$RuO_2$ 를 마스크 층으로 TMAH에 의한 이방성 실리콘 식각
(Anisotropic Silicon Etching Using $RuO_2$ Thin Film as a Mask Layer by TMAH Solution)
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- 한국세라믹학회지
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- 제34권10호
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- pp.1021-1026
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- 1997