Proton beam writing is a direct writing lithography technique for semiconductor fabrication process. The advantage of this technique is that the proton beam does not scatter as they travel through the matter and therefore maintain a straight path as they penetrate into the resist. The experiment has been carried out at Accelerator Mass Spectrometry facility. The focused proton beam with the fluence of $100nC/mm^2$ was exposed on the PMMA coated silicon sample to make a pattern on a photo resist. The results show the potential of proton beam writing as an effective way to produce semiconductor fabrication process.
Critical dimension is one of the most important characteristics of up-to-date integrated circuit devices. Hence, critical dimension control in a semiconductor wafer fabrication process is inevitable in order to achieve optimum device yield as well as electrically specified functions. Currently, in complex semiconductor wafer fabrication processes, statistical methodologies such as Shewhart-type control charts become crucial tools for practitioners. Meanwhile, given a critical dimension sampling plan, the analysis of variance technique can be more effective to investigating critical dimension variation, especially for on-chip and on-wafer variation. In this paper, relating to a typical sampling plan, linear statistical models are presented for the analysis of critical dimension variation. A case study is illustrated regarding a semiconductor wafer fabrication process.
Manufacturing technologies of compound semiconductor are similar to the process of memory device, but management technology of manufacturing process for compound semiconductor is not enough developed. Semiconductor manufacturing environment also has been emerged as mass customization and open foundry service so integrated manufacturing system is needed. In this study we design the integrated manufacturing system for compound semiconductor fabrication t hat has monitoring of process, reduction of lead-time, obedience of due-dates and so on. This study presents integrated manufacturing system having database system that based on web and data acquisition system. And we will implement them in the actual compound semiconductor fabrication.
현재 반도체 산업은 200mm 웨이퍼에서 300mm 웨이퍼 공정으로 기술이 변화하고 있다. 300mm 웨이퍼 제조업체들은 Fabrication Line (FAB Line) 자동화를 비용절감 실현의 방책으로 사용하고 있다. 또한 기술의 확산, 시장 경쟁력의 격화 등으로 생산성 향상에 의한 원가절감이 반도체 산업 성장의 근본요인이 되고 있다. 대부분의 반도체 업체들은 생산성을 높이기 위해 average cycle time을 줄이는데 총력을 기울이고 있다. 본 논문에서는 average cycle time을 줄이는 데 중점을 두고, 300mm 반도체 제조공정을 시뮬레이션 하였다.
Semiconductor wafer fabrication is known to be one of the most complex manufacturing processes due to process intricacy, random yields, product diversity, and rapid changing technologies. In this study we are concerned with the impact of lot release and dispatching policies on the performance of semiconductor wafer fabrication facilities. We consider several semiconductor wafer fabrication environments according to the machine failure types such as no failure, normal MTBF, bottleneck with low MTBF, high randomness, and high MTBF cases. Lot release rules to be considered are Deterministic, Poisson process, WR(Workload Regulation), SA(Starvation Avoidance), and Multi-SA. These rules are combined with several dispatching rules such as FIFO (First In First Out), SRPT (Shortest Remaining Processing Time), and NING/M(smallest Number In Next Queue per Machine). We applied the combined policies to each of semiconductor wafer fabrication environments. These policies are assessed in terms of throughput and flow time. Basically Weins fabrication setup was used to make the simulation models. The simulation parameters were obtained through the preliminary simulation experiments. The key results throughout the simulation experiments is that Multi-SA and SA are the most robust rules, which give mostly good performance for any wafer fabrication environments when used with any dispatching rules. The more important result is that for each of wafer fabrication environments there exist the best and worst choices of lot release and dispatching policies. For example, the Poisson release rule results in the least throughput and largest flow time without regard to failure types and dispatching rules.
Semiconductor manufacturing has suffered from the complex process behavior of the technology oriented control in the production line. While the technological processes are in charge of the quality and the yield of the product, the operational management is also critical for the productivity of the manufacturing line. The fabrication line in the semiconductor manufacturing is considered as the most complex part because of various kinds of the equipment, re-entrant process routing and various product devices. The efficiency and the productivity of the fabrication line may give a significant impact on the subsequent processes such as the probe line, the assembly line and final test line. In the management of the re-entrant process such as semiconductor fabrication, it is important to keep balanced fabrication line. The Performance measures in the fabrication line are throughput, cycle time, inventory, shortage, etc. In the fabrication, throughput and cycle time are the conflicting performance measures. It is very difficult to achieve two conflicting goal simultaneously in the manufacturing line. The capacity of equipment is important factor in the production planning and scheduling. The production planning consideration of capacity can make the scheduling more realistic. In this paper, an input and scheduling rule are to achieve the balanced operation in semiconductor fabrication line through equipment capacity and workload are proposed and evaluated. New backward projection and scheduling rule consideration of facility capacity are suggested. Scheduling wafers on the appropriate facilities are controlled by available capacity, which are determined by the workload in terms of the meet the production target.
The semiconductor industry is highly capital and technology intensive. Technology advancement on circuit design and process improvement requires chip makers continuously to invest a new fabrication facility that costs more than 3 billion US dollars. Especially major semiconductor companies recently started to discuss 450mm fabrication substituting existing 300mm fabrication of which facilities were initiated to build in 1998. If the plan is consolidated, the yield of 450mm facility would be more than doubled compared to existing 300mm facility. In steps of this important investment, facility layout has been acknowledged as one of the most important factors to be competitive in the market. This research proposes a new concept of semiconductor facility layout using hexagonal floor plan and its compatible material flow pattern. The main objective of this proposal is to improve the productivity of the unified layout that has been popularly used to build existing facilities. In this research, practical characteristics of the semiconductor fabrication are taken into account to develop a new layout alternative based on the analysis of Chung and Tanchoco (2009). The performance of the proposed layout alternative is analyzed using computer simulation and the results show that the new layout alternative outperforms the existing layout alternative, unified layout. However, a few questions on space efficiency to the new alternative were raised in communication with industry practitioners. These questions are left for a future study.
Compound semiconductor manufacturing environment also has been emerged as mass customization and open foundry service so integrated manufacturing system is needed. In this study, we design data acquisition system of compound semiconductor fabrication that has monitoring and control of process. The developed DAS is consisted of key-in system inputted by operator and automatic acquisition system by GEM protocol. And we implemented them in the actual compound semiconductor. It is expected that using developed system would offer precise process information to buyer, reduce a lead-time, and obey a due-dates and so on.
Journal of Electrical Engineering and information Science
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제2권6호
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pp.212-216
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1997
A new metal tip fabrication process for low voltage operation is reported in this paper. The key element of the fabrication process is that isotropic silicon etching and oxidation process used in silicon tip fabrication is utilized for gate hole size reduction and gate oxide layer. A metal FEA with 625 tips was fabricated in order to demonstrate the validity of the new process and submicron gate apertures were successfully obtained from originally 1.7$\mu\textrm{m}$ diameter mask. The emission current above noise level was observed at the gate bias of 50V. The required gate voltage to obtain the anode current of 0.1${\mu}\textrm{A}$/tip was 74V and the emission current was stable above 2${\mu}\textrm{A}$/tip without any disruption. The local field conversion factor and the emitting area were calculated as 7.981${\times}$10\ulcornercm\ulcorner and 3.2${\times}$10\ulcorner$\textrm{cm}^2$/tip, respectively.
In this paper, an efficient control method for semiconductor fabrication process is presented. Generally, control is performed with data which is under the influence of process disturbance. EWMA is one of the most popular control methods in semiconductor fabrication that effectively deals with varying process condition. A new method using EWMA, called the Dual Damping EWMA, is presented in this study to reduce over-control by separating weight factor of input and output. The goal is to reflect Drift but reduce the effects of White noise in run to run control. Simulation is performed to evaluate the performance of DPEWMA and to compare with EWMA and Double EWMA.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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