Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2009.06a
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pp.137-137
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2009
Thin-film transistors (TFTs) that can be prepared at low temperatures have attracted much attention due to the great potential for flexible electronics. One of the mainstreams in this field is the use of organic semiconductors such as pentacene. But device performance of the organic TFTs is still limited by low field effect mobility or rapidly degraded after exposing to air in many cases. Another approach is amorphous oxide semiconductors. Amorphous oxide semiconductors (AOSs) have exactly attracted considerable attention because AOSs were fabricated at room temperature and used lots of application such as flexible display, electronic paper, large solar cells. Among the various AOSs, a-IGZO was considerable material because it has high mobility and uniform surface and good transparent. The high mobility is attributed to the result of the overlap of spherical s-orbital of the heavy pest-transition metal cations. This study is demonstrated the effect of thickness channel layer from 30nm to 200nm. when the thickness was increased, turn on voltage and subthreshold swing were decreased. a-IGZO TFTs have used a shadow mask to deposit channel and source/drain(S/D). a-IGZO were deposited on SiO2 wafer by rf magnetron sputtering. using power is 150W, working pressure is 3m Torr, and an O2/Ar(2/28 SCCM) atmosphere at room temperature. The electrodes were formed with Electron-beam evaporated Ti(30nm) and Au(70nm) structure. Finally, Al(150nm) as a gate metal was evaporated. TFT devices were heat treated in a furnace at $250^{\circ}C$ in nitrogen atmosphere for an hour. The electrical properties of the TFTs were measured using a probe-station to measure I-V characteristic. TFT whose thickness was 150nm exhibits a good subthreshold swing(S) of 0.72 V/decade and high on-off ratio of 1E+08. Field effect mobility, saturation effect mobility, and threshold voltage were evaluated 7.2, 5.8, 8V respectively.
Kim, Yeong Su;Park, Sang Ha;Choi, Jeong Woo;Kong, Lee Seong;Yun, Gwan Han;Min, Byung Gil;Lee, Seung Han
Textile Coloration and Finishing
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v.28
no.1
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pp.48-56
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2016
Improvement of heat sink technology related to the continuous implementation performance and extension of device-life in circumstance of easy heating and more compact space has been becoming more important issue as multi-functional integration and miniaturization trend of electronic gadgets and products has been generalized. In this study, it purposed to minimize of decline of the heat diffusivity by gluing polymer through compounding of inorganic particles which have thermal conductive properties. We used NH-9300 as base resin and used inorganic fillers such as silicon carbide(SiC), aluminum nitride(AlN), and boron nitride(BN) to improve heat diffusivity. After making film which was made from 100 part of acrylic resin mixed hardener(1.0 part more or less) with inorganic particles. The film was matured at $80^{\circ}C$ for 24h. Diffusivity were tested according to sorts of particles and density of particles as well as size and structure of particle to improve the effect of heat sink in view of morphology assessing diffusivity by LFA(Netzsch/LFA 447 Nano Flash) and adhesion strength by UTM(Universal Testing Machine). The correlation between diffusivity of pure inorganic particles and composite as well as the relation between density and morphology of inorganic particles has been studied. The study related morphology showed that globular type had superior diffusivity at low density of 25% but on the contarary globular type was inferior to non-globular type at high density of 80%.
Olive flounder Paralichthys olivaceus production has increased gradually in recent years, but prices have fallen. Thus, the development of a variety of processed foods incorporating olive flounder would help to increase the income of fishermen. This study was conducted to investigate the best method for olive flounder ball processing. Clean olive flounder were divided into five portions. Olive flounder meat (100 g with added egg white 39 g) was chopped and then mixed with 10 mL fresh cream and ingredients. The dough was molded into the shape of a ball. The olive flounder balls were then processed by two different methods. In the first method, the flounder ball was boiled in water for 3 min then vacuum-packed in polyethylene film and stored at $-20^{\circ}C$ for 7 days. After 7 days, the ball was thawed and heated in a microwave for 2 min (Sample-1). In the second method, the ball was vacuum-packed in polyethylene film without boiling and then stored at $-20^{\circ}C$ for 7 days before thawing and boiling in water for 3 min (Sample-2). After heating, both types of olive flounder balls were evaluated. Various factors (including the viable bacterial count, chemical composition, pH, hardness, thiobarbituric acid level, salinity, and free amino acid content) were measured, and a sensory evaluation was conducted. Based on the results of the sensory and hardness evaluations, Sample-1 was deemed to be superior to Sample-2.
This study was conducted to investigate the effect of functional cover film on oriental melon fruit quality under unheated plastic greenhouse cultivation in cold period. The 6 kind of films having different characteristics were covered at plastic greenhouses and oriental melon seedlings were cultivated at 2 regions of Seongju, respectively. The air-temperatures in plastic greenhouses of J-1 and J-2, having high infrared absorption rate, were about $2{\sim}5^{\circ}C$ higher than K-3. The contents of ${\beta}-carotene$ and sugar of fruit showed significant difference between functional and normal films. The sucrose, determining a sweetness during maturation, and soluble solids content of fruits cultivated in J-1, J-2, J-3, and K-1 were higher than those of K-2 and K-3. Ascorbic acid of fruits was highest in K-2 having low light transmission rate and thermo-keeping capacity. There was no significant difference in mineral content among all of cover films. These results indicated that the use of functional greenhouse covering films could improve fruit quality such as ${\beta}-carotene$ and sugar content of oriental melon.
Kim, Dong-Jin;Jung, Young-Bae;Lee, Myung-Bok;Lee, Jung-Hee;Lee, Yong-Hyun;Hahm, Sung-Ho;Lee, Jong-Hwa
Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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v.37
no.6
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pp.43-49
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2000
The TiN thin films were deposited by ALE(atomic layer epitaxy) on (100) silicon substrate. The TiN thin films were characterized by means of XRD, 4-point probe, AFM, AES and SEM. TEMAT(terakis(ethyl methy lamino)titanium) and $NH_3$ were injected into the reactor in sequence of TEMAT-$N_2-NH_3-N_2$ to ensure a saturated surface reaction. As a result, the depostion rate of the TiN film was controlled by self-limiting growth mechanism at temperature range form 150 to 220 $^{\circ}C$. Deposited TiN films, all of which show amorphous structure, had a fixed deposition rate of 4.5 ${\AA}$/cycle. The resistivity of 210 ~ 230 ${\mu}{\Omega}{\cdot}$cm and the surface r.m.s. roughness of 7.9 ~ 9.3 ${\AA}$ were measured. When TiN film of 2000 ${\AA}$ were deposited, a excellent step coverage were observed in a trench structure of 0.43${\mu}m$ contacts with 6:1 aspect ratio.
A stoichiometric mixture of evaporating materials for AgInS₂ single crystal thin films was prepared from horizontal electric furnace. To obtain the single crystal thin films. AgInS₂ mixed crystal was deposited on thoroughly etched semi-insulating GaAs(100) substrate by the Hot Wall Epitaxy(HWE)system. The source and substrate temperatures were 680℃ and 410℃, respectively. The crystalline structure of the single crystal thin films was investigated by the photoluminescence and double crystal X-ray diffraction(DCXD). The carrier density and mobility of AgInS₂ single crystal thin film mea-sured from Hall effect by van der Pauw method are 9.35×10/sup 16/㎤ and 294㎠/V·s at 293K respectively. The temperature dependence of the energy band gap of the AgInS₂ obtained from the absorption spectra was well described by the Varshni's relation , E/sub g/(T)=2.1365eV-(9.89×10/sup-3/eV/K/)T²(T+2930K). The crystal field and the spin-orbit splitting energies for the valence band of the AgInS₂ have been estimated to be 0.1541eV and 0.0129 eV, respectively, by means of the photocur-rent spectra and the Hopfield quasicubic model. These results indicate that the splitting of the Δso definitely exists in the Γ/sub 5/ states of the valence band of the AgInS₂ /GaAs epilayer. The three photo-current peaks ovserved at 10K are ascribed to the A₁-, B-₁and C₁-exction peaks for n=1.
The basic medium oil modified alkyd resin was synthesized from linseed oil fatty acid(LOFA), phthalic anhydride(PAA), maleic anhydride(MA) and trimethylol propane(TMP) by condensation polymerization at $230^{\circ}C$. MA/TMPTA modified water-reducible alkyd resins were synthesized with TMPTA graft copolymerization onto the basic resin at $180^{\circ}C$. Acid value of the resin was controlled by the addition amount of MA and N,N-dimethylethanol amine(DMEA) was used as a neutralizing agent to prepare of the water-reducible alkyd resin. The effect of TMPTA on the graft copolymerization of the resin was studied by measuring molecular weight glass transition temperature(Tg), viscosity, graft efficiency, and gel contents of melanin cured film. Heat resistance, UV resistance and water resistance of cured film of MA/TMPTA modified resin was compared to those of TMA/TMPTA modified alkyd resin. The molecular weight, viscosity gel contents and graft efficiency of water reducible alkyd resin were increased according to the TMPTA graft copolymerization, but Tg was decreased. The viscosity was lower when the solid contents reached 40% than that of 30% content and also and also became lower with the extent of neutralization ratio, The heat resistance, UV resistance and water resistance of the MA/TMPTA modified alkyd resis were better than those of TMA/TMPTA modified alkyd resin but the storage stability of the TMA/TMPTA alkyd resis was better than that of MA/TMPTA modified alkyd resin.
Lee G. R.;Shin C. S.;Petrov I.;Greene J, E.;Lee J. J.
Journal of the Korean institute of surface engineering
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v.38
no.2
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pp.65-68
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2005
The effect of crystal orientation and microstructure on the mechanical properties of $TaN_x$ was investigated. $TaN_x$ films were grown on $SiO_2$ substrates by ultrahigh vacuum unbalanced magnetron sputter deposition in mixed $Ar/N_2$ discharges at 20 mTorr (2.67 Pa) and at $350^{\circ}C$. Unlike the Ti-N system, in which TiN is the terminal phase, a large number of N-rich phases in the Ta-N system could lead to layers which had nano-sized lamella structure of coherent cubic and hexagonal phases, with a correct choice of nitrogen fraction in the sputtering mixture and ion irradiation energy during growth. The preferred orientations and the micro-structure of $TaN_x$ layers were controlled by varing incident ion energy $E_i\;(=30eV\~50eV)$ and nitrogen fractions $f_{N2}\;(=0.1\~0.15)$. $TaN_x$ layers were grown on (0002)-Ti underlayer as a crystallographic template in order to relieve the stress on the films. The structure of the $TaN_x$ film transformed from Bl-NaCl $\delta-TaN_x$ to lamellar structured Bl-NaCl $\delta-TaN_x$ + hexagonal $\varepsilon-TaN_x$ or Bl-NaCl $\delta-TaN_x$ + hexagonal $\gamma-TaN_x$ with increasing the ion energy at the same nitrogen fraction $f_{N2}$. The hardness of the films also increased by the structural change. At the nitrogen fraction of $0.1\~0.125$, the structure of the $TaN_x$ films was changed from $\delta-TaN_x\;+\;\varepsilon-TaN_x\;to\;\delta-TaN_x\;+\;\gamma-TaN_x$ with increasing the ion energy. However, at the nitrogen fraction of 0.15 the film structure did not change from $\delta-TaN_x\;+\;\varepsilon-TaN_x$ over the whole range of the applied ion energy. The hardness increased significantly from 21.1 GPa to 45.5 GPa with increasing the ion energy.
Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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2003.11a
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pp.208-208
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2003
RF 마그네트론 스퍼터링법을 이용하여 Ar과 $O_2$의 유량을 25sccm씩 흘리면서 $SiO_2$/Si기판 위에 Sn $O_2$ 박막을 증착하였다. 증착된 박막은 columnar 구조로 성장하였으며 많은 입자들이 뭉쳐서 형성된 양배추꽃(cauliflower) 형태의 뭉친 입자(agglomerates)를 가지는 표면형상이 관찰되었다. 분위기에 따른 어닐링 효과를 확인하기 위하여 50$0^{\circ}C$에서 공기와 질소 분위기하에서 열처리하였다. 열처리한 후 표면거칠기가 개선되었으며, 표면형상의 변화가 발생하였다. 특히 50$0^{\circ}C$, 질소분위기에서 어닐링한 경우는 양배추꽃 형태의 표면형상이 소수의 작은 입자가 뭉친 형태로 분리되면서 입도분포가 개선되었다. 이러한 결과는 어닐링 과정에서 발생되는 응력을 완화시키기 위하여 표면형상의 변화가 발생하는 것으로 판단된다. XPS 측정 결과, 질소 분위기에서 어닐링한 후에 OIs와 Sn5/3d 피크가 낮은 결합에너지에 위치하고 있어 산소공공의 농도가 어닐링 전에 비하여 증가하였음을 확인할 수 있다. 어닐링 전후에 Sn $O_2$ 박막의 면저항 측정 값은 XPS 결과와는 달리 질소 분위기 어닐링한 후에 오히려 면저항값이 크게 증가하였다. 이러한 결과는 질소 분위기 어닐링한 후 표면형상의 변화에 기인하여 입자간의 연결성이 저하되어 면저항값이 증가한 것으로 추정된다. 산소분위기에서 어닐링한 후에 전체적으로 전기적 특성의 재현성이 개선되었으며 Sensitivity( $R_{air}$/ $R_{gas}$)가 향상되었음을 확인하였다.하였다.석을 통하여 La의 분포를 확인하였으며, HRTEM 분석을 통하여 미세구조분석을 실시하였다.2463eV였다. 10K에서 광발광 봉우리의 919.8nm (1.3479eV)는 free exciton(Ex), 954.5nm (1.2989eV)는 donor-bound exciton 인 I2(DO,X)와 959.5nm (1.2921eV)는 acceptor-bound exciton 인 I1(AO,X) 이고, 964.6nm(1.2853eV)는 donor-acceptor pair(DAP) 발광, 1341.9nm (0.9239eV)는 self activated(SA)에 기인하는 광발광 봉우리로 고찰되었다.가 높을수록 방출전류가 시간에 따라 급격히 감소하였다. 각 duty비에서 방출전류의 양이 1/2로 감소하는 시점을 에미터의 수명으로 볼 때 duty비 대 에미터 수명관계를 구해 높은 duty비에서 전계방출을 시킴으로써 실제의 구동조건인 낮은 duty비에서의 수명을 단시간에 예측할 수 있었다. 단속적으로 일어난 것으로 생각된다.리 폐 관류는 정맥주입 방법에 비해 고농도의 cisplatin 투여로 인한 다른 장기에서의 농도 증가 없이 폐 조직에 약 50배 정도의 고농도 cisplatin을 투여할 수 있었으며, 또한 분리 폐 관류 시 cisplatin에 의한 직접적 폐 독성은 발견되지 않았다이 낮았으나 통계학적 의의는 없었다[10.0%(4/40) : 8.2%(20/244), p>0.05]. 결론: 비디오흉강경술에서 재발을 낮추기 위해 수술시 폐야 전체를 관찰하여 존재하는 폐기포를 놓치지 않는 것이 중요하며, 폐기포를 확인하지 못한 경우와 이차성 자연기흉에 대해서는 흉막유착술에 더 세심한 주의가 필요하다는 것을 확인하였다. 비디오흉강경수술은 통증이 적고, 입원기간이 짧고,
Lee Kwang-Yong;Oh Teck-Su;Won Hye-Jin;Lee Jae-Ho;Oh Tae-Sung
Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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v.12
no.2
s.35
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pp.111-119
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2005
Stack specimen with three dimensional interconnection structure through Cu via of $75{\mu}m$ diameter, $90{\mu}m$ height and $150{\mu}m$ pitch was successfully fabricated using subsequent processes of via hole formation with Deep RIE (reactive ion etching), Cu via filling with pulse-reverse electroplating, Si thinning with CMP, photolithography, metal film sputtering, Cu/Sn bump formation, and flip chip bonding. Contact resistance of Cu/Sn bump and Cu via resistance could be determined ken the slope of the daisy chain resistance vs the number of bump joints of the flip chip specimen containing Cu via. When flip- chip bonded at $270^{\circ}C$ for 2 minutes, the contact resistance of the Cu/Sn bump joints of $100{\times}100{\mu}m$ size was 6.7m$\Omega$ and the Cu via resistance of $75{\mu}m$ diameter, $90{\mu}m$ height was 2.3m$\Omega$.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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