• 한국결정성장학회지
• /
• 제11권5호
• /
• pp.211-217
• /
• 2001

Czochralski법에 의한 ZnWO₄단결정을 [100], [101], [001] 방향으로 성공적으로 성장시켰다. 각 축 방향에 따른 성장조건이 rotation speed, pulling rate, 성장된 결정의 직경 등의 변수를 가지고 조사되어졌다. 성장된 결정의 냉각시 발생되는 균열을 annealing 효과에 의하여 방지할 수 있었다. 성장된 결정의 방위는 Laue back reflection으로 결정하였다. 각 축 방향으로 성장된 결정의 미세구조적 특징이 논하여졌으며, 경도, 열팽창계수 및 유전상수의 물리적 특성이 평가되어졌다.

• The Korean Journal of Ceramics
• /
• 제6권1호
• /
• pp.53-57
• /
• 2000

It was observed that the growth rates are different each other in the opposite direction along c-axis due to the crystal polarity. In according to the calculation based on diffusional equations with consideration of the electrical polarization and the surface charge, the difference of growth rates could be explained. Some experiments were compared with this kinetic explanation.

• 한국전기전자재료학회논문지
• /
• 제20권6호
• /
• pp.550-554
• /
• 2007

Large and single-grain Y-Ba-Cu-O(YBCO) bulk superconductors have been fabricated by using a seeded infiltration and growth method. $Y_2BaCuO_5$(Y211) precursor pellets and $YBa_2Cu_3O_x$(Y123) liquid source pellets were prepared using commercial powder and were processed by infiltration and growth method to achieve low pore and high trapped field property. The superconductor properties of the single crystal are measured and analyzed in relation with the density and size of the Y211 particle in the Y123 matrix. An optimum processing condition is suggested based on the analyzed results.

• 한국결정성장학회지
• /
• 제9권5호
• /
• pp.470-474
• /
• 1999

We have successfully grown <111>-oriented $(La,Sr)(Al,Ta)O_{3}\;(LSAT)$ mixed-perovskite single crystals and <0001>-oriented ${Ca_{8}La_{2}(PO_{4})}_{6}O_2$ (CLPA) single crystals with the apatite structure by the Czochralski method. The compositional and lattice parameter uniformity of the crystals are discussed in relation to the growth conditions. Since LSAT and CLPA single crystals have excellent lattice matching with GaN, they are promising as new substrates for the growth of high quality GaN epitaxial layers.

• 한국항해학회지
• /
• 제19권4호
• /
• pp.83-92
• /
• 1995

In this study, a vertical type LPE system has been developed for III-V semiconductor compounds single crystal growth. On the basis of the experience & basic study using this system, the system modification has been carried out for a ultra thin multi-layer single crystal. The temperature fluctuation was within ${\pm}0.006^{\circ}C$ at $800^{\circ}C$, temperature uniformity for graphite boat around was within ${\pm}0.15^{\circ}C$ at $650^{\circ}C$, and cooling rate was controllable from $2.2^{\circ}C$/min to $0.05^{\circ}C$/min. As a result it is considered to satisfy the condition to grow a ultra thin layer single crystal of III-V semiconductor compounds.

• 한국결정성장학회지
• /
• 제29권4호
• /
• pp.149-153
• /
• 2019

HVPE는 GaN 단결정의 제조 방법 중 하나로 빠른 성장 속도가 장점인 상업적으로 널리 사용되는 성장 방법이다. HVPE 법에 의한 GaN 단결정 성장은 여러 공정으로 이루어지며, 특히 GaN 성장 전 기판의 질화 처리는 성장되는 GaN 단결정 품질에 상당한 영향을 미친다. 본 연구에서는 사파이어 기판 위에 GaN 단결정 성장 시 기판의 질화처리가 성장되는 GaN 단결정 품질에 미치는 영향을 알아보고자 하였다. 질화 처리를 제외한 다른 성장 조건은 동일하게 하였고 질화처리 시 기판에 공급되는 가스 유량을 다양하게 변화시킨 후 GaN 박막을 성장시키고, 성장된 GaN의 표면 특성평가를 통하여, HVPE 법에서의 질화처리 효과를 고찰하여 보고자 하였다.

• 한국결정성장학회지
• /
• 제15권1호
• /
• pp.1-9
• /
• 2005

AgGaS₂ 단결정 박막을 수평 전기로에서 합성한 AgGaS₂ 다결정을 증발원으로하여, hot wall epitaxy(HWE) 방법으로 증발원과 기판(반절연성-GaAs(100))의 온도를 각각 590℃, 440℃로 고정하여 성장하였다. 이때 단결정 박막의 결정성은 광발광 스펙트럼과 이중결정 X-선 요동곡선(DCRC)으로 부터 구하였다. AgGaS₂의 광흡수 스펙트럼으로부터 구한 온도에 의존하는 에너지 밴드갭 E/sub g/(T)는 Varshni 공식에 fitting한 결과 E/sub g/(T) = 2.7284 eV - (8.695×10/sup -4/ eV/K)T²/(T + 332 K)를 잘 만족하였다. 성장된 AgGaS₂ 단결정 박막을 Ag, Ga, S 분위기에서 각각 열처리하여 10K에서 photoluminescience(PL) spectrum을 측정하여 점 결함의 기원을 알아보았다. PL 측정으로 부터 얻어진 V/sub Ag/, V/sub s/, Ag/sub int/, 그리고 S/sub int/는 주개와 받개로 분류되어졌다. AgGaS₂ 단결정 박막을 Ag 분위기에서 열처리하면 n형으로 변환됨을 알 수 있었다. 또한, Ga 분위기에서 열처리하면 열처리 이전의 PL 스펙트럼을 보이고 있어서. AgGaS₂ 단결정 박막에서 Ga은 안정된 결합의 형태로 있기 때문에 자연 결함의 형성에는 관련이 없음을 알았다.

• 한국결정성장학회지
• /
• 제5권3호
• /
• pp.240-249
• /
• 1995

무색투명하고 순수한 단결정을 얻기 위하여 $TiO_{2}$(rutile) 단결정을 floating zone법으로 성장하였다. 성장된 결정을 c축에 수직 및 수평하게 절단하여 500~1000 nm 범위의 파장에서 선형 굴절율을 측정하였으며 흡수스펙트롬으로부터 optical energy band gap이 2.99 eV임을 알 수 있었다. $TiO_{2}$(rutile) 단결정의 $\chi^{(3)}$ 값을 반경험적인 모델을 기반으로 하여 $SiO_{2}$ quartz 단결정의 $\chi^{(3)}$ 값과 비교하여 분석하였다. 또한 제 3 비선형광학 특성에 있어서의 Ti$\^{4+}$의 영향을 해석하기 위해 second hyperpolarizability, ${\gamma}$(Ti$\^{4+}$)를 계산하였다.

• 한국결정성장학회지
• /
• 제13권6호
• /
• pp.279-283
• /
• 2003

본 연구에서는 ZnTe에 S 원자를 소량 첨가한 ZnTe : S 단결정 박막이 열적적층법에 의하여 GaAs(100) 기판 위에 성장되었다. S 원자에 의한 효과를 알기 위하여 ZnTe : S 단결정 박막의 광발광 특성을 조사하였다. 저온 광발광 스펙트럼에서 등전자적 중심(isoelectronic center)으로 보이는 2.339 eV의 피크가 관측되었고, ZnTe 단결정 박막의 광발광 스펙트럼에서 근원을 알 수 없었던 발광 스펙트럼은 관측되지 않았다. 온도에 따른 가벼운 양공 자유 엑시톤의 세기 변화는 외부자기포획(extrinsic self-trapping)으로 설명하였다. 그리고 상온에서 에너지 띠간격 흡수단 근처의 발광선이 관측되었다.

• 한국결정성장학회:학술대회논문집
• /
• 한국결정성장학회 1998년도 PROCEEDINGS OF THE 14TH KACG TECHNICAL MEETING AND THE 5TH KOREA-JAPAN EMGS (ELECTRONIC MATERIALS GROWTH SYMPOSIUM)
• /
• pp.23-26
• /
• 1998

The domain formation phenomena of {{{{ { LiLbO}_{ 3} }}}} crystals was investigated and the method for the periodic domain formation in {{{{ { LiLbO}_{ 3} }}}} single crystals during growth was proposed in this study. The strees-induced domain formation mechanism was proposed and explained. The strong piezoelectric effect of{{{{ { LiLbO}_{ 3} }}}} at elevated temperature would be the direct driving force for the inversion of the tensile component of the internal stresses can inverse the original direction of the spontaneous polarization.