Park, Jong-Gon;Lee, Jong-Kook;Seo, Dong-Seok;Kim, Min-Jeong;Lee, Eun-Gu;Kim, Hwan
Journal of the Korean Ceramic Society
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v.36
no.12
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pp.1356-1363
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1999
Self-reinforced silicon carbide was prepared by hot pressing and the control of starting phases of raw materials and its microstructural characteristics was investigated. The specimens with self-reinforced microstructure were obtained from the compacts with mixed compositions of ${\alpha}$-and ${\beta}$-SiC powders. Self-reinforced microstructure which is composed of large dispersed grains with rod-like shape and matrix with small equiaxed grains was formed by the transformation to the ${\alpha}$-SiC with 4H polytype for ${\beta}$-SiC and anisotropic grain growth during the heat treatment. Of all speimens the values of volume fraction maximum length and aspect ratio for large grains with rode-like types were the highest at the specimen with 50 vol% ${\beta}$-SiC in the starting SiC powder and therefore this specimen showed the highest fracture toughness due to the crack deflection by rod-like grains during crack propagation.
Kim, Hai-Doo;Ellen Y. Sun;Paul F. Becher;Kim, Hyo-Jong;Han, Byung-Dong;Park, Dong-Soo
Journal of the Korean Ceramic Society
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v.38
no.5
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pp.405-411
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2001
Compacts of a mixture of fine $\alpha$-Si$_3$N$_4$powders, 6% $Y_2$O$_3$and 1% $Al_2$O$_3$were attrition milled time on phase and microstructural development in silicon nitride ceramics. The sintered surface and the interior showed different behaviors in phase and microstructral developments. Increased oxygen content with increased milling time of powder mixture leads to the formation of Si$_2$$N_2$O phase at temperatures as low as 155$0^{\circ}C$. Si$_2$$N_2$O is stable in the interior of the samples but unstable in the surface region of the specimen sintered at higher temperature. This results in a duplex structure where the interior consists of Si$_2$$N_2$O grains dispersed in $\beta$-Si$_3$N$_4$matrix and a surface which contains only $\beta$-Si$_3$N$_4$. The alpha to beta phase transformation and the microstructural development are shown to be influenced by the formation and decomposition of the Si$_2$$N_2$O.
Jo, Yung-Chul;Youm, Mi-Rae;Yun, Sung-Il;Cho, Gyoung-Sun;Park, Sang-Whan
Journal of the Korean Ceramic Society
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v.50
no.6
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pp.402-409
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2013
The objective of this study was to develop a synthesis process for ${\beta}$-SiC powders to reduce the synthesis temperature and to control the particle size and to prevent particle agglomeration of the synthesized ${\beta}$-SiC powders. A phenol resin and TEOS were used as the starting materials for the carbon and Si sources, respectively. $SiO_2$-C hybrid precursors with various C/Si mole ratios were fabricated using a conventional sol-gel process. ${\beta}$-SiC powders were synthesized by a carbothermal reduction process using $SiO_2$-C hybrid precursors with various C/Si mole ratios (1.6 ~ 2.5) fabricated using a sol-gel process. In this study, the effects of excess carbon and the addition of Si powders to the $SiO_2$-C hybrid precursor on the synthesis temperature and particle size of ${\beta}$-SiC were examined. It was found that the addition of metallic Si powders to the $SiO_2$/C hybrid precursor with excess carbon reduced the synthesis temperature of the ${\beta}$-SiC powders to as low as $1300^{\circ}C$. The synthesis temperature for ${\beta}$-SiC appeared to be reduced with an increase of the C/Si mole ratio in the $SiO_2$-C hybrid precursor by a direct carburization reaction between Si and excess carbon.
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.30
no.6
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pp.271-276
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2020
In this study, an amorphous SiC block was manufactured using polycarbosilane (PCS), an organosilicon polymer. The dense SiC blocks were easily fabricated in various shapes via pyrolysis at 1100℃, 1200℃, 1300℃, 1400℃ after manufacturing a PCS molded body using cured PCS powder. Physical and chemical properties were analyzed using a thermogravimetric analyzer (TGA), scanning electron microscope (SEM), energy dispersive spectroscopy (EDS), and universal testing machine (UTM). The prepared SiC block was decomposed into SiO and CO gas as the temperature increased, and β-SiC crystal grains were grown in an amorphous structure. In addition, the density and flexural strength were the highest at 1.9038 g/㎤ and 6.189 MPa of SiC prepared at 1100℃. The manufactured amorphous silicon carbide block is expected to be applicable to other fields, such as the previously reported microwave assisted heating element.
Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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v.21
no.4
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pp.596-601
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2020
Silicon carbide is considered a potentially useful material for high-temperature electronic devices because of its large band gap energy and p-type or n-type conduction that can be controlled by impurity doping. Accordingly, the thermoelectric properties of -SiC powder prepared by refined diatomite were investigated for high value-added applications of natural diatomite. -SiC powder was synthesized by a carbothermal reduction of the SiO2 in refined diatomite using carbon black. An acid-treatment process was then performed to eliminate the remaining impurities (Fe, Ca, etc.). n-Type semiconductors were fabricated by sintering the pressed powder at 2000℃ for 1~5h in an N2 atmosphere. The electrical conductivity increased with increasing sintering time, which might be due to an increase in carrier concentration and improvement in grain-to-grain connectivity. The carrier compensation effect caused by the remaining acceptor impurities (Al, etc.) in the obtained -SiC had a deleterious influence on the electrical conductivity. The absolute value of the Seebeck coefficient increased with increasing sintering time, which might be due to a decrease in the stacking fault density accompanied by grain or crystallite growth. On the other hand, the power factor, which reflects the thermoelectric conversion efficiency of the present work, was slightly lower than that of the porous SiC semiconductors fabricated by conventional high-purity -SiC powder, it can be stated that the thermoelectric properties could be improved further by precise control of an acid-treatment process.
Si-C composite with hollow spherical structure was synthesized using ultrasonic treatment of organosilica powder formed by hydrolysis of phenyltrimethoxysilane. The prepared powder was pyrolyzed at various temperatures ranging from 900 to 1300 $^{\circ}C$ under nitrogen atmosphere to obtain optimum conditions for Li-ion battery anode materials with high capacity and cyclability. The XRD and elemental analysis results show that the pyrolyzed Si/C composite at 1100 $^{\circ}C$ has low oxygen and nitrogen levels, which is desirable for increasing the electrochemical capacity and reducing the irreversible capacity of the first discharge. The solid Si-C composite electrode shows a first charge capacity of $\sim$500 mAhg$^{-1}$ and a capacity fade within 30 cycles of 0.93% per cycle. On the other hand, the electrochemical performance of the hollow Si-C composite electrode exhibits a reversible charge capacity of $\sim$540 mAhg$^{-1}$ with an excellent capacity retention of capacity loss 0.43% per cycle up to 30 cycles. The improved electrochemical properties are attributed to facile diffusion of Li ions into the hollow shell with nanoscale thickness. In addition, the empty core space provides a buffer zone to relieve the mechanical stresses incurred during Li insertion.
Park, Eun-Kwang;Hong, Sung-Mo;Park, Jin-Ju;Lee, Min-Ku;Rhee, Chang-Kyu;Seol, Kyeong-Won;Lee, Yang-Kyu
Journal of Powder Materials
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v.20
no.4
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pp.269-274
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2013
The present work investigated the dispersion behavior of $Y_2O_3$ particles into AISI 316L SS manufactured using laser cladding technology. The starting particles were produced by high energy ball milling in 10 min for prealloying, which has a trapping effect and homogeneous dispersion of $Y_2O_3$ particles, followed by laser cladding using $CO_2$ laser source. The phase and crystal structures of the cladded alloys were examined by XRD, and the cross section was characterized using SEM. The detailed microstructure was also studied through FE-TEM. The results clearly indicated that as the amount of $Y_2O_3$ increased, micro-sized defects consisted of coarse $Y_2O_3$ were increased. It was also revealed that homogeneously distributed spherical precipitates were amorphous silicon oxides containing yttrium. This study represents much to a new technology for the manufacture and maintenance of ODS alloys.
Densification of SiC powder with additives of total amount of2, 4, 8 $wt\%$ Al-B-C was carried out by Spark Plasma Sintering (SPS). The unique features of the process are the possibilities of a very fast heating rate and a short holding time to obtain fully dense materials. The heating rate and applied pressure were kept at $100^{\circ}C/min$ and 40 MPa, while the sintering temperature and holding time varied from 1700 - $1800^{\circ}C$ for 10 - 40 min, respectively. The SPS-sintered specimens with different amount of Al-B-C at $1800^{\circ}C$ reached near-theoretical density. The $3C{\rightarrow}6H,\;15R{\rightarrow}4H$ phase transformation of SiC was enhanced by increasing the additive amount. The microstructure of SiC sintered up to $1750^{\circ}C$ consisted of fine equiaxed grains. In contrast, the growth of large elongated grains in small matrix grains was shown in sintered bodies at $1800^{\circ}C$, and the plate-like grains interlocking microstructure had been developed by increasing the holding time at $1800^{\circ}C$. The grain growth rate decreases with increasing amount of Al-B-C in SiC starting powder, however, the both of volume fraction and aspect ratio of large grains in sintered body increased.
The diatom Melosira nummuloides is a microalga that is widely distributed in freshwater and seawater is used is used in the production of silicon and fucoxanthin. The objective of this experimental study was to determine the effects of diatom powder on the physiology of olive flounder Paralichthys olivaceus. In four feeding groups consuming 0%, 1%, 2% and 3% diatom powder. After 8 weeks of feeding, we investigated P. olivaceus growth rate, feed efficiency rate, survival rate, anti-oxidant enzyme rate, non-specific immune activity and immune gene expression. The rates of growth rate, feed efficiency rate and survival were significantly higher for olive flounder in all diatom groups than in the control. The results for anti-oxidant enzyme, superoxide dismutase and catalase showed no significance, but glutathione was significant, depending on the concentration of diatom addition. The galectin and lysozymes of immune genes were increased in the control group. Galectin and lysozymes were thought to have increased due to infections by from pathogens during the experiment period. These results suggest that the addition of diatoms to olive flounder diets is effective in enhancing growth rate and innate immunity.
Kim, Yeon-Ku;Kim, Weon-Ju;Yeo, SungHwan;Cho, Moon-Sung
Journal of Powder Materials
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v.21
no.6
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pp.434-440
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2014
Silicon carbide(SiC) layer is particularly important tri-isotropic (TRISO) coating layers because it acts as a miniature pressure vessel and a diffusion barrier to gaseous and metallic fission products in the TRISO coated particle. The high temperature deposition of SiC layer normally performed at $1500-1650^{\circ}C$ has a negative effect on the property of IPyC layer by increasing its anisotropy. To investigate the feasibility of lower temperature SiC deposition, the influence of deposition temperature on the property of SiC layer are examined in this study. While the SiC layer coated at $1500^{\circ}C$ obtains nearly stoichiometric composition, the composition of the SiC layer coated at $1300-1400^{\circ}C$ shows discrepancy from stoichiometric ratio(1:1). $3-7{\mu}m$ grain size of SiC layer coated at $1500^{\circ}C$ is decreased to sub-micrometer (< $1{\mu}m$) $-2{\mu}m$ grain size when coated at $1400^{\circ}C$, and further decreased to nano grain size when coated at $1300-1350^{\circ}C$. Moreover, the high density of SiC layer (${\geq}3.19g/cm^3$) which is easily obtained at $1500^{\circ}C$ coating is difficult to achieve at lower temperature owing to nano size pores. the density is remarkably decreased with decreasing SiC deposition temperature.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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