• 한국재료학회지
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• 제18권6호
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• pp.339-346
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• 2008

Single-crystal $ZnIn_2S_4$ layers were grown on a thoroughly etched semi-insulating GaAs (100) substrate at $450^{\circ}C$ with a hot wall epitaxy (HWE) system by evaporating a $ZnIn_2S_4$ source at $610^{\circ}C$. The crystalline structures of the single-crystal thin films were investigated via the photoluminescence (PL) and Double-crystal X-ray rocking curve (DCRC). The temperature dependence of the energy band gap of the $ZnIn_2S_4$ obtained from the absorption spectra was well described by Varshni's relationship, $E_g(T)=2.9514\;eV-(7.24{\times}10^{-4}\;eV/K)T2/(T＋489K)$. After the as-grown $ZnIn_2S_4$ single-crystal thin films was annealed in Zn-, S-, and In-atmospheres, the origin-of-point defects of the $ZnIn_2S_4$ single-crystal thin films were investigated via the photoluminescence (PL) at 10 K. The native defects of $V_{Zn}$, $V_S$, $Zn_{int}$, and $S_{int}$ obtained from the PL measurements were classified as donor or acceptor types. Additionally, it was concluded that a heat treatment in an S-atmosphere converted $ZnIn_2S_4$ single crystal thin films into optical p-type films. Moreover, it was confirmed that In in $ZnIn_2S_4$/GaAs did not form a native defects, as In in $ZnIn_2S_4$ single-crystal thin films existed in the form of stable bonds.

• 한국결정성장학회지
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• 제4권1호
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• pp.11-20
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• 1994

분자선에피택시(molecular beam epitaxy)법을 이용하여 GaAs 및 ALGaAs layer를 undoped 반절연(100) GaAs 기판위에 성장하였고, 최적의 성장온도와 성장된 시료에 대한 전기적 및 광학적 특성을 조사 하였다. Undoped GaAs층의 성장에 있어서는 측정결과로 부터 As/Ga의유속비가 약 20, 성장온도가 $570^{\circ}C$일때 12K에서의 Photoluminescence 반폭치(FWHM)가 1.14meV인 결정성이 좋은 시료가 얻어졌으며, p형으로서 carrier 농도가 $1.5{\times}10^{14}cm^{-3}$ 미만이고, Hall 이동도가 300K에서 $579cm^2/V-s$인 양질의 에피층이 얻어졌다. 또한 이들 시료에서는 ODLTS, DLTS측정으로 부터 2개의 hole형 깊은 주위만이 관측되었다. Undoped AlGaAs층의 성장에 있어서는 As/(Ga+Al)의 유속비가 20이고 $60^{\circ}C$의 성장온도에서 표면 morphology와 결정성이 좋은 시료를 성장할 수 있었으며, 0.17~0.85eV에서 8개의 깊은 준위가 관측되엇다. Si이 도핑된 AlGaAs 층의 경우, PL 스펙트럼으로 부터 Si의 도핑효과를 관측할 수 있었으며, Hall 측정으로부터 300K에서 $1.5{\times}10^{16}cm^{-3}$일 때 Hall 이동도가 $2547cm^2/V-s$인 시료를 얻을 수 있었다.

• 한국결정성장학회지
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• 제16권5호
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• pp.189-197
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• 2006

[$AgGaSe_2$] 단결정 박막을 수평 전기로에서 합성한 $AgGaSe_2$ 다결정을 증발원으로하여, hot wall epitaxy(HWE) 방법으로 증발원과 기판(반절연성-GaAs(100))의 온도를 각각 $630^{\circ}C,\;420^{\circ}C$로 고정하여 성장하였다. 이때 단결정 박막의 결정성은 광발광 스펙트럼과 이중결정 X-선 요동곡선(DCRC)으로 부터 구하였다. $AgGaSe_2$의 광흡수 스펙트럼으로부터 구한 온도에 의존하는 에너지 밴드갭 $E_g(T)$는 Varshni 공식에 fitting한 결과 $E_g(T)=1.9501eV-(8.79x10^{-4}eV/K)T^2(T+250K)$를 잘 만족하였다. 성장된 $AgGaSe_2$ 단결정 박막을 Ag, Ga, Se 분위기에서 각각 열처리하여 10K에서 photoluminescience(PL) spectrum을 측정하여 점 결함의 기원을 알아보았다. PL 측정으로 부터 얻어진 $V_{Ag},\;V_{Se},\;Ag_{int}$, 그리고 $Se_{int}$는 주개와 받개로 분류되어졌다. $AgGaSe_2$ 단결정 박막을 Ag 분위기에서 열처리하면 p형으로 변환됨을 알 수 있었다. 또한, Ga 분위기에서 열처리하면 열처리 이전의 PL 스펙트럼을 보이고 있어서, $AgGaSe_2$ 단결정 박막에서 Ga은 안정된 결합의 형태로 있기 때문에 자연 결함의 형성에는 관련이 없음을 알았다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제20권10호
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• pp.829-838
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• 2007

The stochiometric mix of evaporating materials for the $CdGa_2Se_4$ single crystal thin films was prepared from horizontal furnace. To obtain the single crystal thin films, $CdGa_2Se_4$ mixed crystal was deposited on thoroughly etched semi-insulating GaAs(100) substrate by the Hot Wall Epitaxy (HWE) system. The source and substrate temperature were $630^{\circ}C$ and $420^{\circ}C$, respectively. The crystalline structure of single crystal thin films was investigated by the photoluminescence and double crystal X-ray diffraction (DCXD).The carrier density and mobility of $CdGa_2Se_4$ single crystal thin films measured from Hall effect by van der Pauw method are $8.27{\times}10^{17}\;cm^{-3},\;345\;cm^2/V{\cdot}s$ at 293 K. respectively. The temperature dependence of the energy band gap of the $CdGa_2Se_4$ obtained from the absorption spectra was well described by the Varshni's relation, $Eg(T)\;=\;2.6400\;eV\;-\;(7.721{\times}10^{-4}\;eV/K)T^2/(T+399\;K)$. After the as-grown single crystal $CdGa_2Se_4$ thin films were annealed in Cd-, Se-, and Ga -atmospheres, the origin of point defects of single crystal $CdGa_2Se_4$ thin films has been investigated by PL at 10 K. The native defects of $V_{Cd}$, $V_{Se}$, $Cd_{int}$, and $Se_{int}$ obtained by PL measurements were classified as donors or accepters. We concluded that the heat-treatment in the Cd-atmosphere converted single crystal $CdGa_2Se_4$ thin films to an optical p-type. Also, we confirmed that Ga in $CdGa_2Se_4/GaAs$ did not form the native defects because Ga in single crystal $CdGa_2Se_4$ thin films existed in the form of stable bonds.

• 센서학회지
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• 제10권6호
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• pp.328-337
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• 2001

수평 전기로에서 $CdGa_2Se_4$ 다결정을 합성하여 HWE 방법으로 $CdGa_2Se_4$ 단결정 박막을 반절연성 GaAs(100) 위에 성장하였다. $CdGa_2Se_4$ 단결정 박막은 증발원과 기판의 온도를 각각 $630^{\circ}C$, $420^{\circ}C$로 성장하였다. 10K에서 측정한 광발광 exciton 스펙트럼과 이중결정 X-선 요동곡선(DCRC)의 반치폭(FWHM)을 분석하여 단결정 박막의 최적 성장 조건을 얻었다. Hall 효과는 van der Pauw 방법에 의해 측정되었으며, 온도에 의존하는 운반자 농도와 이동도는 293K에서 각각 $8.27{\times}10^{17}/cm^3$, $345\;cm^2/V{\cdot}s$였다. 광전류 봉우리의 10K에서 단파장대의 가전자대 갈라짐(splitting)에 의해서 측정된 ${\Delta}Cr$ (crystal field splitting)은 106.5 meV, ${\Delta}So$ (spin orbit splitting)는 418.9 meV였다. 10K의 광발광 측정으로부터 고품질의 결정에서 볼 수 있는 free exciton 과 매우 강한 세기의 중성 주개 bound exciton등의 피크가 관찰되었다. 이때 중성 주개 bound exciton의 반치폭과 결합 에너지는 각각 8 meV와 13.7 meV였다. 또한 Haynes rule에 의해 구한 불순물의 활성화 에너지는 137 meV 였다.

• 농업과학연구
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• 제4권2호
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• pp.126-140
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• 1977

제주도(濟州道)와 남부(南部) 도서지방(島嶼地方)에서 한해(寒害) 및 풍해(風害)에 대한 감귤(柑橘)의 안전재배(安全栽培)와 남부지방(南部地方)에서 비닐하우스 피복(被覆)및 비닐 하우스 피복재배(被覆栽培)를 효율적(效率的)으로 수행(遂行)하기 위하여 온주밀감(溫州蜜柑)의 내한성(耐寒性) 품종(品種)의 선발(選拔), 내한성(耐寒性) 조기검정(早期檢定) 및 내한재배기술(耐寒栽培技術)에 관한 연구(硏究)를 실시한 바 결과(結果)를 다음과 같이 적요(摘要)한다. 1. 거치로 피복(被覆)한 비닐하우스에서 월동후(越冬後) 무동해개체(無凍害個體)를 내한성(耐寒性) 조기검정(早期檢定)(leaf freezing test)에 공시(供試)한 결과(結果) $-9^{\circ}C$ 저온(低溫)에 2시간(時間) 처리(處理)하여 건전개체(健全個體) 12, 약간동해개체(若干凍害個體) 15로 나타났다. 2. 비닐하우스에 거치 두겹을 피복(被覆)하고 상면(床面)에 벼짚 멀칭과 낮에 채광(採光)하는 조건에서 기온(氣溫) $-15^{\circ}C$ 내외(內外)(대전지방(大田地方))에서 하우스 내부(內部) 온도(溫度)는 $-3^{\circ}C$, 지온(地溫)은 $0^{\circ}C$ 이상(以上)으로 유지되었다. 3. 하우스내(內) 비닐 터널 설치(設置) 상면(床面) mulching은 모두 유의성있게 보온 효과를 나타냈으나, 외부 기온에 따라 다르며, 하우스내(內) 비닐 터널은 필림의 색(色)에 의한 유의차는 없었다. 4. 하우스 내부(內部)의 수직적 온도(溫度) 분포(分布)는 하우스내(內)의 온도(溫度)가 높을 때는 상부(上部)일수록 온도(溫度)가 약간 높았고 하우스 내(內)의 온도(溫度)가 낮을 때에는 중앙부(中央部) 상면(床面), 상부(床部)의 순서(順序)로 낮았다. 5. 하우스 내부(內部)의 수평적(水平的) 온도(溫度) 분포(分布)는 북면(北面)이 지온(地溫) 및 상면온도(床面溫度)가 낮고 그 밖의 동서남북(東西南北)의 가장자리 부분(部分)은 모두 낮아서 공시목(供試木)이 동해(凍害)를 받았으며 북쪽 벽면(壁面)에서 30cm내(內)의 공시목(供試木)은 동해(凍害)가 심했다. 6. 북면(北面) 바깥쪽 벽면하(壁面下)에 $30{\times}30{\times}30cm$의 짚다발 절록구(絶綠溝)의 설치(設置)는 북면(北面)의 지온(地溫) 및 상면(床面) 온도(溫度) 강하(降下)를 막아서 동해(凍害)를 막는 효과(效果)가 기대(期待)된다. 7. 흐린날, 눈 나린 날은 하우스 내외(內外)의 온도(溫度) 차이(差異)가 적었으나 방열이 적어서 내부(內部) 온도(溫度)는 야간(夜間)에도 비교적 높게 유지되었다. 8. 1일중 최고온도(最高溫度)의 peak는 하우스 내외(內外) 모두 15시(時) 전후(前後)에 있고 최저온도(最低溫度)의 peak는 모두 6시(時) 전후(前後)에 있으며 외부(外部) 온도(溫度)의 최저(最低)에 따라 내부(內部)도 변한다. 맑은 날의 최고온도(最高溫度)는 차(差)가 크고($19^{\circ}C$, 11월하순(月下旬)) 눈오는 날, 흐린 날은 차(差)가 적었으로($9^{\circ}C$, 11월하순(月下旬)) 특히 눈온 날 하우스내(內)의 온도(溫度) 강하(降下)가 적어서 야간(夜間)에 온도곡선(溫度曲線)은 평행(平行)에 가까왔다. 9. 내한성(耐寒性), 반왜성(半矮性)(semi-dwarf type), 단지형(短枝形)(spur type) 우량품종(優量品種)을 효과적(效果的)인 방한(防寒) 피복(被覆) 재배(栽培)의 기술(技術)을 적용(適用)한다면 제주도(濟州島) 및 남부지방(南部地方)에서의 감귤(柑橘)의 안전재배(安全栽培)와 재배(栽培) 면적(面積)의 확대(擴大)가 기대(期待)된다.