• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제14권8호
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• pp.622-628
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• 2001

We developed 1- and 2-dimensional fluid model for the analysis of a capacitively coupled Ar RF(Radio Frequency) glow discharge. This discharge is in pure Ar gas at the pressure 100[mTorr], frequency 13.56[MHz] and voltage amplitude 120[V}. This model is based on the equations of continuity and electron energy conservation coupled with Poison equation. 2-dimensional model is simulated on the condition of GEC(Gaseous Electronic Conference cell). The geometry of the discharge chamber and the electrodes used in the model is cylindrically simmetric; tow cylinders for the electrodes are surrounded by the grounded chamber. It is shown that 1-dimensional model is very useful on the understanding of RF glow discharge property and of the movement of charged particles. 2-dimensional model predicts off-axis maximum structure as in the experiments and has the results in qualitatively and quantitatively good agreement with the experiments. Effects of dc self-bias voltage, guard ring and reactor geometry is discussed.

• ETRI Journal
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• 제32권1호
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• pp.68-72
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• 2010

The coupling between the transverse and longitudinal components of the channel electron motion in NMOS devices leads to a reduction in the barrier height. Therefore, this study theoretically investigates the effects of the in-plane velocity of channel electrons on the capacitance-voltage characteristics of nano NMOS devices under inversion bias. Numerical calculation via a self-consistent solution to the coupled Schrodinger equation and Poisson equation is used in the investigation. The results demonstrate that such a coupling largely affects capacitance-voltage characteristic when the in-plane velocity of channel electrons is high. The ballistic transport ensures a high in-plane momentum. It suggests that such a coupling should be considered in the quantum capacitance-voltage modeling in ballistic transport devices.

• 한국조사연구학회지:조사연구
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• 제1권1호
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• pp.125-134
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• 2000

인터넷 리서치의 과학성을 담보하기 위해서는 과학적 원칙과 절차를 지켜야 한다. 그 핵심은 표본추출에 있으며, 특히 자기선택오류를 범하지 않기 위한 방안이 모색되어야 한다. 먼저 인터넷센서스를 통해 네티즌의 분포와 변화상황를 주기적으로 체크하고 그에 준한 표본추출을 실시하여 패널을 구축한다. 구축된 패널에 PcMeter 를 장착케 하여 전송된 로그를 분석하여 제시하는 이를 인터넷 인덱스라한다.

• Advances in Computational Design
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• 제1권3호
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• pp.275-296
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• 2016

This article presents an adaptive directional differential evolution (ADDE) algorithm and its application in solving discrete sizing truss optimization problems. The algorithm is featured by a new self-adaptation approach and a simple directional strategy. In the adaptation approach, the mutation operator is adjusted in accordance with the change of population diversity, which can well balance between global exploration and local exploitation as well as locate the promising solutions. The directional strategy is based on the order relation between two difference solutions chosen for mutation and can bias the search direction for increasing the possibility of finding improved solutions. In addition, a new scaling factor is introduced as a vector of uniform random variables to maintain the diversity without crossover operation. Numerical results show that the optimal solutions of ADDE are as good as or better than those from some modern metaheuristics in the literature, while ADDE often uses fewer structural analyses.

• 대한전기학회논문지:전기물성ㆍ응용부문C
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• 제48권5호
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• pp.309-314
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• 1999

The magnetized helical resonator plasma etcher has been built. Electron density and temperature were measured as functions of rf source power, axial magnetic field, and pressure. The results show electron density increases as the magnetic field increases and reached $2\times1012cm^{-3}$,/TEX>. The oxide etch rate and selectivity to polysilicon were investigated as the above mentioned conditions and self-bias voltage. We can obtain the much improved oxide etch selectivity to polysilicon (60 : 1) by applying the external axial weak magnetic field in magnetized helical resonator plasma etcher.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제11권4호
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• pp.261-266
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• 1998

In developing the high density memory device, the etching of fine pattern is becoming increasingly important. Therefore, definition of ultra fine line and space pattern and minimization of damage and contamination are essential process. Also, the high density plasma in low operating pressure is necessary. The candidates of high density plasma sources are electron cyclotron resonance plasma, helicon wave plasma, helical resonator, and inductively coupled plasma. In this study, planar type magnetized inductively coupled plasma etcher has been built. The density and temperature of Ar plasma are measured as a function of rf power, flow rate, external magnetic field, and pressure. The oxide etch rate and selectivity to polysilicon are measured as the above mentioned conditions and self-bias voltage.

• 한국원자력학회:학술대회논문집
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• 한국원자력학회 1997년도 춘계학술발표회논문집(2)
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• pp.223-230
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• 1997

최근들어 그 활용도가 점점 증대되고 있는 DLU(Diamond-like Carbon) /Diamond 박막(thin film)의 합성기술을 개발하여 원자력분야에 응용하고자 시도하였다. 이를 위하여 13.56 MHz의 고주파(RF: radio-frequency)를 사용하는 플라즈마 화학증착(PECVD: Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 장치를 직접 제작하여 탄소함유(CH$_4$, $CO_2$...등) 기체로부터 기본적인 DLC 박막증착시험을 수행하였다. 실험은 진공증착기(vacuum chamber)내의 압력(pressure), 탄소함유 기체의 조성비, 그리고 바이어스전압(negative self-bias voltage)둥을 변화시키면서 수행하였다. 증착속도(deposition rate)는 증착층의 두께를 알파스템($\alpha$-step)으로 측정하여 결정하였으며, 이로부터 증착속도가 압력 및 바이어스 전압의 증가에 따라 증가함을 알 수 있었다. 또한 바이어스 전압 300V 이상에서 $CO_2$량 증가가 증착속도를 촉진시킨다는 사실도 확인하였다. 그리고 EPMA(electron probe micro-analyser) 및 Raman 스펙트럼분석을 통하여 증착층의 구조가 DLC 임을 확인하였다.

• 한국정보처리학회:학술대회논문집
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• 한국정보처리학회 2022년도 추계학술발표대회
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• pp.517-519
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• 2022

뉴럴 네트워크는 학습에 사용하는 파라미터를 문제에 맞게 최적화하여 일반화 성능을 향상시키는 것이 목적이다. 선행 연구들은 다차원의 로스 랜드스케이프(loss landscape)를 시각화하는 방법을 탐구하며, 모델의 일반화 측면에서 어떤 영향을 주는지 탐구한다. 하지만 아직까지 로스 랜드스케이프가 근본적으로 일반화 성능에 어떠한 영향을 주는지 잘 알려져 있지 않으며, 평평하거나 경사진 로스 랜드스케이프 중 어떤 형태가 일반화 성능에 더 효과적인지 여러 의견이 나뉜다. 따라서 우리는 로스 랜드스케이프가 일반화 성능과 연관 있음을 실험을 통해 파악한다. 나아가 비전문제에서 MSA(multi-head self-attention) 레이어를 기반으로 구성된 트랜스포머 구조를 사용해 작은 유도 편향(inductive bias)을 가지며 소규모 데이터 셋 체제에서의 단점을 보완한다. 결론적으로 평평한 로스 랜드스케이프가 일반화 성능에 긍정적인 영향을 끼친다는 것을 관찰한다.

• Nanomaterials
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• 제12권24호
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• pp.4457-4467
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• 2022

SiO₂ etching characteristics were investigated in detail. Patterned SiO₂ was etched using radio-frequency capacitively coupled plasma with pulse modulation in a mixture of argon and fluorocarbon gases. Through plasma diagnostic techniques, plasma parameters (radical and electron density, self-bias voltage) were also measured. In this work, we identified an etching process window, where the etching depth is a function of the radical flux. Then, pulse-off time was varied in the two extreme cases: the lowest and the highest radical fluxes. It was observed that increasing pulse-off time resulted in an enhanced etching depth and the reduced etching depth respectively. This opposing trend was attributed to increasing neutral to ion flux ratio by extending pulse-off time within different etching regimes.

• 조명전기설비학회논문지
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• 제19권4호
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• pp.1-8
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• 2005

본 연구에서는 2차원적 유체 모델을 통하여 보다 실질적인 플라즈마를 이해하고자 하였으며, 기하학적인 방전전극 구조를 반영하도록 전극단에서 챔버 외벽의 거리를 변화시키면서 플라즈마의 특성을 정량적으로 비교 분석하고자 하였다. 방전 챔버의 구조로서, 전극의 반경과 방전 챔버의 높이는 일정하게 유지하면서 방전 챔버의 넓이를 변화시킴에 따라 형성되는 플라즈마의 특성을 분석하였다. 그 결과, 전극단과 챔버 외벽의 거리가 짧을수록 그 영역에서 전계가 강하게 형성되어, 외벽을 향하는 각 입자들의 움직임도 매우 활발하다는 것을 알 수 있었다. 또한, 전각단과 외벽과의 거리가 짧을수록 전극 면상에서 형성되는 입자들의 수밀도와 유속의 변화가 일정하게 형성되는 것을 알 수 있었다. 이러한 결과는 웨이퍼의 대구경화에 따른 플라즈마의 균일성을 고려할 경우에 매우 효과적일 것으로 고려되어 진다.