In this study, we fabricated the superhydrophobic and super-water-repellent surface with the micro/nano scale structures using simple conventional silicon wet-etching technique and the black silicon method by deep reactive ion etching. These fabrication methods are simple but very effective. Also we reported the droplet impact experimental results on the micro/nano-scaled surface. There are two representative impact behaviors as "rebound" and "fragmentation". We found the transition Weber number between "rebound" and "fragmentation" statements, experimentally. Additionally, we concerned about the dimensionless spreading diameters for our super-water-repellent surface. The novel characterization method was introduced for analysis including the "fragmentation" region. As a result, our super-water-repellent surface with the micro/nano-scaled structures shows the different impact behaviors compared with a reference smooth surface, by some meaningful experiments.
We fabricated prototype cantilevers for mechanically detected high-frequency ESR measurement. Cantilevers are fabricated from silicon-on-insulator (SOI) wafers using standard MEMS techniques such as lithography, wet etching, and plasma etching. Using commercial SOI wafers, fabrication cost and the number of processes can be substantially reduced. In this study, three types of cantilevers, designed for capacitive and optical detection, are shown. Capacitive type with lateral dimensions of $3.5{\times}1.6mm^2$ is aimed for low spin concentration sample. On the other hand, optical detection type with lateral dimensions of $50{\times}200{\mu}m^2$ is developed for high-sensitive detection of tiny samples such as newly synthesized microcrystals.
Here, we studied the change in the mechanical stiffness of a diaphragm according to the corrugation pattern. The diaphragm consists of a silicon oxide and nitride double layer; a corrugation pattern was formed by dry etching, and the diaphragm was released by wet etching. The fabrication of the thin film was verified using focused ion beam and scanning electron microscopy images. The mechanical stiffness of the diaphragm was obtained by measuring the surface vibration using a laser Doppler vibrometer while applying external sound pressure. Flat squares, diaphragms with square corrugations, and circular corrugation patterns were measured and compared. The stiffness of the diaphragm with a corrugation structure was found to be smaller than that without a corrugation structure; in particular, circular corrugation showed a better effect because of the high symmetry. Furthermore, the effect of corrugation was theoretically predicted. The proposed corrugated diaphragm showed comparable flexibility with the state-of-the-art MEMS microphone diaphragm.
Park, Hyung-Ho;Kwon, Kwang-Ho;Lee, Sang-Hwan;Koak, Byung-Hwa;Nahm, Sahn;Lee, Hee-Tae;Kwon, Oh-Joon;Cho, Kyoung-Ik;Kang, Young-Il
ETRI Journal
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제16권1호
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pp.45-57
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1994
The effects of reactive ion etching (RIE) of $SiO_2$ layer in $CHF_3/C_2F_6$ on the underlying Si surface have been studied by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), secondary ion mass spectrometer, Rutherford backscattering spectroscopy, and high resolution transmission electron microscopy. We found that two distinguishable modified layers are formed by RIE : (i) a uniform residue surface layer of 4 nm thickness composed entirely of carbon, fluorine, oxygen, and hydrogen with 9 different kinds of chemical bonds and (ii) a contaminated silicon layer of about 50 nm thickness with carbon and fluorine atoms without any observable crystalline defects. To search the removal condition of the silicon surface residue, we monitored the changes of surface compositions for the etched silicon after various post treatments as rapid thermal anneal, $O_2$, $NF_3$, $SF_6$, and $Cl_2$ plasma treatments. XPS analysis revealed that $NF_3$ treatment is most effective. With 10 seconds exposure to $NF_3$ plasma, the fluorocarbon residue film decomposes. The remained fluorine completely disappears after the following wet cleaning.
In this paper, we developed the process for depth-probe type silicon microelectrode arrays. The process consists of four mask steps only. The steps are for defining sites, windows, and for shaping probe using plasma etch from above, and for shaping using wet etch from below, respectively. The probe thickness is controlled by dry etching, not by impurity diffusion. We used gold electrodes with a triple dielectric system consisting of oxide/nitride/oxide. The shank of the probe taper from 200um to tens of urn tip and has 30 um thickness.
A silicon pressure sensor made of a full bridge of diffused resistors was designed and fabricated using semiconductor integrated circuit process. Thin diaphragms with 30\ulcorner thickness were obtained using anisotropic wet chemical etching technique. Our device showed strong temperature dependence. Compensation networks are used to compensate for the temperature dependence of the pressure sensor. The bridge supply voltage having positive temperature coefficient by compensation networks was utilized against the negative temperature coefficient of bridge output voltage. The sensitivity fluctuation of pressure sensor before temperature compensation was -1700 ppm/\ulcorner, while it reduced to -710ppm\ulcorner with temperature compensation. Our result shows that the we could develop accurate and reliable pressure sensor over a wide temperature range(-20\ulcorner~50\ulcorner).
This paper studies on the design and fabrication of a micro in-plane positioning actuator integrated with a microlens. Proposed in-plane actuator is a micro XY-stage which is composed of two linear comb drive actuators being orthogonal to each other. In the fabrication of actuator, the single crystalline silicon substrate anodically bonded with a #7740 glass substrate is used because of simple release and passivation. The structure of actuator is formed on the silicon facet of bonded fixture by chlorine-based deep RIE and then released by isotropic wet etching of glass (#7740) in hydrofluoric acid solution. Fabricated actuator has a large travel range up to $30({\pm}15){\mu}m$ and high resolution less than 0.01f1l1l in each direction. Experimented resonant frequency of this actuator is 630Hz. The micro-Fresnel lens is fabricated on the square-shape glass structure prepared in the center of actuator.
In this paper, a high-quality low-temperature co-fired ceramic (LTCC) solenoid inductor using a solder ball and an air cavity on a silicon wafer for three-dimensional (3-D) system-in-package (SiP) is proposed. The LTCC multi-layer solenoid inductor is attached using Ag paste and solder ball on a silicon wafer with the air cavity structure. The air cavity is formed on a silicon wafer through an anisotropic wet-etching technology and is able to isolate the LTCC dielectric loss which is equivalent to a low k material effect. The electrical coupling between the metal layer and the LTCC dielectric layer is decreased by adopting the air cavity. The LTCC solenoid inductor using the solder ball and the air cavity on silicon wafer has an improved Q factor and self-resonant frequency (SRF) by reducing the LTCC dielectric resistance and parasitic capacitance. Also, 3-D device stacking technologies provide an effective path to the miniaturization of electronic systems.
Multi-crystalline silicon surface etching without grain-boundary delineation is a challenging task for the fabrication of high efficiency solar cell. The use of sodium hydroxide - sodium hypochlorite (NaOH40% + NaOCl 12%) solution for texturing multi-crystalline silicon wafer surface in solar cell fabrication line is reported in this article. in light current-voltage results, the cells etched in NaOH 40% + NaOCl 12% = 1:2 exhibited higher short circuit current and open circuit voltage than those of the cells etched in NaOH 40% + NaOCl 12% = 1:1 solution. we have obtained 15.19% conversion efficiency in large area(156cm2) multi-Si solar cells etched in NaOH 40% + NaOCl 12% = 1:1 solution.
A novel wet release process ($\mu$ CARP - Micro Channel Assisted Release Process) for releasing an extreme large-area plate structure without etching hole is proposed and experimented. Etching holes in conventional process reduce a effective area and degrade an optical characteristics by a diffraction. In addition, as the area of a released structure increases, the stietion becomes more serious. The proposed process resolves these problems by the introduction of a micro fluidic channel beneath the structure which will be released. In this paper, a 5 mm${\times}$5mm-single crystal silicon plate structure was released by the proposed $\mu$CARP without etch holes on the structure. The variation in etching time with respect to the of the introduced micro channel is also examined. This process is expected to be beneficial for the actuator of a nano-scale data storage and the scanning mirror.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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