• 제목/요약/키워드: Shaped crystal growth

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$TiO_2$ Nanocubes for Rapid Electron Transfer in Dye-Sensitized Solar Cell

  • 양혜영;방소연;이도권;고민재;김경곤
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2009년도 제38회 동계학술대회 초록집
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    • pp.317-317
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    • 2010
  • This paper reports syntheses of $TiO_2$ nanocubes and theirs application to DSSC. We synthesized $TiO_2$ nanocubes via solvothermal method using titanium isopropoxide (TTIP) and tetramethylammoiumhydroxide (TMAH). By adding longer alkyl chain ammonium hydroxide that slowed down the growth rate of the crystal, $TiO_2$ nanocubes were obtained with average particle size in the range of 40 nm to 70 nm. By TEM investigation, each particle was found to be single crystal of anatase having six-faces of (001) and {100} crystallographic planes truncated by {101} series of planes, which are clearly distinguishable from spherical nanoparticles. Among various application, utilizing nanocubes as photo-electrode in dye-sensitized solar cell, we investigated photo-electron conversion performances in comparison with spherical shaped $TiO_2$ nanoparticles by I-V characteristics and IPCE measurements, etc.. Photocurrent-transient analysis revealed that $TiO_2$ nanocubes have a higher transient electron transfer rate by more than 10 times compared with spherical particles of similar size. Fast electron transport along the cube edges having small curvature was suggested as a plausible origin of high diffusion coefficient of electron in nanocube $TiO_2$.

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HVPE법으로 성장시킨 GaN substrate 제작과 특성 평가 (Fabrication and characterization of GaN substrate by HVPE)

  • 오동근;최봉근;방신영;은종원;정준호;이성국;정진현;심광보
    • 한국결정성장학회지
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    • 제20권4호
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    • pp.164-167
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    • 2010
  • 본 연구에서는 HVPE을 이용하여 sapphire(001) 기판 위에 직경 2 inch, 두께 약 1.5 mm인 bulk GaN를 성장하고, 이를 mechanical polishing을 통해 $10{\times}10,\;15{\times}15$ mm 크기의 free-standing GaN template을 제작하여 그 특성을 평가하였다. 성장된 GaN 단결정의 X-ray diffraction pattern 결과 (002) 및 (004) 면으로부터의 회절에 의한 peak가 나타났으며, (002) 면의 DCXRD(Double crystal X-Ray diffraction) rocking curve peak의 반치폭(FWHM)은 98 arcsec으로 나타났다. 제작한 GaN template는 363 nm 파장에서 sharp한 PL spectrum을 나타내었으며, 불순물 defect에 의한 yellow 영역에서의 broad peak은 관찰되지 않았으며, 제작된 GaN template표면의 etch-pit 밀도는 $5{\times}10^6/cm^2$으로 매우 낮았다. 이러한 분석결과를 통하여 성장된 GaN template는 LED 및 LD 등의 청색 발광소자 및 고온, 고출력 소자용 기판재료로 응용이 가능할 것으로 생각 된다.

다양한 동결제를 이용하여 동결건조 공정으로 제조한 Cu 다공체의 기공구조 특성 (Freeze Drying Process and Pore Structure Characteristics of Porous Cu with Various Sublimable Vehicles)

  • 이규휘;오승탁;석명진;정영근
    • 한국분말재료학회지
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    • 제27권3호
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    • pp.198-202
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    • 2020
  • The effect of sublimable vehicles on the pore structure of Cu fabricated by freeze drying is investigated. The 5 vol% CuO-dispersed slurries with camphene and various camphor-naphthalene compositions are frozen in a Teflon mold at -25℃, followed by sublimation at room temperature. After hydrogen reduction at 300℃ and sintering at 600 ℃, the green bodies of CuO are completely converted to Cu with various pore structures. The sintered samples prepared using CuO/camphene slurries show large pores that are aligned parallel to the sublimable vehicle growth direction. In addition, a dense microstructure is observed in the bottom section of the specimen where the solidification heat was released, owing to the difference in the solidification behavior of the camphene crystals. The porous Cu shows different pore structures, such as dendritic, rod-like, and plate shaped, depending on the composition of the camphornaphthalene system. The change in pore structure is explained by the crystal growth behavior of primary camphor and eutectic and primary naphthalene.

r-Plane sapphire 위에 HVPE에 의해 성장한 a-plane GaN에피텍셜층의 V/III족 ratio에 따른 특성 변화 (Effects of the V/III ratio on a-plane GaN epitaxial layer on r-plane sapphire grown by HVPE)

  • 하주형;박미선;이원재;최영준;이혜용
    • 한국결정성장학회지
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    • 제24권3호
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    • pp.89-93
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    • 2014
  • V/III족 ratio의 변화에 따른 r-plane의 sapphire 위에 HVPE로 성장한 a-plane GaN 에피텍셜층의 특성변화를 연구하였다. V/III족 ratio가 증가함에 따라서, a-plane (11-20) GaN에 대한 Rocking Curve의 FWHM의 값이 감소하며, 성장된 GaN의 표면 거칠기도 감소하고, 성장성도는 증가하다가 V/III족 ratio 7까지는 증가하다가 다시 감소하는 경향을 보여준다. 즉 V/III족 ratio 10에서 a-plane (11-20) GaN에 대한 Rocking Curve의 FWHM의 가장 작은 829 arcsec값을 보이고, 표면거칠기도 가장 작은 1.58 nm 값을 보인다. 또한 광학현미경상에서 관찰되는 내부 Crack 또는 void가 가장 적게 발생하였다. 그리고 M모양의 Azimuth angle 의존도를 전 샘플에서 보이며, V/III족 ratio 10에서 FWHM 최대값과 최소값의 편차값이 439 arcscec로 가장 작은 차이를 보였다.

티타늄 나프테네이트를 이용한 나노결정질 $TiO_2$ 광촉매 박막의 제조 (Preparation of nanocrystalline $TiO_2$ photocatalyst films by using a titanium naphthenate)

  • 이선옥;김상복;윤연흠;강보안;황규석;오정선;양순호;김병훈
    • 한국결정성장학회지
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    • 제12권5호
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    • pp.240-246
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    • 2002
  • 티타늄 나프테네이트를 출발 원료로 사용하고 스핀코팅-열분해법을 이용하여 소다-라임-실리카 슬라이드 유리기판 위에 $TiO_2$ 박막을 제조하였다. 도포된 박막은 $500^{\circ}C$로 10분간 공기분위기에서 전열처리를 행하였고, 최종 열처리는 500, 550과 $600^{\circ}C$로 30분간 공기분위기에서 각각 행하였다. X-선 회절분석법을 이용하여 박막의 결정화도를 조사하였고, 전계 방출 주사형 전자 현미경과 원자간력 현미경을 이용하여 $TiO_2$ 박막의 표면미세구조와 표면 거칠기를 조사하였다. 550 과 $600^{\circ}C$로 최종 열처리한 박막의 X-선 회절분석 결과, 아나타제 상만이 존재하였다. 500과 $550^{\circ}C$로 열처리한 박막의 표면은 균질하였으나, 열처리온도가 $600^{\circ}C$로 증가함에 따라서, 박막의 표면에는 바늘모양의 상이 3차원적으로 성장하였다. 모든 박막에 있어서 가시영역에서의 투과율은 500nm에서 90% 이상의 높은 값을 나타냈다. 박막의 광촉매특성을 조사하기 위하여 stearic acid가 코팅된 박막에 365nm 파장의 UV를 2.4mW/$\textrm{cm}^2$의 강도로 조사하여 C-H모드에 대한 IR 흡수단의 변화를 관찰하였다.

Micro-pulling down법을 이용한 $Al_2$O$_3$/ZrO$_2$eutectic fiber의 제조 및 기계적 특성 (Growth $Al_2$O$_3$/ZrO$_2$eutectic fibers by the micro-pulling down method and its mechanical properties)

  • 이종호;;;윤대호
    • 한국결정성장학회지
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    • 제10권5호
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    • pp.345-349
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    • 2000
  • Micro-pulling down법을 이용하여 $Al_2O_3/ZrO_2$eutectic fiber를 제조하여 그 미세구조 및 기계적 특성과 성장속도의 관계를 조사하였다. 성장속도는 0.1~15 mm/min였으며, 직경 0.2~2 mm, 길이 500 mm의 eutectic fiber를 제조하였다. $Al_2O_3/ZrO_2$eutectic fiber의 미세구조는 성장속도에 따라 rod-shape structure에서 lameller structure를 거쳐 lamellar pattern을 갖는 cellular structure로 변화하였다. lamellar thickness는 성장속도가 1 mm/min에서 15 mm/min로 증가함에 따라 380 nm에서 110 nm로 감소하였다. 이와 같은 성장속도에 따른 lamellar thickness의 감소경향은 inverse-square-root로 나타내면, = 1 -l/2와 같이 표현할 수 있다. 여기서 는 m, 는 m/s의 단위를 갖는다. 13.1 Gpa의 hardness, 900 Mpa의 상온인장강도를 나타냈으며, 성장속도의 증가 즉, interlamellar spacing이 감소함에 따라 증가하는 경향을 나타냈다.

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제조공법에 따른 디스플레이 소자용 silver-grid 투명전극층의 특성 비교 (Comparison of characteristics of silver-grid transparent conductive electrodes for display devices according to fabrication method)

  • 최병수;최석환;류정호;조현
    • 한국결정성장학회지
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    • 제27권2호
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    • pp.75-79
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    • 2017
  • 고밀도 플라즈마 식각 및 lift-off 두 가지 공정으로 honeycomb 형상의 Ag-grid 투명전극층을 제작하였고 제조 공법에 따른 광학적 및 전기적 특성을 비교하였다. 플라즈마 식각 조건 선정을 위하여 Ag 박막의 $10CF_4/5Ar$ 유도결합 플라즈마 식각특성을 조사하였다. 비교적 낮은 ICP source power 또는 rf chuck power 영역에서는 power 증가에 따라 Ag 식각속도가 증가하였고, 높은 power 조건에서는 $Ar^+$ 이온 에너지 감소 또는 $Ar^+$ 이온에 의한 F radical 제거로 인해 식각속도가 감소하였다. $10CF_4/5Ar$ 플라즈마 식각 공정에 의해 제작된 Ag-grid 전극층은 lift-off 공정으로 제작된 전극층에 비해 grid 패턴 형상의 왜곡이나 단절이 없는 더 우수한 grid 패턴 전사 효율과 가시광선 영역에서 더 높은 83.3 %(pixel 크기 $30{\mu}m$/선폭 $5{\mu}m$)와 71 %(pixel 크기 $26{\mu}m$/선폭 $8{\mu}m$)의 광투과율을 각각 나타내었다. 반면에 lift-off 공정으로 제작된 Ag-grid 전극층은 플라즈마 식각 공정 시편보다 더 우수한 $2.163{\Omega}/{\square}$(pixel 크기 $26{\mu}m$/선폭 $8{\mu}m$)과 $4.932{\Omega}/{\square}$(pixel 크기 $30{\mu}m$/선폭 $5{\mu}m$)의 면저항 특성을 나타내었다.

Y2O3 세라믹스의 미세구조 및 플라즈마 저항성 (Microstructure and plasma resistance of Y2O3 ceramics)

  • 이현규;이석신;김비룡;박태언;윤영훈
    • 한국결정성장학회지
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    • 제24권6호
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    • pp.268-273
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    • 2014
  • $Y_2O_3$ 세라믹 소결체를 제작하기 위해, $Y_2O_3$ 분말을 분산한 상태에서 슬러리에 pH 조절제인 NaOH를 첨가하였으며 결합제로는 PVA, 가소제로는 PEG를 첨가하여 열분무 건조 공정을 거쳐 $Y_2O_3$ 과립형 분말을 제조하였다. ${\phi}14mm$ 크기의 $Y_2O_3$ 세라믹 성형체를 성형하고, $1650^{\circ}C$의 온도에서 소결하여 $Y_2O_3$ 세라믹 소결체를 제작하였다. $Y_2O_3$ 소결체의 미세구조, 밀도 및 내플라즈마 특성이 성형압력 및 소결시간에 따라 분석되었다. $Y_2O_3$ 소결체는 $CHF_3/O_2/Ar$ 플라즈마에 노출시켜, $Ar^+$ 이온빔에 의한 물리적반응 식각과 $CHF_3$로부터 분해된, $F^-$ 이온에 의한 화학적반응 식각에 의한 건식 식각 처리가 이루어졌다. 본 연구에서 $Y_2O_3$ 소결체 소결시간의 증가에 따라, 비교적 높은 밀도를 나타내었으며, 내플라즈마 특성이 향상되는 것으로 나타났다.

잉크젯 프린팅용 pink-red 수계 무기잉크의 제조 및 특성평가 (Characterization and synthesis of aqueous pink-red ceramic ink for digital inkjet printing)

  • 이원준;황해진;한규성;조우석;김진호
    • 한국결정성장학회지
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    • 제25권1호
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    • pp.20-26
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    • 2015
  • 세라믹 잉크젯 기술은 아트타일, 장식용 도자기 등에 이용되고 있으며, 원료의 효율이 높고 낮은 제작비용으로 다양한 이미지를 빠르고 정확하게 인쇄할 수 있다는 장점을 가지고 있다. 잉크젯 프린팅 타일에 나노세라믹안료를 적용하기 위해서는 안정적인 잉크분산성 확보가 필수적이다. 본 논문에서는 잉크젯 인쇄용 수계 pink-red 세라믹잉크의 특성을 보여주고 있다. $CaCr_{0.1}Sn_{0.8}SiO_5$ 안료는 고상법을 이용하여 합성하였고, 잉크 토출 시 잉크젯 헤드의 노즐 막힘을 방지하기 위해 어트리션밀을 이용하여 분쇄한 안료를 사용 하였다. 수계 세라믹잉크 제조 시 $CaCr_{0.1}Sn_{0.8}SiO_5$ 나노안료의 농도는 10 wt%로 고정하였고, sodium dodecyl sulfate(SDS)를 0.4 wt% 첨가 하였을 때 최적의 분산성을 가지는 것을 확인할 수 있었다. 또한 수계 세라믹 잉크의 원활한 토출을 위해 polyvinyl alcohol(PVA)을 0.18 wt% 첨가하여 점도 조절을 하였다. 제조된 pinkred 세라믹 잉크는 토출 시 $180{\mu}s$ 이후 구형의 단일액적을 형성 하는 것을 확인할 수 있었다.

폐콘크리트의 탄산화 특성 분석 (Analysis of carbonation characteristics on waste concrete)

  • 김남일;이종태;추용식
    • 한국결정성장학회지
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    • 제32권4호
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    • pp.151-158
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    • 2022
  • 본 연구에서는 폐콘크리트 분쇄물의 탄산화 가능성 검토를 위해 폐콘크리트 분쇄물의 기초물성 측정 및 탄산화를 실시하였으며, 탄산화 시료의 CaCO3 생성량, 결정성 분석 및 미세구조를 관찰하였다. 폐콘크리트 분쇄물의 탄산화 전 CaCO3 함량은 14.51 %이었으며, 24시간 탄산화 시 CaCO3 함량은 28.52 %, 미분쇄 후 24시간 탄산화 시의 CaCO3 함량은 32.73 %이었다. 탄산화 시간에 따른 폐콘크리트 분쇄물의 탄산화는 초기 6시간까지 급격히 이루어졌으나, 12시간 이후 24시간까지의 탄산화는 서서히 진행되었다. 특히 12시간 이후 24시간까지의 CaCO3 생성량은 2.32 % 수준에 불과하였다. 폐콘크리트 탄산화 후 미세구조 관찰 시 calcite 형상의 CaCO3 결정을 발견할 수 있었으며, 또한 XRD 패턴에서도 동일 결정 피크를 검출할 수 있었다. 따라서 본 연구에서 생성된 CaCO3 결정은 calcite라는 것을 확인할 수 있었다.