Study on the Resistor Formation using an $Al_2O_3$ Etch-Stop Layer in DRAM
(DRAM에서 $Al_2O_3$ 를 식각 정지막으로 이용한 레지스터 형성에 관한 연구)
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- Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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- 2005.07a
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- pp.153-156
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- 2005