$NbO_3$의 조성에서 x= 0.04~0.6으로 결정성장방법으로 성장시켰다. 균열이 없는 양질의 결정성장을 위해 c축 및 a축 방향을 택하였고, 단결정 성장을 위한 최적의 조건에 대하여 연구하였다. 성장된 결정은 편광현미경 관찰을 통해 일축성 무늬를 볼수 있었고, X-선 회절실험에서 결정된 격자상수는 a=b=12.500 $\AA$, c=3.996$\AA$이었으며, 1HF : $2HNO_3$ 용액의 부식에서 c축 방향으로 정사각형 및 a축 방향으로 직사각형의 부식상을 볼수 있었다. 광투과율 측정과 온도에 따른 유전상수 측정등을 통해 KLN 결정의 광학적 특성 및 다른 조성을 갖는 시료에서 유전특성을 조사하였다. $420^{\circ}C$에서 상전이 온도를 갖는 결정은 확산상전이(diffuse phase transition) 특성을 갖는 반면 $493^{\circ}C$에서 상전이 온도를 보이는 결정은 날카로운(shap) 유전특성을 나타내었다.

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L-arginine phosphate monohydrate와 tris(hydroxymethyl)-aminomethane sulfate 유기 단결정의 육성 (Growth of organic single crystals of L-arginine phosphate monohydrate and tris(hydroxymethyl)aminomethane sulfate)

  • Chang-Sung Lim;Pan-Chae Kim
    • 한국결정성장학회지
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    • 제4권1호
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    • pp.105-110
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    • 1994
  • L-arginine phosphate monohydrate (LAP)와 tris(hydroxymethyl)aminomethane sulfate(THAMS)는 레이저의 파장변환소자등과 같은 소자응용에 있어서 새로운 유기 비선형광학재료이다. 본 연구에서는 온도강하법과 온도차법을 이용하여 LAP와 THAMS 단결정의 육성을 시도하였으며 이들 방벙에 따른 육성조건을 확립하였다. 그리고 육성결정의 특성을 광학현미경, XPD, FTIR 등을 통하여 평가하였다.

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RF 스퍼터링 법에 의한 사파이어 기판상의 ZnO 박막의 성장 (ZnO film growth on sapphire substrate by RF magnetron sputtering)

  • 강승민
    • 한국결정성장학회지
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    • 제14권5호
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    • pp.215-219
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    • 2004
  • ZnO 에피박막을 사파이어 기판의 (0001)면 상에 RF magnetron sputtering 법으로 성장하였다. 박막의 성장속도는 약 0.1~0.2$\mu\textrm{m}$/hr 였으며, 기판온도가 $600^{\circ}C$일 때, 약 400~500nm두께의 단결정상의 박막을 성장할 수 있었다. 성장된 단결정상 박막에 대하여 XRD분석과 TEM을 이용하여 박막의 품질과 미세구조를 평가하였다.

Electric Property Analysis of SiC Semiconductor Wafer for Power Device Application

  • 김정곤;안준호;서정두;김정규;견명옥;이원재;김일수;신병철;구갑렬
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2006년도 추계학술대회 논문집 Vol.19
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    • pp.207-207
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    • 2006
  • We investigated the effects of hydrogen addition to the growth process of SiC single crystal using sublimation physical vapor transport(PVT) techniques. Hydrogen was periodically added to an inert gas for the growth ambient during the SiC bulk growth Grown 2"-SiC single crystals were proven to be the polytype of 6H-SiC and carrier concentration levels of about $10^{17}/cm^3$ was determined from Hall measurements. As compared to the characteristics of SiC crystal grown without using hydrogen addition, the SiC crystal without definitely exhibited lower carrier concentration and lower microplpe density as well as reduced growth rate.

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TSSG-pulling of Sillenite $Bi_{12}TiO_{20}$ for EOS Application

  • Miyazawa, Shintaro
    • 한국결정성장학회:학술대회논문집
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    • 한국결정성장학회 1999년도 PROCEEDINGS OF 99 INTERNATIONAL CONFERENCE OF THE KACG AND 6TH KOREA·JAPAN EMG SYMPOSIUM (ELECTRONIC MATERIALS GROWTH SYMPOSIUM), HANYANG UNIVERSITY, SEOUL, 06월 09일 JUNE 1999
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    • pp.227-250
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    • 1999
  • The reproducibility of successive growth of Bi12TiO20(BTO) single crystals using a top-seeded solution growth (TSSG) pulling method was evaluated by measuring the lattice constants and their standard deviations. A substantial phase diagram in the region close to the stoichiometric BTO was established experimentally for this purpose, and the existence of a retrograde solid solution close to a BTO was clarified. It was emphasize that a starting solution, with a 10.0~10.1 mol% TiO2 concentration, results in large single crystals with a highly homogeneous lattice constant of within $\pm$1x10-4$\AA$, when the solidified fraction of the grown crystal is less than about 45%. A wavelength dispersion of refractive index was measured for the first time, an it was verified that the refractive index of BTO is larger than that of BSO(Bi12TiO20), allowing the voltage sensitivity of EOS higher than the case with BSO as a probe head.

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PVT 법으로 성장된 AlN 단결정의 결정상에 관한 연구 (A study on the crystalline phases of AlN single crystals grown by PVT method)

  • 강승민
    • 한국결정성장학회지
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    • 제24권2호
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    • pp.54-58
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    • 2014
  • PVT(물리 기상 이동법, Physical Vapor Transport) 법을 적용하여 질화알루미늄(AlN, Aluminum Nitride) 단결정을 성장하였으며, 성장된 결정의 결정성과 성장 온도에 따른 상에 대하여 고찰하였다. 성장된 단결정은 광학현미경을 이용하여 결정의 상을 관찰하였고, 관찰된 결과를 비교 분석하여 본 실험에 적용된 성장 장치에서의 최적의 성장 온도 조건을 설정할 수 있었다. 본 연구에서는 AlN 단결정 성장 결과를 비교 고찰하여 보고하고자 한다.

Misaligned된 비균일자장이 인가된 초크랄스키 실리콘 단결정성장에 대한 수치적 해석 (A NUMERICAL ANALYSIS OF CZOCHRALSKI SINGLE CRYSTAL GROWTH OF SILICON WITH MISALIGNED CUSP MAGNETIC FIELDS)

  • Kim, Chang Nyung
    • Journal of the Korean Society for Industrial and Applied Mathematics
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    • 제4권1호
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    • pp.121-131
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    • 2000
  • Melt flow, heat and mass transfer of oxygen have been analyzed numerically in the process of Czochralski single crystal growth of silicon under the influence of misaligned cusp magnetic fields. Since the silicon melt in a crucible for crystal growth is of high temperature and of highly electrical-conducting, experimentation method has difficulty in analyzing the behavior of the melt flow. A set of simultaneous nonlinear equations including Navier-Stokes and Maxwell equations has been used for the modelling of the melt flow which can be regarded as a liquid metal. Together with the melt flow which forms the Marangoni convection, a flow circulation is observed near the comer close both to the crucible wall and the free surface. The melt flow tends to follow the magnetic lines instead of traversing the lines. These flow characteristics helps the flow circulation exist. Mass transfer characteristics influenced by the melt flow has been analyzed and the oxygen absorption rate to the crystal has been calculated and turned out to be rather uniform than in the case of an aligned magnetic field.

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부유대용융법에 의한 YMnO$_3$단결정 성장 (The growth YMnO$_3$ single crystals using a floating zone method)

  • 권달회;강승구;김응수;김유택;심광보
    • 한국결정성장학회지
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    • 제10권4호
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    • pp.279-285
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    • 2000
  • 부유대용융법에 의해 비휘발성 기억소자용 강유전성물질인 $YMnO_3$단결정을 육성하였다. 결정성장전 YMnO$_3$분말의 최적합성조건은 $1200^{\circ}C$에서 10시간, 최적원료봉 소결조건으로 $1500^{\circ}C$에서 10시간이었다. 초기 Seed가 없는 상태에서의 실험에서 성장된 단결정의 우선성장방위는 X-ray Laue분석을 통하여 [1010] 임을 알수 있었고 이 결정을 seed로 사용하여 c-축에 수직한 방향으로 $YMnO_3$단결정을 성장하였다 성장된 단결정은 직경 5mm, 길이 50 mm로 양질의 흑청색 결정이었다.

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투과전자현미경(TEM)과 반사전자현미경법(REM)을 이용한 알루미나 단결정내의 결함들에 관한 관찰 (Observation of Defects in the Alpha-Alumina Single Crystal by TEM and REM Techniques)

  • 김유택
    • 한국결정성장학회지
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    • 제3권2호
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    • pp.131-139
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    • 1993
  • 결정 구조와 결정 내부의 결함들을 연구하는데 매우 유용한 투과전자현미경법(TEM)과 결정 표면에 존재하는 결함들을 발견하는데 있어 매우 민감한 인지력이 있는 반사현미경법(REM)을 이용하여 알루미나($\alpha$-Al2O3) 단결정내 또는 표면에 존재하는 전위(dislocations)와 쌍정(twins)들의 거동에 대하여 연구하였다.

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