• 한국세라믹학회지
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• 제42권8호
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• pp.575-581
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• 2005

SiC-based ceramics are considered as candidate materials for the advanced nuclear energy systems such as the generation IV reactors and the fusion reactors due to their excellent high-temperature strength and irradiation resistance. The advanced nuclear energy systems and their main components adopting ceramic composites were briefly reviewed. A novel fabrication method of $SiC_f/SiC$ composites by introducing SiC whiskers was also described. In addition, the charged-particle irradiation ($Si^{2+}$ and $H^{+}$ ion) into CVD SiC was carried out to simulate the severe environments of the advanced nuclear reactors. SiC whiskers grown in the fiber preform increased the matrix infiltration rate by more than $60\%$ compared to the conventional CVI process. The highly crystalline and pure SiC showed little degradation in hardness and elastic modulus up to a damage level of 10 dpa at $1000^{\circ}C$.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2008년도 하계학술대회 논문집 Vol.9
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• pp.545-545
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• 2008

Poly-Si is an essential material for floating gate in NAND Flash memory. To fabricate this material within region of floating gate, chemical mechanical polishing (CMP) is commonly used process for manufacturing NAND flash memory. We use colloidal silica abrasive with alkaline agent, polymeric additive and organic surfactant to obtain high Poly-Si to SiO2 film selectivity and reduce surface defect in Poly-Si CMP. We already studied about the effects of alkaline agent and polymeric additive. But the effect of organic surfactant in Poly-Si CMP is not clearly defined. So we will examine the function of organic surfactant in Poly-Si CMP with concentration separation test. We expect that surface roughness will be improved with the addition of organic surfactant as the case of wafering CMP. Poly-Si wafer are deposited by low pressure chemical vapor deposition (LPCVD) and oxide film are prepared by the method of plasma-enhanced tetra ethyl ortho silicate (PETEOS). The polishing test will be performed by a Strasbaugh 6EC polisher with an IC1000/Suba IV stacked pad and the pad will be conditioned by ex situ diamond disk. And the thickness difference of wafer between before and after polishing test will be measured by Ellipsometer and Nanospec. The roughness of Poly-Si film will be analyzed by atomic force microscope.

• 공업화학
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• 제7권3호
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• pp.490-495
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• 1996

Organocyclosiloxane oligomer[$(R_2SiO)_n$, n=2, 3, 4, 5]와 dimethyldichlorosilane을 Pyridine N-oxide 촉매 존재하에서 개환 반응시켜 linear chlorine terminated siloxane(yields;71.2~86.5%)를 얻었다. $0^{\circ}C$에서 linear chlorine terminated siloxane과 dimethylamine을 반응시켜 amino terminated siloxane oligomer(yields;76.2~85.3%)를 얻은 후 이 화합물들과 1,4-bis(dimethylhydroxysilyl)benzene을 반응시켜 공중합체들(yields;58.0~71.0%)을 합성하였다. 이들 공중합체의 구조는 FT-IR 및 $^1H$-NMR로 확인하였으며, DSC 및 TGA thermogram을 통하여 이들 중합체들의 열적특성을 조사하였다. TGA thermogram으로부터 polymer I (n=2)의 초기분해온도는 $476^{\circ}C$로 가장 낮았고, polymer IV(n=5)가 $485^{\circ}C$로 가장 높았다. n의 수가 증가할수록 열안정성은 다소 우수한 것으로 관찰되었고, DSC thermogram에서 중합체들의 유리전이온도는 polymr IV (n=5)가 $-76^{\circ}C$로 가장 낮았으며, n의 수가 감소할수록 높게 나타났음을 알 수 있었다.

• 한국토양비료학회지
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• 제7권4호
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• pp.215-220
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• 1974

수량(收量) 및 건물생산량과 NPK 및 Si 흡수량(吸收量)과의 단순(單純) 및 다중상관분석(多重相關分析)을 하고 다중회귀식(多重回歸式)을 검토(檢討)하여 다음과 같은 결과(結果)를 얻었다. 1. 단순상관계수(單純相關係數)는 수량(收量)에서보다 전건물(全乾物) 생산량에서 크고 N는 무(無)N구(區)와 무비구(無肥區)에서 크고 P는 무(無)P구(區)에서 크며 K는 무(無)K구(區)에서 가장 적다. 2. 다중상관계수(多重相關係數)는 단순상관계수(單純相關係數)보다 크고 삼요소(三要素)보다 Si를 첨가시킨 경우에 더 크다. 무비구(無肥區)에서 계수가 가장 크고 무(無)K구(區)의 계수(係數)가 가장 적은 경향(傾向)을 뚜렷이 보였는데 단순상관(單純相關)에서도 그러한 경향(傾向)을 보였다. 3. P 흡수량(吸收量)이 많고 이용률(利用率)도 큰 고온(高溫)의 해에는 P의 단순상관계수(單純相關係數)가 크고 K흡수량(吸收量)이 많고 이용률(利用率)도 큰 저온(低溫)의 해에는 역시 상관계수(相關係數)도 크며 N나 Si도 K를 따랐다. 그러나 수량(收量)과의 다중회귀식(多重回歸式) 계수(係數)에 의(依)하면 N P K Si 모두 고온(高溫)의 해에만 유의성(有意性)을 보였다. 4. K의 회귀계수(回歸係數)는 수량(收量)에 있어서 부(負)로 많이 나타나며 건물생산량에 있어서는 정(正)으로 유의성(有意性)이 컸다. 5. 회귀계수(回歸係數)는 삼요소(三要素)보다 이에 Si를 더 첨가했을 때 삼요소(三要素)의 계수(係數)가 모두 감소(減少)하는데 P가 가장 심하였다. 6. 회귀계수(回歸係數)는 N증시(增施)에 따라 N계수(係數)는 증가(增加)하고 P계수(係數)는 감소(減少)하며 K와 Si계수(係數)는 일정(一定)치 아니 하였다. 7. 상관계수(相關係數)나 회귀계수(回歸係數)의 크기와 유의성(有意性)으로부터 각양분(各養分)의 수량(收量)에의 기여도(奇與度)는 N > Si > P > K 이고 건물생산량에서는 N > K > Si > P의 순위(順位)였으며 N가 중심(中心)으로 기타 양분이 N에 영향하는 방향으로 밀접(密接)하게 상호관련(相互關聯)되었음을 보인다. N 영양(營養)의 주역성(主役性)은 상대수량발현빈도양상(相對收量發現頻度樣相)에서도 나타났다.

• 헤리티지:역사와 과학
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• 제50권4호
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• pp.122-147
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• 2017

중산동 유적은 선캠브리아기의 석영편암층과 운모편암층에 걸쳐 분포하며, 풍화층에는 운모, 석영, 장석, 각섬석 및 녹니석 등 다양한 비가소성 광물이 다량 포함되어 유적지의 지반을 형성하고 있다. 중산동 유적 신석기시대 토기는 다양한 갈색계열을 보이며, 일부 시료는 속심과 내면을 따라 흑심이 발달하고 예리한 빗살시문과 손누름 자국이 관찰된다. 이들은 비가소성 입자의 조성과 입도 및 분급과 원마도가 다양하여 특징적 광물조성에 따라 4 유형으로 세분하였다. I-형은 장석질 토기로 장석이 주성분이며 석영과 운모를 포함하기도 한다. II-형은 운모질 토기로 녹니석화된 운모류, 활석과 투각섬석 및 투휘석의 조합을 이룬다. III-형은 활석질 토기로 미량의 석영과 운모를 동반한다. IV-형은 석면질 토기로 투각섬석과 미량의 활석을 포함한다. 중산동 토기는 내외면의 색상이 다소 불균질하다. I-형 토기군은 장석류 함량에 따라 적색 및 황색도에 차이가 있으며, III-형 토기군과 유사하다. II-형은 적색도가 다소 높아 IV-형과 유사하다. 유적지 토양은 토기에 비해 적색 및 황색도가 높다. 전암대자율은 0.088~7.360(${\times}10^{-3}$ SI unit)의 넓은 범위이나, 각 유형별 주성분 광물에 따라 구분된다. 토기의 부피비중과 흡수율은 1.6~1.7 및 13.1~26.0%의 범위를 보인다. 각 유형별 토기군은 I-형의 유기물 고착시료 < III-형 및 IV-형 < I-형 < II-형 (IV-형의 IJP-15 포함)의 순으로 공극률과 흡수율이 증가하며 뚜렷한 영역 차이를 보였다. 이는 비가소성 입자의 종류와 입도 등에 따라 물리적 성질의 차이가 나타나기 때문이다. 중산동 토기는 다양한 재료의 혼합으로 이루어져 있으나, 유적지 토양은 중산동 토기가 갖는 모든 광물조성을 공급할 수 있는 지질조건을 갖추고 있다. 따라서 원료는 유적지 주변 석영편암과 운모편암의 풍화대에서 수급이 가능하였을 것으로 판단된다. 그러나 구성광물, 입도 및 암편이 다양한 양상을 보여 원료 채취장소가 여러 곳이었을 가능성이 높으며, 이에 따른 점토화 및 풍화도의 차이가 있는 것으로 해석할 수 있다.

• 한국재료학회지
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• 제13권5호
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• pp.279-284
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• 2003

The $CoSi_2$ process is widely employed in a salicide as well as an ohmic layer process. In this experiment, we investigated the characteristics of $CoSi_2$ films by combinations of I-type (TiN 100$\AA$/Co 150$\AA$), II-type(TiN 100$\AA$/Co 150$\AA$/Ti 50$\AA$), III-type(Ti 100$\AA$/Co 150$\AA$/Ti 50$\AA$), and IV-type(Ti 100$\AA$/Co 150$\AA$/Ti 100$\AA$). Sheet resistances of $CoSi_2$ show the lowest resistance with 2.9 $\Omega$/sq. in a TiN/Co condition and much higher resistances in conditions simultaneously applying Ti capping layers and Ti interlayers. Though we couldn't observe a $CoSi_2$roughness dependence on the film stacks from RMS values, Ti capping layers turned into 78∼94$\AA$ thick TiN layers of (200) preferred orientation at $N_2$ambient. In addition, Ti interlayers helped to form the epitaxial $CoSi_2$with (200) preferred orientation and ternary compounds of Co-Ti-Si. We propose that film structures of II-type and III-type may be appropriate in the salicide process and the ohmic layer process from the viewpoint of Co diffusion kinetics and the CoSi$_2$epitaxy.

• 천문학논총
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• 제11권1호
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• pp.1-26
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• 1996

We have built a near-infrared imaging camera with a PtSi array detector manufactured by the Mitsubishi Company. The PtSi detector is sensitive in the wavelength range 1 to $5{\mu}m$. Quantum efficiency of PtSi is much lower than that of InSb and HgCdTe types. However, the PtSi array has advantages over the latter ones: (i)The read-out noise is very low; (ii)the characteristics of the array elements arc uniform and stable; (iii)it is not difficult to make a large PtSi array; and (iv) consequently the price is affordably low. The array used consists of $512{\times}512$ pixels and its size is $10.2\;mm{\times}13.3\;mm$. The filter wheel of the camera is equipped with J, H, K filters, and an aluminum plate for measuring the dark noise. The dewar is cooled with liquid nitrogen. We have adopted a method of installing the clock pattern and the observing softwares in the RAM, which Gill he easily used for other systems. We have developed a software with a pull-down menu for operating the camera and data acquisition. The camera has been tested by observing $\delta$ Orionis.

• 천문학회보
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• 제31권1호
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• pp.39.2-39.2
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• 2006

• 멤브레인
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• 제28권4호
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• pp.221-232
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• 2018

Poly(imide siloxane)(Si-PI)와 polyvinylpyrrolidone (PVP)를 혼합한 고분자를 사용하여 실리카가 함유된 탄소 분리막을 제조하였다. 고분자 혼합물의 열분해에 의해 제조 된 다공성 탄소 구조의 특성은 두 고분자의 미세 상 분리 거동과 관련이 있다. Si-PI와 PVP의 고분자 혼합물의 유리 전이 온도(Tg)는 시차 주사 열량계를 사용하여 단일 Tg로 관찰되었다. 또한 $C-SiO_2$ 막의 질소 흡착 등온선을 조사하여 다공성 탄소 구조의 특성을 규명했다. Si-PI/PVP로부터 유도 된 $C-SiO_2$ 막은 IV형 등온선을 나타내었고 중간기공의 탄소 구조와 관련된 히스테리시스 루프를 가지고 있었다. 분자 여과 확인을 위해서, Si-PI/PVP의 비율과 열분해 온도 및 등온 시간과 같은 열분해 조건을 다르게 하여 $C-SiO_2$ 막을 제조하였다. 결과적으로, 120분 간의 등온 시간 동안 $550^{\circ}C$에서 Si-PI/PVP의 열분해에 의해 제조된 $C-SiO_2$ 막의 투과도는 820 Barrer ($1{\times}10^{-10}cm^3(STP)cm/cm^2{\cdot}s{\cdot}cmHg$)이었으며, $O_2/N_2$ 선택도는 14이었다.

• 한국진공학회지
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• 제3권3호
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• pp.341-345
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• 1994

As+ 와 P+ 이온들이 주입된 실리콘에서 주입 이온들의 확산 및 실리콘의 재결정화에 열처리가 미치는 영향에 대해서 조사하였다, 여기서 이온 주입량은 실리콘 표면영역을 비정질화하기에 충분한 양 이었다. 이온 주입 시실리콘 내부에 생성된 손상들을 제거하기 위해 온도와 시간을 변화시켜 가며 시편 을 전기로 속에서 열처리하였다. 그러나 이때 야기된 도우펀트들의 과도적인 확산에 의해서 접합깊이는 예측한 것보다 더욱 깊은 곳에서 나타나다. 이러한 과도적인 확산은 주로 이온 주입으로 인해 야기된 시편들이 손상들을 제거하기 위한 열처리 과정동안 일어난 것으로 생각된다. 이것은 SIMS와 SUPREM IV simulation 에 의해서 확인할 수 가 있었다. As+ 와 P+ 이온이 주입된 실리콘의 결정성 회복을 Raman 분광법을 이용하여 조사하였다.