In this study, semi-solid thin plate of A 356 aluminum alloy was fabricated by using slope plate apparatus and vacuum pressurization. Slope plate was used to produce semi-solid material with spheroidal microstructures. After molten metal was poured into the slope plate connected to the pouring hole of die, semi-solid material flowed into the die cavity by vacuum degree. The primary crystals of the cast metal became spheroidal. In order to increase the working pressure, gas pressurization of U shape was designed for fabrication of thin plate. For 3 bar of gas pressure and 60 mmHg of vacuum degree, thin plate was fabricated without defects on surface.
Group III-nitride semiconductors have been widely studied as the materials for growth of light emitting devices. Currently, GaN devices are predominantly grown in the (0001) c-plane orientation. However, in case of using polar substrate, an important physical problem of nitride semiconductors with the wurtzite crystal structure is their spontaneous electrical polarization. An alternative method of reducing polarization effects is to grow on non-polar planes or semi-polar planes. However, non-polar and semipolar GaN grown onto r-plane and m-plane sapphire, respectively, basically have numerous defects density compared with c-plane GaN. The purpose of our work is to reduce these defects in non-polar and semi-polar GaN and to fabricate high efficiency LED on non/semi-polar substrate. Non-polar and semi-polar GaN layers were grown onto patterned sapphire substrates (PSS) and nano-porous GaN/sapphire substrates, respectively. Using PSS with the hemispherical patterns, we could achieve high luminous intensity. In case of semi-polar GaN, photo-enhanced electrochemical etching (PEC) was applied to make porous GaN substrates, and semi-polar GaN was grown onto nano-porous substrates. Our results showed the improvement of device characteristics as well as micro-structural and optical properties of non-polar and semi-polar GaN. Patterning and nano-porous etching technologies will be promising for the fabrication of high efficiency non-polar and semi-polar InGaN LED on sapphire substrate.
Stamping process and rubber pad forming process were performed to manufacture the bipolar plate for fuel cells. For that, a vacuum die casting process and a semi-solid forming process wherein liquid-state materials were used were adopted. After preparing the blank with the stainless steel thin plate having a thickness of 0.1 mm, the bipolar plate channel was formed with the stamping process and rubber pad forming process. The depth of the bipolar plate channel prepared by the stamping method was 0.45 mm and the depth of the bipolar plate channel prepared by the rubber pad forming process was 0.41 mm. Meanwhile, with the vacuum die casting and semi solid forming, the bipolar plate having a channel depth of 0.3 mm, same as the size of the die, could be formed.
The sheet resistance (Rs) of undoped GaN films on AlN/c-plane sapphire substrate was investigated in which the AlN films were grown by R. F. magetron sputtering method. The Rs was strongly dependent on the AlN layer thickness and semi-insulating behavior was observed. To clarify the effect of crystalline property on Rs, the crystal structure of the GaN films has been studied using x-ray scattering and transmission electron microscopy. A compressive strain was introduced by the presence of AlN nucleation layer (NL) and was gradually relaxed as increasing AlN NL thickness. This relaxation produced more threading dislocations (TD) of edge-type. Moreover, the surface morphology of the GaN film was changed at thicker AlN layer condition, which was originated by the crossover from planar to island grains of AlN. Thus, rough surface might produce more dislocations. The edge and mixed dislocations propagating from the interface between the GaN film and the AlN buffer layer affected the electric resistance of GaN film.
In high-capacity disk drives with ever-growing track density, the allowable level of position error signal(PES) is becoming smaller and smaller. In order to achieve the high TPI(track per inch) disk drive, it is necessary to improve the writing accuracy during the servo track writing(STW) Process through the reduction of track mis-registration sources. Among the main contributors of the non-repeatable runout(NRRO) PES, the disk vibration and the head-stack assembly vibration is considered to be one of the most significant factors. Also the most contributors of repeatable runout(RRO) come from the contributors of NRRO which is written-in at the time of STW process. In this paper, the effect of NRRO on servo written-in RRO is Investigated by experimentally, and the experimental result shows that the written-in RRO can be effectively reduced through a STW process under low dense medium condition such as semi-vacuum.
The rheocasting characteristics are strongly influenced by the microstructural morphology such as particle size, form factor and contiguity. In this study, the effect of structural morphology on fluid flow characteristics of A356 semi-solid alloy was investigated with a vacuum suction fluidity test. Semi-solid metal slurry was made by the mechanical stirring, the liquidus casting, and H-NCM to be analysed. H-NCM could obtain uniform and fine globular microstructures of 0.9 form factor and 55 ${\mu}m$ particle size. Inoculation was found to be effective for reducing particle size, however, for H-NCM it should be avoided due to the cause of increasing contiguity. The fluidity test indicated that the non-stirring method had higher fluidity and smaller liquid segregation in the same solid faction of 0.4 than the stirring method, for smaller particle size and higher form factor. It was observed that liquid segregation decreased as the particle size is smaller and form factor is higher. The results of die-casting experiment were a good agreement with those of fluidity test.
The test items like as endurance, air leakage and oil endurance test is requested for reliability evaluation about O-ring which is a kind of core machinery accessories of semi-conduct manufacturing equipment. For verification of these, we design and manufactured a test system for endurance, air leakage and oil endurance of O-ring for semi-conduct manufacturing equipment, and also performed the test for two kinds of O-ring, as it were Viton and Kalretz. The characteristics of this test equipment consist in realization of the test conditions of semi-conduct manufacturing equipment and satisfying the test method. The test conditions are cut gas, vacuum grade, temperature and revolution numbers in the endurance test system, vacuum grade and temperature in the air leakage test system, temperature and time in the oil endurance test system. The separating test results for wearing which is an oil endurance test item, the wearing index of domestic produced Viton O-ring is higher than foreign product by 2%, wearing rate of Kalretz O-ring better than Viton O-ring by 17%, and particles existed in various place. The test result of air leakage which is measured through the RGA sensor used Helium, the vacuum grade was $10^-3$Torr. And the test result of oil endurance, the volume change rate was 7~15%. Hereafter, we intend to analysis the reliability test evaluation and to utilize for domestic manufacturing companies by establishing data base and developing reliability softwares.
가공 중 파괴되기 쉬운 여러 가지 기능성 성분과 오디 고유의 맛, 향 및 형태를 그대로 유지한 말랑말랑한 반건조 오디를 제조함으로써 오디 자체를 식용 또는 식품(빵, 떡, 한과 등) 재료로서의 이용성, 실온 보관 및 유통 편리성을 향상시키고자 하였다. 영하 $40^{\circ}C$ 이하에서 보관한 오디를 내부 온도를 $30{\sim}35^{\circ}C$ 사이로 맞춰 놓은 동결건조기에 넣고 23 ~ 24시간 동안 진공상태에서 건조시킴으로써 오디는 열매끼리 뭉치지 않고 한 알씩 분리되며, 만졌을 때 손에 검은 색이 묻어나지 않는다. 특히 안토시아닌 색소인 C3G을 비롯해 루틴(rutin), 가바(GABA), 레스베라트롤(resveratrol) 등의 다양한 기능성 성분과 오디 고유의 맛, 향, 형태를 그대로 유지할 수 있다. 반건조 오디의 경우 수확 후 냉동보관에 필요한 시설유지비(전기료 등)가 들지 않으며, 건조 후 1년 정도 실온 보관이 가능하므로 수송유통이 편리함은 물론 연중 상시 구매가 가능하다. 또한 반건조 오디 생산에 걸리는 시간은 약 23 ~ 24시간으로 완전 건조 오디 생산 시 걸리는 시간(48시간)보다 절반가량 짧아 농가의 가공비용을 줄일 수 있다. 단순 가공제품과 더불어 반건조 오디를 직접 식용 또는 다양한 식재료에 활용함으로써 다양한 오디의 영양성분과 기능성 성분의 섭취를 통해 국민건강증진은 물론 소비확산을 통한 농가소득 향상에도 기여할 수 있을 것으로 기대한다.
In high-capacity disk drives with ever-growing track density, the allowable level of position error signal (PES) is becoming smaller and smaller. In order to achieve the high TPI disk drive, it is necessary to improve the writing accuracy during the STW(servo track writing) process through the reduction of TMR sources. Among the main contributors of the NRRO(Non-Repeatable Run-out) PES, the disk vibration and the HSA(head-stack assembly) vibration is considered to be one of the most significant factors. Also the most contributors of RRO(Repeatable Run- out) come from the contributors of NRRO which is written-in at the time of STW(servo track writing) process. In this paper, the experimental test result shows that the effect of NRRO on servo written-in RRO effectively can be reduced through a STW process under low dense medium condition such as semi-vacuum.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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