본 논문에서는 넓은 조사 면적에 단거리 조사시에도 균일한 조명도 분포를 가지도록 하는 비대칭 배광의 조명 광학계에 대한 연구를 진행하였다. 단거리에 설치되는 조명의 경우 조사 거리가 짧기 때문에 충분한 배광 분포 형성이 되지 못해 조명의 균일도를 만족하기 어렵다. 또한 시인성을 위해 조명기기가 기울어져 설치되기 때문에 비대칭 배광의 조명 설계가 요구된다. 이러한 문제점을 해결하기 위해 비대칭 배광을 가지는 조명 광학계 설계를 통해 근거리 조사 시에도 대상 표면에 균일한 조명도를 얻을 수 있었으며, 이를 근거리 조명 중 하나인 라이선스 램프에 적용하여 법규 기준을 만족하는 것을 확인하였다.
Purpose: This study was designed to investigate the present conditions of illumination techniques in dental clinics in order to contribute improvement of operating environment. This study also aimed exploring qualitative and quantitative luminous intensity required for color temperature in dental clinic illumination, which was a critical part of esthetic dentistry. Materials and methods: A total of forty-eight local dental clinics were selected for sampling a) luminous intensity, and b) color temperature. The author measured the luminous intensity and the color temperature with lux meter and color meter respectively between 12pm and 2pm. The dental unit chair placed in the general operation positions were kept the distance 60 cm then all dental units were measured three times and averaged. The author measured the luminous intensity and color temperature with both common dental operating light and then without operating light in different office environments. The study was conducted under three conditions: 1 artificial illumination in clear day light 2. artificial illumination in cloudy day light, and 3. artificial illumination alone. Results : The results obtained were as follows. 1. The average luminous intensity in dental clinic lighting was 425 lux which was not sufficient to produce the optimal shade of the patient's teeth. Furthermore, the average luminous intensity even in full operating lighting was 9532 lux which fell short of the required level of 10,000 lux. 2. The average color temperature of all dental clinics surveyed was 5169 K which met the optimal range. However, only 33.3% fell in the correct region between 5,000-5,500 K as 25% were over 5,500 K and 41.6% were below 5,000 K. As a result, 66.7% were under insufficient color temperature conditions. 3. The dental unit chair placed next to a window, hence exposure to natural lighting, had significantly higher luminous intensity and color temperature compared to the dental unit chair which didn't have a window or natural lighting. 4. The data analysis revealed that only 6.3% of the dental clinic were met the standard of the average luminous intensity and color temperature.
Huynh, Vu Van;Le, Nam-Tuan;Uddin, Muhammad Shahin;Choi, Sun-Woong;Jang, Yeong-Min
정보와 통신
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제28권12호
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pp.50-60
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2011
Visible light communication(VLC) is one type of short-range, optical, and wireless communication system utilizing light emitting diode(LED) and laser diode(LD) as optical source. In a VLC system, visible light is used as a transmission medium and used to illuminate. Using VLC has a lot of advantages: it is harmless to human body; it transmits with high power, and it has excellent security, a high data rate, and a license free frequency band. With such a unique blend of communication and illumination in one system, the most common application would be an indoor environment. We aim at reviewing key issues in VLC network such as : FOV(field of view), priority MAC, cooperative MAC, link switching, LED-ID technique, cell site diversity, and link recovery.
A proper flashing light is expected to enhance microalgal biomass productivity and photosynthetic efficiency. The effect of flashing light on high-density Chlorella kessleri (UTEX 398) cultures was studied using light-emitting diodes. A frequency modulator was designed to flash LEDs, and the device successfully provided wide range of frequencies and various duty cycles of flashing. A relatively high frequencies of 10, 20 and 50 kHz were used in this study. These frequencies have very short flashing time ($2-50{\mu}s$), which corresponded to the time constant of the light reaction of photosynthesis. The specific oxygen production rates of photosynthesis under flashing light were compared with those under an equivalent continuous light in specially designed illumination cuvette. The specific oxygen production rates under flashing light were 5-25% higher than those under the continuous light. A range of cell concentration was discovered, where the benefit of flashing light was maximized. The photosynthetic efficiency was also higher under flashing light with frequencies of over 1 kHz, which was a clear indication of flashing light effect and the degree of mutual shading could by overcome by flashing lights, particularly at high-density algal cultures.
The influence of physical parameters (Al mole fraction, thickness, doping concentration) in the window and emitter on the efficiency characteristics of heteroface p-$Al_{x}Ga_{1-x}As/p-GaAs/n-GaAs/n^{+}$-GaAs solar cell is investigated. The maximum efficiency theoretically calculated in this device is obtained when a thickness of the window is in a range of (400-1000))$\AA$and a thickness/doping concentration of the emitter is in a range of (0.5-0.8)$\mu$m/(1-7)${\times}10^{17}cm^{-3}$, respectively. Also is the efficiency improved according to the increase of Al mole fraction in the indirect gap window(0.41${\le}x{\le}1.0$). The optimum designed heteroface cell with an area of 0.165cm$^2$fabricated using MOCVD exhibits an active area conversion efficiency of 17%, having a short circuit current density of 21.2mA/cm\ulcorner an open circuit voltage of 0.94V, and a fill factor of 0.75 under ELH-100mW/cm$^2$illumination.
Lee, Kyu-Sung;Kim, Inho;Yeon, Chang Bong;Lim, Jung Wook;Yun, Sun Jin;Jabbour, Ghassan E.
ETRI Journal
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제35권4호
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pp.587-593
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2013
We demonstrate semitransparent organic photovoltaics (OPVs) based on thin metal electrodes and polymer photoactive layers consisting of poly(3-hexylthiophene) and [6,6]-phenyl $C_{61}$ butyric acid methyl ester. The power conversion efficiency of a semitransparent OPV device comprising a 15-nm silver (Ag) rear electrode is 1.98% under AM 1.5-G illumination through the indium-tin-oxide side of the front anode at 100 $mW/cm^2$ with 15.6% average transmittance of the entire cell in the visible wavelength range. As its thickness increases, a thin Ag electrode mainly influences the enhancement of the short circuit current density and fill factor. Its relatively low absorption intensity makes a Ag thin film a viable option for semitransparent electrodes compatible with organic layers.
온도, 습도, 조도 또는 토양 센서 등을 탑재한 무선 센서 노드들을 네트워크로 구성하여 자연 환경 정보를 획득하고 분석하여 다양하게 활용하고 있다. 이러한 무선 센서 네트워크는 저전력 무선트랜시버를 탑재한 다수의 노드들이 근거리 무선 통신과 멀티-홉 기법으로 구성된다. 따라서 무선센서 네트워크를 통하여 수집된 데이터의 특징은 한정된 범위 내에 밀집된 노드들로부터 얻어진다는 것이다. 그러나 넓은 범위에 흩어져있는 무선 센서 노드들로부터 데이터를 얻기 위해서는 장거리로 데이터를 송신할 수 있도록 고전력을 소비하는 무선 트랜시버를 사용하거나 중계 노드를 많이 필요로 하여, 무선 센서 네트워크 가지고 있는 장점인 저전력과 저비용이라는 특징이 희석된다. 본 논문에서는 이러한 문제를 해결하기 위하여 넓게 산재되어 있는 각각의 센서 네트워크 그룹 들을 순회하여 데이터를 수집하는 자율 주행 로봇을 이용한 환경 모니터링 시스템을 제안한다.
Continuous efforts are being made to improve the efficiency of Si solar cells, which is the prevailing technology at this time. As opposed to the standard front-lit solar cell design, the back-lit design suffers no shading loss because all the metal electrodes are placed on one side close to the pn junction, which is referred to as the front side, and the incoming light enters the denuded back side. In this study, a systematic comparison between the two designs was conducted by means of computer simulation. Medici, a two-dimensional semiconductor device simulation tool, was utilized for this purpose. The $0.6{\mu}m$ wavelength, the peak value for the AM-1.5 illumination, was chosen for the incident photons, and the minority-carrier recombination lifetime (${\tau}$), a key indicator of the Si substrate quality, was the main variable in the simulation on a p-type $150{\mu}m$ thick Si substrate. Qualitatively, minority-carrier recombination affected the short circuit current (Isc) but not the opencircuit voltage (Voc). The latter was most affected by series resistance associated with the electrode locations. Quantitatively, when ${\tau}{\leq}500{\mu}s$, the simulation yielded the solar cell power outputs of $20.7mW{\cdot}cm^{-2}$ and $18.6mW{\cdot}cm^{-2}$, respectively, for the front-lit and back-lit cells, a reasonable 10 % difference. However, when ${\tau}$ < $500{\mu}s$, the difference was 20 % or more, making the back-lit design less than competitive. We concluded that the back-lit design, despite its inherent benefits, is not suitable for a broad range of Si solar cells but may only be applicable in the high-end cells where float-zone (FZ) or magnetic Czochralski (MCZ) Si crystals of the highest quality are used as the substrate.
All transparent metal oxide photoelectric device based on $V_2O_5$ was fabricated with structure of $V_2O_5/ZnO/ITO$ by magnetron sputtering system. $V_2O_5$ was deposited by reactive sputtering system with 4 inch vanadium target (purity 99.99%). In order to achieve p-n junction, p-type $V_2O_5$ was deposited onto the n-type ZnO layer. The ITO (indium tin oxide) was applied as the electron transporting layer for effective collection of the photo-induced electrons. Electrical and optical properties were analyzed. The Mott-Schottky analysis was applied to investigate the energy band diagram through the metal oxide layers. The $V_2O_5/ZnO/ITO$ photoelectric device has a rectifying ratio of 99.25 and photoresponse ratios of 1.6, 4.88 and 2.68 under different wavelength light illumination of 455 nm, 560 nm and 740 nm. Superior optical properties were realized with the high transmittance of average 70 % for visible light range. Transparent $V_2O_5$ layer absorbs the short wavelength light efficiently while passing the visible light. This research may provide a route for all-transparent photoelectric devices based on the adoption of the emerging p-type $V_2O_5$ metal oxide layer.
The stoichiometric mixture of evaporating materials for the $CuInSe_2$ single crystal thin film was prepared from horizontal furnace. Using extrapolation method of X-ray diffraction patterns for the polycrystal $CuInSe_2$, it was found tetragonal structure whose lattice constant $a_0$ and $c_0$ were $5.783\;{\AA}$ and $11.621\;{\AA}$, respectively. To obtain the $CuInSe_2$ single crystal thin film, $CuInSe_2$ mixed crystal was deposited on throughly etched GaAs(100) by the HWE(Hot Wall Epitaxy) system. The source and substrate temperature were $620^{\circ}C$ and $410^{\circ}C$ respectively. The crystalline structure of $CuInSe_2$ single crystal thin film was investigated by the double crystal X-ray diffraction(DCXD). Hall effect on this sample was measured by the method of Van der Pauw and studied on carrier density and mobility depending on temperature. From Hall data, the mobility was likely to be decreased by impurity scattering in the temperature range 30 K to 100 K and by lattice scattering in the temperature range 100 K to 293 K. The temperature dependence of the energy band gap of the $CuInSe_2$ obtained from the absorption spectra was well described by the Varshni's relation, $E_g(T)=1.1851\;eV-(8.99{\times}10^{-4}\;eV/K)T^2/(T+153\;K)$. The open-circuit voltage, short current density, fill factor, and conversion efficiency of $n-CdS/p-CuGaSe_2$ heterojunction solar cells under $80\;mW/cm^2$ illumination were found to be 0.51V, $29.3\;mA/cm^2$, 0.76 and 14.3 %, respectively.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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