• 제목/요약/키워드: Semiconductor laser

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광섬유 아나로그 영상신호 전송에 대한 모달 노이즈 영향 (The Effects of Modal Noise on fiber optic Analog video Transmission)

  • 한치문;최상삼;박한규
    • 대한전자공학회논문지
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    • 제20권3호
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    • pp.1-5
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    • 1983
  • 레이저 다이오드를 사용한 광섬유 아나로그 영상신호 전송 시스템에서 기존 노이즈(short thermal noise 등) 이외에 광섬유내의 스페클 현상에 기인한 모달 노이즈를 확인하기 위하여 시스템 선형성의 degradation를 여러 종류의 광함유에 따라 조사하고, 그 결과 다중 모드 광섬유 시스템에서 모달 노이즈 영향은 N.A(numerical apperture)와 core 반경의 크기 및 대역폭에 관계됨을 확인하였다. 모달 노이즈를 고려한 고품질 영상신호 전송 시스템을 실현키 위한 방법으로는 단- 모드 광섬유를 사용하든지, 레이저 다이오드의 coherence time를 감소시킬 수 있는 변조기술을 개발해야 됨을 알았다.

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초정밀 리니어 스테이지용 인치웜 타입 구동장치 개발 (Development of an Inchworm type Actuator for an Ultra Precise Linear Stage)

  • 문찬우;이성호;정중기;이종배
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 2002년도 합동 추계학술대회 논문집 정보 및 제어부문
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    • pp.309-312
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    • 2002
  • Precision stage is essential device for semiconductor equipments, fiber optic assembly systems and micro machines. In this paper, we develop a piezo-electric inchworm type actuator for long stroke ultra precision linear stages, and implement a controller to interface with commercial motion controllers. It provides fast implementation of precise position control system substituting for rotary motor. In the future, using a laser interferometer as a position sensor, we plan to implement a nano meter precision stage.

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나노 사이즈 광프로브에 의한 에버네슨트파의 측정 (Measurements of Evanescent Wave using a Mano-size Optical Probe)

  • 최영규
    • 대한전기학회논문지:전기물성ㆍ응용부문C
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    • 제53권1호
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    • pp.30-35
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    • 2004
  • We have carried out a basic experiment in order to develope a super high-resolution optical microscope which transcend the limitation of diffraction and the wavelength of lightwave. The image of this scope is composed by measuring the evanescent wave which is localized on the surface of the testing materials. A detecting probe was fabricated with a single mode optical fiber to be sharpened by the chemical etching, and drived by PZT. The standing wave of $0.33\mu\textrm{m}$ wavelength evanescent wave which was generated from the $0.78\mu\textrm{m}$-wavelength semiconductor laser was detected by the $0.5\mu\textrm{m}$-thickness optical fiber probe.

엑시머 레이저를 이용한 반도체 공정 부품 표면 세정 처리에 관한 연구 (Study on the surface contamination cleaning of device used in semiconductor processing by using Excimer laser)

  • 남기중;홍윤석;우미혜;이성풍;이종명
    • 한국광학회:학술대회논문집
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    • 한국광학회 2003년도 제14회 정기총회 및 03년 동계학술발표회
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    • pp.54-55
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    • 2003
  • 지금까지 반도체 장비 부품 세정을 위한 기존의 세정 방법중 가장 널리 사용되는 화학적 세정 방법은 다량의 유해 화학물질의 발생 및 후처리 문제, 비용문제, 열악한 작업 환경등과 같은 많은 문제를 노출시키고 있다. 이에 최근의 기술은 습식 세정에서 건식세정 방식으로의 기술 전이가 빠르게 이루어지고 있으며, 특히 레이저 광에 의한 건식 세정 기술은 다양한 오염 물질을 하나의 레이저 광원으로 제거할수 있으며, 기존의 습식 방법과 비교해 환경 친화적 청정 기술이고, 다른 건식 세정 기술인 드라이 아이스 및 플라즈마 세정 방법과 비교해 이동용으로 제작이 가능해 반도체 및 평판 디스플레이 생산공정에서 부품을 분리하지 않고 쉽게 세정을 하기 때문에 반도체 생산 현장에서 in-situ 세정으로 시간적, 경제적 이점이 대단히 크다. (중략)

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양자우물 - 양자선 상전이 현상의 광양자테 레이저 (Quantum well - quantum wire phase transiton of photonic quantum ring laser)

  • Kwon, O-Dae;Noik Pan;Kim, Junyeon
    • 한국광학회:학술대회논문집
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    • 한국광학회 2003년도 제14회 정기총회 및 03년 동계학술발표회
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    • pp.38-39
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    • 2003
  • The GaAs semiconductor whispering gallery modes, produced in the peripheral Rayleigh band region of W/sub Rayleigh/ = (${\Phi}$/2)( 1-n/sub eff/n), exhibit novel properties of ultralow thresholds open to nano-ampere regime associated with photonic quantum ring (PQR) production (Fig 1 (a)). The PQR phenomena are associated with a photonic field-driven phase transition of quantum well(QW)-to-quantum wire (QWR) and hence the photonic (non-de Broglie) quantum corral effects, on the Rayleigh cavity confined carriers in dynamic steady state, occur as schematically shown in Fig 1. (omitted)

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파장측정 장치의 제작 및 반도체레이저의 광 스펙트럼분석에 관한 연구 (A study on the Fabrication of Wavelength Measurement System and the Spectrum Anslysis of Laser Diodes)

  • 오수환;이석정;박윤호;홍창희
    • 한국광학회지
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    • 제6권4호
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    • pp.359-364
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    • 1995
  • 본 연구에서는 분광기와 컴퓨터 인터페이싱에 의해 파장측정장치를 제작하였으며 제작된 파장측정 장치를 이용하여 반도체레이저인 Fabry-Perot LD와 DFB-LD의 파장특성을 측정하고 그 결과를 분석함으로써 본 연구실에서 제작한 파장측정 장치가 반도체 레이저의 발진 파장특성을 분석하는데 실용적으로 이용될 수 있음을 알 수 있었다.

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Effect of Thermal Annealing on the Characteristics of Bi-Sb Thin Film Structure

  • Yousif, Afnan K.
    • JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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    • 제8권3호
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    • pp.239-243
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    • 2008
  • In this study, Bi-Sb thin film structure was prepared by thermal evaporation method. The electrical, optical transmission and structural characteristics of the prepared samples were introduced before and after thermal annealing process. At temperature of $500^{\circ}C$, the absorption of the structure was improved to reach 97% at near-infrared region. As well, the thermal annealing caused to reduce the bulk resistance of the Bi-Sb thin film structure. The morphology of Bi-Sb structure was also improved by thermal annealing as characteristic islands of the structure appear clearly in form hexagonal areas distinct from each other. This study is aiming to examine such structures if they are employed as photonic devices such as photodetectors, LED's and optical switches.

다결정 3C-SiC 마이크로 공진기의 특성 (Characteristics of polycrystalline 3C-SiC micro resonator)

  • 이태원;정귀상
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2008년도 하계학술대회 논문집 Vol.9
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    • pp.69-70
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    • 2008
  • Micro resonators have been actively investigated for bio/chemical sensors and RF M/NEMS devices. Among various materials, SiC is a very promising material for micro/nano resonators since the ratio of its Young's modulus, E, to mass density, $\rho$, is significantly higher than other semiconductor materials, such as, Si and GaAs. Polycrystalline 3C-SiC cantilever with different lengths were fabricated using a surface micromachining technique. Polycrystalline 3C-SiC micro resonators were actuated by piezoelectric element and its fundamental resonance was measured by a laser vibrometer in air and vacuum at room temperature, respectively. For the cantilever with $100{\mu}m$ length, $10{\mu}m$width and $1.3{\mu}m$ thickness, the fundamental frequency appeared at 147.2 kHz.

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고밀도 플라즈마에 의한 EUV 발생기술 (EUV Generation by High Density Plasma)

  • 진윤식;이홍식;김광훈;서길수;임근희
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 2000년도 하계학술대회 논문집 C
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    • pp.2092-2094
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    • 2000
  • As a next generation lithography (NGL) technology for VLSI semiconductor fabrication, electron beam, ion beam, X-ray and extreme ultraviolet(EUV) are considered as possible candidates. Among these methods, EUV lithography(EUVL) is thought to be the most probable because it is easily realized by improving current optical lithography technology. In order to set EUV radiation which can be applied to EUVL, it is essential to generate very high density and high temperature plasma stably. The method using a pulse power laser and a high voltage pulse discharge is commonly used to accomplish such a high density and high temperature plasma. In this paper we review the recent trends of the EUV generation technique by high density and high temperature plasma.

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SPIN GLASS BEHAVIOR AND ANTIFERROMAGNETIC EXCHANGE COUPLING IN LASER-DEPOSITED $Zn_{1-x}Co_xO$ THIN FILMS

  • Kim, Hyojin;Kim, Dojin;Ihm, Young-Eon;Kim, Jae-Hyun;Choo, Woong-Kil
    • 한국자기학회:학술대회 개요집
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    • 한국자기학회 2002년도 동계연구발표회 논문개요집
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    • pp.94-95
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    • 2002
  • Recently, we have seen a rapid advance in the evolving field of spin electronics (or spintronics). In spintronics, some feasibilities of new electronic applications utilizing spin degree of freedom have been explored. Diluted magnetic semiconductors (DMSs) are premising materials for spintronics because they have both charge and spin degree of freedom in a single substance. DMSs are refereed to semiconductor alloys in which some atoms are randomly substituted for by magnetic atoms. (omitted)

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