본 논문에서는 범용 운영체제에서 제공하는 디바이스 투명성을 센서노드 운영체제에 적용한 센서 투명성 아키텍처를 제안하였다. 센서 투명성을 지원하기 위한 표준 API와 센서 디바이스 추상화를 설계하고 TinyOS 운영체제에서 구현하였다. 본 논문에서 제안한 센서 투명성 지원 센서노드 운영체제를 사용하면 응용 개발자는 운영체제에서 제공되는 표준 API를 통해 센서 디바이스에 독립적으로 응용 프로그램을 개발할 수 있고, 센서 디바이스 공급자 또한 표준화된 하드웨어 인터페이스와 HAL 인터페이스를 통해 센서노드 하드웨어 플랫폼에 독립적으로 센서 디바이스 드라이버를 개발하고 공급할 수 있다.
본 논문에서는 센서 투명성을 지원하는 센서노드 운영체제에서 MCU가 슬립모드일 때 센서의 전원도 같이 차단할 수 있는 전력관리 기법을 제안한다. 전원 차단이 가능한 센서인지를 구별하기 위해 센서의 종류를 이벤트 센서와 폴링 센서로 구분하고 이들을 지원하기 위한 스케쥴러를 설계하였다. 성능 분석을 위해 기존 센서네트워크 운영 체제인 Nano-Q+에서 센서에 대한 표준 인터페이스를 지원하는 센서 투명성 기능을 구현하고, MCU와 함께 센서를 자동으로 슬립모드로 바꿀 수 있는 전력 관리자를 설계, 구현하여 성능을 분석하였다.
The indium tin oxide (ITO) films were deposited on CR39 substrate using DC magnetron sputtering. The ITO thin films deposited at room temperature because CR39 substrate its glass-transition temperature is $130^{\circ}C$. The ITO thin films used bottom and top electrode and for organic thin film transparent transistors (OTFTs). The ITO thin film electrodes electrical properties and optical transparency properties in the visible wavelength range (300-800 nm) strongly dependent on volume of oxygen percent. For the optimum resistivity and transparency of the ITO thin film electrode achieved with a 75 W plasma power, 10 % volume of oxygen and a 27 nm/min deposition rate. Above 85 % transparency in the visible wavelength range (300-800 nm) measured without post annealing process and a low resistivity value $9.83{\times}10^{-4}{\Omega}cm$ was measured thickness of 300 nm. All fabrication process of ITO thin films did not exceed $80^{\circ}C$.
Structural color has many advantages over pigment based color. In recent years, researches are being conducted to apply these advantages to applications such as wearable devices. In this study, strain sensor, a kind of wearable device, was developed using structural color. The use of structural color has the advantage of not using energy and complex measuring equipment to measure strain rate. Wrinkle structure was fabricated on the surface of Poly-dimethylsiloxane (PDMS) and used it as a sensor which color changes according to the applied strain. In addition, a transmittance-changing sensor was developed and fabricated by synthesizing additional glass nanoparticles. Furthermore, a strain sensor was developed that is largely transparent at the target strain and opaque otherwise.
The a-InGaZnO (a-IGZO) thin film transistor (TFT) has the advantages of larger mobility than that of amorphous silicon TFTs, acceptable reliability and uniformity over a large area, and low process cost. A capacitive-type touch sensor was studied with an a-IGZO TFT that can be used on the front side of a display due to its transparency. A capacitive sensor detects changes of capacitance between the surface of the finger and the sensor electrode. The capacitance varies according to the distance between the sensor plate and the touching or non-touching of the sensing electrode. A capacitive touch sensor using only one a-IGZO TFT was developed with the reduction of two bus lines, which made it easy to reduce the pixel pitch. The proposed sensor circuit maintained the amplification performance, which was investigated for various drive conditions.
Kim, Youngjun;Jung, Hyojin;Jin, Hyungki;Chun, Sungwoo;Park, Wanjun
한국진공학회:학술대회논문집
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한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
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pp.228.2-228.2
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2014
Characteristics of high Fermi velocity, high mechanical strength, and transparency offer tremendous advantages for using graphene as a promising transparent conducting material [1] in electronic devices. Although graphene is a prospective candidate for touch sensor with strong mechanical properties [2] and flexibility, only few investigations have been carried out in the field of sensor as a device form. In this study, we suggest ultra-highly sensitive and transparent graphene touch sensor fabricated by single layer graphenes. One of the graphene layers is formed in the top panel as a disconnected graphene beam transferred on PDMS, and the other of the graphene layer is formed with line-patterning on the bottom panel of triple structure PET/PI/SiO2. The touch sensor shows characteristics of flexible. Its transmittance is approximately 75% where transmittance of the top panel and the bottom panel are 86.3% and 87%, respectively, at 550 nm wavelength. Sheet resistance of each graphene layer is estimated as low as $971{\Omega}/sq$. The results show that the conductance change rate (${\Delta}C/C0$) is $8{\times}105$ which depicts ultra-high sensitivity. Moreover, reliability characteristic confirms consistent behavior up to a 100-cycle test.
In this paper, we proposed a laser-based non-contact temperature measuring method for high speed rotating polycarbonate (PC) disk using transparency change of thermocolor. The thermocolor has abilities to change color and transparency due to a change in temperature. The thermocolor is applied on one side of polyvinylidene fluoride (PVDF) membrane. The thermocolor applied membrane is attached to inside of reaction chamber in disk. An optical system consisted of a laser beam radiator and a laser photometer is installed. Laser is irradiated at the bottom side of disk and the transmitted laser beam is detected by the laser photometer at the opposite side of disk. During the disk is rotating, laser is irradiated and detected simultaneously. The laser photometer senses the transmitted laser power and generates voltage as output. The temperature of disk can be detected during the disk is rotating up to 3000 RPM.
유체와 접한 판재에 박힌 압전센서의 응답을 복합적인 유한요소 해석기법을 이용하여 모델링 하였다. 판재 구조물은 유체영역에서 전파되는 음향파에 의해서 가진된다. 구조물과 압전소자 주위의 유에부분을 유한요소기법을 써서 모델링였고 임의로 나눈 가상경계에서는 평면과 해를 적용하여 변위를 일치 시켰다. 또한, 이 경계에서 변위의 번분까지도 Penalty factor를 써서 일치 시켰으며 가상경계에서의 투명성을 증가시키기 위해서 유한요소의 각 절점에 회전자유도를 추가시켰다. 압전 센서 응답의 수치 결과가 구하여졌고 이것은 센서의 삽입효과가 적을 뿐만 아니라 구조물의 특성에 민감하다는 것이 밝혀졌다.
본 논문에서는 센서 네트워크에서의 네이밍 응용 모델을 제안한다. 최근 센서 노드들로 구성된 센서 네트워크는 기존의 네트워크에서는 불가능한 적용 범위를 제공한다. 그러나, 일반적인 네트워크와는 달리 한정된 자원을 가진 대규모의 센서 노드들이 협력해야 하기 때문에 개별 센서와 데이터를 주고 받아 작업을 처리하는 것은 매우 비효율적이며, 불안정하다. 데이터의 불완전한 결함이 발생하는 상황에서 투명하고 지속적으로 서비스를 가능하게 하도록 하기 위해서 제안된 SN LDAP 응용모델을 이용하여 가상 개념을 도입한 센서 네트워크를 위한 속성 및 스키마 그리고 DIT를 설계한다. 이러한 시스템을 바탕으로 SN 퍼지 질의를 처리할 수 있는 네이밍 응용모델을 만든다. 센서노드로부터 수집된 정보를 이용한 특정 환경에서 가상식을 이용한 네이밍 응용모델 기능이 센서 네트워크에서 제공되면, 보다 효율적이며, 안정적인 구조가 될 것이다. 본 논문에서는 속성기반의 네이밍 방법으로 센서 네트워크를 위한 SN퍼지 LDAP 모델을 제안하고, 이를 기반으로 특정 환경에서 퍼지 처리가 가능한 네이밍 응용모델을 만들고자 한다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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