• 제목/요약/키워드: SiN:H

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6H-SiC $p^{+}n$ 접합의 항복 전압을 위한 해석적 모형 (Analytical Model of Breakdown Voltages for 6H-SiC $p^{+}n$ Junction)

  • 정용성
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제38권6호
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    • pp.398-403
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    • 2001
  • 본 논문에서는 6H-SiC의 유효 이온화 계수를 추출하였고, 이 이온화 계수를 이용하여 6H-SiC p+n 접합의 해석적 항복 전압 식을 유도하였다. 해석적 항복 전압 결과는 10/sup 15/ cm/sup -3/ ∼ 10/sup 18/ cm/sup -3/의 농도 범위에서 Dmitriev의 수치적 결과[3] 및 Cree Research의 실험 결과[9]와 비교하여 잘 일치하였다.

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질화규소의 미세조직과 기계적 성질에 미치는 h-BN 첨가의 영향 (Effect of h-BN Content on Microstructure and Mechanical Properties of Si3N4)

  • 김승현;이영환;조원승;김준규;조명우;이은상;이재형
    • 한국세라믹학회지
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    • 제40권9호
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    • pp.867-873
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    • 2003
  • $Si_{3}N_{4}$-BN계 기계 가공서 세라믹스를 $1800^{\circ}C$에서 2시간동안 25MPa의 압력하에서 열간 가압소결하여 제조하였다. $Si_{3}N_{4}$ 매트릭스에 판상의 h-BN 첨가량을 5-30 vol%까지 증가함에 따라 굽힘강도는 $Si_{3}N_{4}$ 단미의 1000 MPa에서 720~400 MPa로 감소하였고, 파괴인성도 $Si_{3}N_{4}$ 단미의 7.6MPaㆍ$m^{1/2}$에서 6.5~4.1 MPaㆍ$m^{1/2}$로 감소하였다. $\beta$-$Si_{3}N_{4}$의 결정립 크기와 형상비는 h-BN 첨가에 의해 약간 감소하였다. $Si_{3}N_{4}$ 단미는 절삭시 취성 파괴를 나타내어 절삭이 불가능하였으나, $Si_{3}N_{4}$-BN계 기계 가공서 세라믹스는 파괴가 발생하지 않으면서 절삭이 가능하여, 우수한 기계 가공성을 나타내었다. h-BN 함량이 증가할수록 절삭과 마이크로 드릴링시의 절삭력은 감소하였다.

이온주입 공정을 이용한 4H-SiC p-n Diode에 관한 시뮬레이션 연구 (Simulation Study of ion-implanted 4H-SiC p-n Diodes)

  • 이재상;방욱;김상철;김남균;구상모
    • 한국전기전자재료학회논문지
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    • 제22권2호
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    • pp.128-131
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    • 2009
  • Silicon carbide (SiC) has attracted significant attention for high frequency, high temperature and high power devices due to its superior properties such as the large band gap, high breakdown electric field, high saturation velocity and high thermal conductivity. We performed Al ion implantation processes on n-type 4H-SiC substrate using a SILVACO ATHENA numerical simulator. The ion implantation model used Monte-Carlo method. We simulated the effect of channeling by Al implantation in both 0 off-axis and 8 off-axis n-type 4H-SiC substrate. We have investigated the effect of varying the implantation energies and the corresponding doses on the distribution of Al in 4H-SiC. The controlled implantation energies were 40, 60, 80, 100 and 120 keV and the implantation doses varied from $2{\times}10^{14}$ to $1{\times}10^{15}\;cm^{-2}$. The Al ion distribution was deeper with increasing implantation energy, whereas the doping level increased with increasing dose. The effect of post-implantation annealing on the electrical properties of Al-implanted p-n junction diode were also investigated.

중간층 증착에 의한 CrAlN 코팅의 기계적 물성 및 내열성 향상에 관한 연구 (Enhanced Mechanical Properties and Thermal Stability of CrAlN Coatings by Interlayer Deposition)

  • 김회근;라정현;송면규;이상율
    • 한국표면공학회:학술대회논문집
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    • 한국표면공학회 2016년도 추계학술대회 논문집
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    • pp.100-100
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    • 2016
  • 물리기상증착방법 (Physical vapor deposition)에 의하여 합성된 천이금속 질화물 박막은 경도, 내마모성 등 절삭공구의 성능을 향상시키며, Ti-Al-N, Ti-Zr-N, Zr-Al-N, Cr-Si-N 등의 3원계 경질 박막에 대한 연구가 지속적으로 이루어지고 있다. 이중에서도 CrAlN 코팅은 높은 경도, 낮은 표면 조도 등의 우수한 기계적 특성 이외에 고온에서 안정한 합금상 형성으로 인하여 우수한 내열성을 보유하여 공구 코팅으로의 적용 가능성이 크다. 그러나 최근 공구사용 환경의 가혹화로 인하여 코팅의 내마모성 및 내열성 등의 물성 향상을 통한 공구의 수명 향상이 필요시 되고 있으며, 코팅에 적합한 중간층을 합성함으로써 공구 코팅으로의 적용 가능성을 높이는 연구들이 진행되고 있다. 본 연구에서는 CrAlN 코팅의 물성을 향상시키기 위해 CrAlN 코팅과 WC-Co 6wt.% 모재 사이에 CrN, CrZrN, CrN/CrZrSiN 등의 다양한 중간층을 합성하였으며, 중간층을 포함한 모든 코팅의 두께는 $3{\mu}m$ 로 제어하였다. 합성된 코팅의 미세조직, 경도 및 탄성계수, 내모성을 분석하기 위해 field emission scanning electron microscopy(FE-SEM), nano-indentation, ball-on-disk 마모시험기 및 ${\alpha}-step$을 사용하였다. 코팅의 내열성을 확인하기 위해 코팅을 furnace에 넣어 공기중에서 500, 600, 700, 800, 900, $1,000^{\circ}C$로 30분 동안 annealing 한 후에 nano-indentation을 사용하여 경도를 측정하였다. CrAlN 코팅을 나노 인덴테이션으로 분석한 결과, 모든 코팅의 경도(35.5-36.2 GPa)와 탄성계수(424.3-429.2 GPa)는 중간층의 종류에 상관없이 비슷한 값을 보인 것으로 확인됐다. 그러나, 코팅의 마찰계수는 중간층의 종류에 따라 다른 값을 보였으며, CrN/CrZrSiN 중간층을 증착한 CrAlN 코팅의 마찰계수는 0.34로 CrZrN 중간층을 증착한 CrAlN 코팅의 마찰계수(0.41)에 비해 낮은 값을 보였다. 또한, 코팅의 마모율 및 마모폭도 비슷한 경향을 보인 것으로 보아, CrN/CrZrSiN 중간층을 합성한 CrAlN 코팅의 내마모성이 상대적으로 우수한 것으로 판단된다. 이것은 중간층의 H/E ratio가 코팅의 내마모성에 미치는 영향에 의한 결과로 사료된다. H/E ratio는 파단시의 최대 탄성 변형율로써, 모재/중간층/코팅의 H/E ratio 구배에 따라 코팅 내의 응력의 완화 정도가 변하게 된다. WC 모재 (H/E=0.040)와 CrAlN 코팅(H/E=0.089) 사이에서 CrN, CrZrSiN 중간층의 H/E ratio 는 각각 0.076, 0.083 으로 모재/중간층/코팅의 H/E ratio 구배가 점차 증가함을 확인 할 수 있었고, 일정 응력이 지속적으로 가해지면서 진행되는 마모시험중에 CrN과 CrZrSiN 중간층이 WC와 CrAlN 코팅 사이에서 코팅 내부의 응력구배를 완화시키는 역할을 함으로써 CrAlN 코팅의 내마모성이 향상된 것으로 판단된다. 모든 코팅을 열처리 후 경도 분석결과, CrN/CrZrSiN 중간층을 증착한 CrAlN 코팅은 $1,000^{\circ}C$까지 약 28GPa의 높은 경도를 유지한 것으로 확인 되었고, 이는 CrZrSiN 중간층 내에 존재하는 $SiN_x$ 비정질상의 우수한 내산화성에 의한 결과로 판단된다.

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Flexible 디스플레이로의 응용을 위한 플라스틱 기판 위의 박막트랜지스터의 제조 (Fabrication of thin Film Transistor on Plastic Substrate for Application to Flexible Display)

  • 배성찬;오순택;최시영
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제40권7호
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    • pp.481-485
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    • 2003
  • 25㎛ 두께의 폴리이미드 박핀 기판을 glass 기판에 부착하여 최대 온도 150℃에서 비정질 실리콘 TFT를 제작하였다. 본 논문은 plastic 기판 위에 TFT가 제작되는 공정 절차를 요약하고 glass 위에 제작된 TFT와 ON/OFF 전달특성과 전계효과 이동도를 서로 비교해 보았다. a-SiN:H 코팅층은 plastic 기판의 표면 거칠기를 감소시키는 중요한 역할을 하여 TFT의 누설전류를 감소시키고 전계효과 이동도를 증가시켰다. 따라서 a-SiN:H 코팅층을 이용하여 plastic 기판에 양철의 TFT를 제작하였다.

고온 내화물 응용을 위한 질화규소철 (Ferro-Si3N4)의 분해거동 (Decomposition Behavior of Ferro-Si3N4 for High Temperature Refractory Application)

  • 최도문;이진석;최성철
    • 한국세라믹학회지
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    • 제43권9호
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    • pp.582-587
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    • 2006
  • Decomposition behavior of $ferro-Si_3N_4$was investigated with varying temperature and holding time in mud components for high temperature refractory applications. Porosities gradually increased with increasing temperature and holding time due to the carbothermal reduction of $Si_3N_4\;and\;SiO_2$. Silicon monoxide (SiO) as a intermediate resulted from evaporation of $Si_3N_4\;and\;SiO_2$ reacted with C sources to generate needle-like ${\beta}-SiC$ and Fe in $Si_3N_4$ acted as a catalyst in order to enhance growth of SiC grain with the preferred orientation. SiC generation yield increased with increasing holding time, all of the $Si_3N_4\;and\;SiO_2$ affected on SiC formation up to 2h. However, SiC generation was only dependent on residual $SiO_2$ over 2h, because the carbothermal reduction reaction of $Si_3N_4$ was no longer possible at that time.

실리카 광도파로의 Core층인 Silicon Oxynitride후박의 굴절률 제어 (Refractive Index Control of Silicon Oxynitride Thick Films on Core Layer of Silica Optical Waveguide)

  • 김용탁;조성민;윤석규;서용곤;임영민;윤대호
    • 한국세라믹학회지
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    • 제39권6호
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    • pp.594-597
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    • 2002
  • 플라즈마 화학기상증착(PECVD)법을 이용하여 p-type Si(100) 웨이퍼에 Silicon Oxynitride(SiON) 후막을 SiH$_4$ , $N_2$O, $N_2$ 가스를 혼합하여 증착하였다. Prism coupler측정을 통해 SiON 후막의 굴절률 1.4620~1.5312을 얻었으며, rf power가 180 W에서 5.92$\mu$m/h의 증착률을 나타내었다. 증착변수에 따른 화학적 조성의 영향은 X-ray Photoelectron Spectroscopy(XPS) 을 통하여 관찰하였다. 또한, SiON 후막 증착후에 $1.5\mu$m 부근의 흡수띠를 제거하기 위해 105$0^{\circ}C$$N_2$ 분위기에서 2시간 동안 열처리를 행하였다.

Coated $Si_3N_4$-TiC Ceramic 공구의 마모 특성 (Wear Characteristics of Coated $Si_3N_4$-TiC Ceramic Tool)

  • 김동원;권오관;이준근;천성순
    • Tribology and Lubricants
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    • 제4권2호
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    • pp.44-51
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    • 1988
  • Titanium carbide(TiC), Titanium nitride(TiN), and Titanium carbonnitride(Ti(C,N)) films were deposited on $Si_3N_4$-TiC composite cutting tools by chemical vapor deposition(CVD) using $TiCl_4-CH_4-H_2$, $TiCl_4-N_2-H_2$, and $TiCl_4-CH_4-N_2-H_2$ gas mixtures, respectively. The experimental results indicate that TiC coatings compared with TiN coatings on $Si_3N_4$ -TiC ceramic have an improved microstructural property, good thermal shock resistance, and good interfacial bonding. However TiN coatings compared with TiC coatings have a low friction coefficient with steel and good chemical stability. It is found by cutting test that coated insert compared with $Si_3N_4$-TiC ceramic have a superior flank and crater wear resistance. And multilayer coating compared with monolayer coating shows a improved wear resistance.

비정질실리콘 박막 트랜지스터 (Hydrogenated a-Si TFT Using Ferroelectrics)

  • 허창우
    • 한국정보통신학회논문지
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    • 제9권3호
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    • pp.576-581
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    • 2005
  • 강유전체$(SrTiO_3)$ 박막을 게이트 절연층으로 하여 수소화 된 비정질 실리콘 박막 트랜지스터를 유리 기판 위에 제조하였다. 강유전체는 기존의 $SiO_2,\;SiN$ 등과 같은 게이트 절연체에 비하여 유전특성이 매우 뛰어나 TFT의 ON 전류를 증가시키고 문턱전압을 낮추며 항복특성을 개선하여 준다. PECVD에 의하여 증착된 a-Si:H는 FTIR 측정 결과 $2,000cm^{-1}$$876cm^{-1}$에서 흡수 밴드가 나타났으며, $2,000cm^{-1}$$635cm^{-1}$$SiH_1$의 stretching과 rocking 모드에 기인한 것이며 $876cm^{-1}$의 weak 밴드는 $SiH_2$ vibration 모드에 의한 것이다. a-SiN:H는 optical bandgap이 2.61 eV이고 굴절률은 $1.8\~2.0$, 저항률은 $10^{11}\~10^{15}\Omega-cm$ 정도로 실험 조건에 따라 약간 다르게 나타난다. 강유전체$(SrTiO_3)$ 박막의 유전상수는 $60\~100$ 정도이고 항복전계는 IMV/cm 이상으로 우수한 절연특성을 갖고 있다. 강유전체를 이용한 TFT의 채널 길이는 $8~20{\mu}m$, 채널 넓이는 $80~200{\mu}m$로서 드레인 전류가 게이트 전압 20V에서 $3.4{\mu}A$이고 $I_{on}/I_{off}$ 비는 $10^5\~10^8,\;V_{th}$$4\~5\;volts$이다.

낮은 접촉 저항을 갖는 Co/Si/co n형 4H-SiC의 오옴성 접합 (Low resistivity Ohmic Co/Si/Co contacts to n-type 4H-SiC)

  • 김창교;양성준;이주헌;조남인;정경화;김남균;김은동;김동학
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2002년도 하계학술대회 논문집 Vol.3 No.2
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    • pp.764-768
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    • 2002
  • Characteristics of ohmic Co/Si/Co contacts to n-type 4H-SiC are investigated systematically. The ohmic contacts were formed by annealing Co/Si/Co sputtered sequentially. The annealings were performed at $800^{\circ}C$ using RTP in vacuum ambient and $Ar:H_2$(9:1) ambient, respectively. The specific contact resistivity$(\rho_c)$, sheet resistance$(R_s)$, contact resistance$(R_c)$, transfer length$(L_T)$ were calculated from resistance$(R_T)$ versus contact spacing(d) measurements obtained from TLM(transmission line method) structure. While the resulting measurement values of sample annealed at vacuum ambient were $\rho_c=1.0{\tiimes}10^{-5}{\Omega}cm^2$, $R_c=20{\Omega}$ and $L_T$ = 6.0 those of sample annealed at $Ar:H_2$(9:1) ambient were $\rho_c=4.0{\tiimes}10^{-6}{\Omega}cm^2$, $R_c=4.0{\Omega}$ and $L_T$ = 2.0. The physical properties of contacts were examined using XRD and AES. The results showed that cobalt silicide was formed on SiC and Co was migrated into SiC.

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