• 제목/요약/키워드: Si-Si coupling

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자외선 경화형 유기/무기 복합코팅에 의한 폴리카보네이트의 내마모성 향상 연구 (Study on the Improved Abrasion Resistance of Polycarbonate Substrate by UV-curable Organic/Inorganic Hybrid Coatings)

  • 윤석은;우희권;김동표
    • 폴리머
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    • 제24권3호
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    • pp.389-398
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    • 2000
  • 폴리카보네이트 표면에 spin-coating한 유/무기 복합 코팅막을 자외선 경화와 가열(12$0^{\circ}C$, 12시간)처리함으로써 약 4~13 $\mu\textrm{m}$ 두께의 투명한 내마모성 유/무기 복합코팅막을 제조하였다. 코팅용액은 무기상과 유기상을 각각 0 : 100, 20 : 80, 30 : 70, 50 : 50, 80 : 20 중량비로 혼합한 다음 광개시제, 증감제 및 계면활성제를 첨가하여 제조하였다. 무기상은 TEOS와 실란커플링제 MPTMS을 1 : 2 혹은 2 : 1몰비로 흔합하여 졸ㆍ겔 반응으로 제조하였으며, 유기상은 2관능형 urethane acrylate 올리고머, 다관능형 TMPTA와 HDDA를 4:3:3 wt% 비율로 흔합하여 제조하였다. 유/무기복합상의 화학적 변화는 FT-IR, $^{29}$ Si-NMR로 분석하였으며, 열분석과 코팅층 표면 형상은 TGA/DSC, SEM, AFM으로 분석하였다. 무기물의 함량과 실란커플링제의 첨가량이 증가 할수록 분자수준의 흔화도가 개선되고 표면 평활도와 내마모성도 향상되었다. 즉 약 10 $\AA$ 이하의 표면 거칠기와 약 15$0^{\circ}C$의 T$_{g}$를 나타내는 시료는 500회 마모시험 전후 단지 16%의 광투과도 감소만을 보인 반면에, 무코팅 폴리카보네이트를 46%의 광투과율 감소를 나타내었다..

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박막수직방향에서 면방향으로 회전하는 인가자기장에 대한 다층박막 [Pt/Co]N-IrMn의 교환바이어스의 각도의존특성 (Characteristics of the Angular-dependent Exchange Coupling Bias in Multilayer [Pt/Co]N-IrMn with Toward-in Plane Applied Fields)

  • 김순섭;임혜인;이장로;이상석;황도근
    • 한국자기학회지
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    • 제18권4호
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    • pp.142-146
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    • 2008
  • 마그네트론 스퍼터링방법으로 제작한 다층박막 $[Pt/Co]_N-IrMn$에 측정자기장이 박막면에 수직한 방향에서 면방향으로 각도 $\theta$방향으로 인가될때, 교환결합바이어스($H_{ex}$)와 보자력($H_c$)의 각도의존성이 측정되었다. 자기이력곡선은 인가 자기장축 뿐 아니라 자화축에 대하여도 그 원점이 이동하여 비대칭을 나타내었다. $H__{ex}$$H_c$는 각도$\theta$에 대하여 각각 $1/cos{\theta}$$1/|cos{\theta}|$ 의존성을 나타내며, 이와 같은 각도의존특성은 자기장냉각(박막면에 수직방향)을 통하여 생긴 강한 수직자기이방성에 기인하는 것을 알 수 있다.

졸-겔법으로 제조된 방염제졸의 연기밀도 특성에 관한 연구 (Study on the Smoke Density Characteristics of Flame Retardant Sol Manufactured by a Sol-gel Method)

  • 조경래;이춘하;김시국
    • 한국화재소방학회논문지
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    • 제31권3호
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    • pp.11-18
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    • 2017
  • 본 연구에서는 건축물 내에 사용되는 실내장식물의 가연성으로 인해 화재 시 발생하는 연기로 인한 인명피해를 사전에 예방하기 위해 무기물의 실리케이트와 유기물의 실란커플링제를 졸-겔법으로 합성하여 방염성을 부여할 수 있는 비할로겐 방식의 유-무기 하이브리드 방염제졸을 새롭게 제조하였다. 제조된 방염제졸의 성능확인을 위해 방염성능기준에 의거한 연기밀도 측정기준인 ASTM E 662의 시험장치 및 절차에 따라 훈소모드 실험 및 불꽃모드 실험을 진행하여 성능을 확인하였다. 결과적으로 제조된 방염제졸은 기존의 방염제의 물성과 내열성능을 높여 화재 시 연기발생량을 감소시킬 수 있기 때문에 향후 다양한 실내장식물에서도 확대적용 함으로써 연기에 의한 피해에 있어 긍정적인 효과를 발휘할 것으로 생각된다.

PNN-PZT 세라믹스의 저온 소결 및 전기적 특성 평가 (Low Temperature Sintering of PNN-PZT Ceramics and Its Electrical Properties)

  • 이명우;김성진;윤만순;류성림;권순용
    • 한국전기전자재료학회논문지
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    • 제21권12호
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    • pp.1077-1082
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    • 2008
  • To fabricate a multi-layered piezoelectrics/electrodes structure, the piezoelectrics should be sintered at the temperature lower than $950^{\circ}C$ to use the silver electrode, which is cheaper than the electrodes containing noble metals such as Pd and Pt. Therefore, in this study, we modified the composition of $Pb(Zr,Ti)O_3$-based material as $(Pb_{0.98}Cd_{0.02})(Ni_{1/3}Nb_{2/3})_{0.25}Zr_{0.35}Ti_{0.4}O_3$ to lower the sintering temperature and to improve the piezoelectric properties. Small amount of $MnCO_3$, $SiO_2$, and $Pb_3O_4$ were also added to lower the sintering temperature of the ceramic. The prepared raw powders were mixed by using a ball mill for 24 hours. And then the mixed powders were calcinated for 2 hours at $800^{\circ}C$. The calcinated powders were again crushed with the ball mill for 72 hours. The final powders were pressed for making the shape of ${\emptyset}15\;mm$ disk. The disk-type samples were sintered at temperature range of $850{\sim}950^{\circ}C$. The crystal phases of the sintered specimens were perovskite structure without secondary phases. All of the measured electrical properties such as electromechanical coupling coefficients ($k_p$), mechanical quality factors ($Q_m$), and piezoelectric charge constants ($d_{33}$) were decreased with decreasing the sintering temperatures. The electrical properties measured at the sample sintered at $950^{\circ}C$ were 54% of $k_p$, 503 of $Q_m$, and 390 pC/N of $d_{33}$, respectively. These properties were considered to be fairly good for the application of multi-layered piezoelectric generators or actuators.

Optical Probing of Electronic Interaction between Graphene and Hexagonal Boron Nitride (hBN)

  • Ahn, Gwanghyun;Kim, Hye Ri;Ko, Taeg Yeoung;Choi, Kyoungjun;Watanabe, Kenji;Taniguchi, Takashi;Hong, Byung Hee;Ryu, Sunmin
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2013년도 제44회 동계 정기학술대회 초록집
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    • pp.213-213
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    • 2013
  • Even weak van der Waals (vdW) adhesion between two-dimensional solids may perturbtheir various materials properties owing to their low dimensionality. Although the electronic structure of graphene has been predicted to be modified by the vdW interaction with other materials, its optical characterization has not been successful. In this report, we demonstrate that Raman spectroscopy can be utilized to detect a few % decrease in the Fermi velocity ($v_F$) of graphene caused by the vdW interaction with underlying hexagonal boron nitride (hBN). Our study also establishes Raman spectroscopic analysis which enables separation of the effects by the vdW interaction from those by mechanical strain or extra charge carriers. The analysis reveals that spectral features of graphene on hBN are mainly affected by change in vF and mechanical strain, but not by charge doping unlike graphene supported on $SiO_2$ substrates. Graphene on hBN was also found to be less susceptible to thermally induced hole doping.

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Single-step 전자빔 묘화 장치를 이용한 Focusing Grating Coupler 제작 연구 (Fabrication technology of the focusing grating coupler using single-step electron beam lithography)

  • 김태엽;김약연;손영준;한기평;백문철;김해성;신동훈;이진구
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2002년도 하계학술대회 논문집 Vol.3 No.2
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    • pp.976-979
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    • 2002
  • A focusing grating coupler (FGC) was not fabricated by the 'Continuous Path Control' writing strategy but by an electron-beam lithography system of more general exposure mode, which matches not only the address grid with the grating period but also an integer multiple of the address grid resolution (5 nm), To more simplify the fabrication, we are able to reduce a process step without large decrease of pattern quality by excluding a conducting material or layer such as metal (Al, Cr, Au), which are deposited on top or bottom of an e-beam resist to prevent charge build-up during e-beam exposure. A grating pitch period and an aperture feature size of the FGC designed and fabricated by e-beam lithography and reactive ion etching were ranged over 384.3 nm to 448.2 nm, and $0.5{\times}0.5mm^2$ area, respectively, This fabrication method presented will reduce processing time and improve the grating quality by means of a consideration of the address grid resolpution, grating direction, pitch size and shapes when exposing. Here our investigations concentrate on the design and efficient fabrication results of the FGC for coupling from slab waveguide to a spot in free space.

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Structure and Magnetic Properties of Cr2O3/CrO2 Nanoparticles Prepared by Reactive Laser Ablation and Oxidation under High Pressure of Oxygen

  • Si, P.Z.;Wang, X.L.;Xiao, X.F.;Chen, H.J.;Liu, X.Y.;Jiang, L.;Liu, J.J.;Jiao, Z.W.;Ge, H.L.
    • Journal of Magnetics
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    • 제20권3호
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    • pp.211-214
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    • 2015
  • $Cr_2O_3$ nanoparticles were prepared via one-step reactive laser ablation of Cr in oxygen. The metastable $CrO_2$ phase was obtained through the subsequent oxidation of $Cr_2O_3$ nanoparticles under $O_2$ with gas pressures of up to 40 MPa. The as-prepared $Cr_2O_3$ nanoparticles are spherical or rectangular in shape with sizes ranging from 20 nm to 50 nm. High oxygen pressure annealing is effective in producing meta-stable $CrO_2$ from as-dried $Cr_2O_3$ nanoparticles, and the $Cr_2O_3$ nanoparticles exhibit a weak ferromagnetic behavior with an exchange bias of up to 11 mT that can be ascribed to the interfacial exchange coupling between uncompensated surface spins and the antiferromagnetic core. The $Cr_2O_3/CrO_2$ nanoparticles exhibit an enhanced saturation magnetization and a reduced exchange bias with an increasing faction of $CrO_2$ due to the elimination of uncompensated surface spins over the $Cr_2O_3$ nanoparticles when exposed to a high pressure of $O_2$ and/or possible phase segregation that results in a smaller grain size for both $Cr_2O_3$ and $CrO_2$.

열광학 폴리머 평면도파로의 소산장결합을 이용한 광섬유형 온도센서 (Fiber optic temperature sensor using evanescent field coupling of the thermo-optic polymer planar waveguide)

  • 김시홍;정웅규;김광택;송재원;강신원
    • 센서학회지
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    • 제9권1호
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    • pp.15-21
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    • 2000
  • 단일모드 광섬유와 평면도파로 결합기의 열에 의하여 공진파장이 이동하는 현상을 이용한 광섬유형 온도센서를 구현하였다. 평면도파로는 열에 의한 굴절률 변화가 큰 열광학폴리머를 사용하였다. 광섬유 연마과정 등의 소자제작 공정을 소개하고, 편광에 무관하게 동작하는 광소자 구조를 실험으로 검증하였다. 제작된 소자의 편광에 따른 공진파장의 차이는 2nm 이하였다. 실온($24^{\circ}C$)에서 $90^{\circ}C$까지의 온도변화에 의한 공진파장의 변화는 $-0.54nm/^{\circ}C$, $-3nm/^{\circ}C$의 특성을 보였다.

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Sepharose와 Phenoxyacetyl Cellulose에 고정화 시킨 Invertase에 관한 비교 연구 (Comparative Studies on Immobilized Invertase on Sepharose and Phenoxyacetyl Cellulose)

  • 최춘순;전문진;변시명
    • 한국식품과학회지
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    • 제12권3호
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    • pp.176-181
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    • 1980
  • Invertase의 고정화에 대해서 두가지 carrier matrix를 사용하여 연구하였다. Sepharose에 ${\omega}-aminohexylarm$를 붙인 후 효소를 결합시키는 indirect coupling method와 cellulose에 phenexyacetyl group의 linkage를 만들어 변형시킨 후 (modified cellulose), 여기에 효소를 흡착시키는 hydrophobic adsorption method로서 제조하였다. 각각의 고정화 수율(immobilized yield)은 ${\omega}-aminohexyl\;sepharose$의 경우 첨가한 효소의 26.0%의 activity를 고정화 시킬 수 있었으며, phenoxyacetyl cellulose의 경우는 72.9%였다. 제조한 고정화 효소의 안정성, ph영향, 온도 영향 및 Km값을 조사하였다. ${\omega}-aminohexyl\;Sepharose$에 고정화시킨 invertase근 최적 pH 4.5, 최적 온도 $60^{\circ}C$, 활성화 에너지 $5,941\;cal/mole{\cdot}deg$, Km값 22.2 mM이었으며 phenoxyacetyl cellulose에 고정화시킨 invertase는 최적 pH 4.0, 최적 온도 $60^{\circ}C$, 활성화 에너지 $7,769\;cal/mole{\cdot}deg$, Km 값 69.9mM이었다.

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A High Performance Co-design of 26 nm 64 Gb MLC NAND Flash Memory using the Dedicated NAND Flash Controller

  • You, Byoung-Sung;Park, Jin-Su;Lee, Sang-Don;Baek, Gwang-Ho;Lee, Jae-Ho;Kim, Min-Su;Kim, Jong-Woo;Chung, Hyun;Jang, Eun-Seong;Kim, Tae-Yoon
    • JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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    • 제11권2호
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    • pp.121-129
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    • 2011
  • It is progressing as new advents and remarkable developments of mobile device every year. On the upper line reason, NAND FLASH large density memory demands which can be stored into portable devices have been dramatically increasing. Therefore, the cell size of the NAND Flash memory has been scaled down by merely 50% and has been doubling density each per year. [1] However, side effects have arisen the cell distribution and reliability characteristics related to coupling interference, channel disturbance, floating gate electron retention, write-erase cycling owing to shrinking around 20nm technology. Also, FLASH controller to manage shrink effect leads to speed and current issues. In this paper, It will be introduced to solve cycling, retention and fail bit problems of sub-deep micron shrink such as Virtual negative read used in moving read, randomization. The characteristics of retention, cycling and program performance have 3 K per 1 year and 12.7 MB/s respectively. And device size is 179.32 $mm^2$ (16.79 mm ${\times}$ 10.68 mm) in 3 metal 26 nm CMOS.